«Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов»
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых диодов, выполненных из различных материалов.
2.1.4 Влияние температуры на характеристики и параметры диодов.
2.1.5 Типы полупроводниковых диодов, особенности их устройства, работы и характеристики. Применение.
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых диодов, выполненных из различных материалов.
2.1.4 Влияние температуры на характеристики и параметры диодов.
2.1.5 Типы полупроводниковых диодов, особенности их устройства, работы и характеристики. Применение.
Дополнительная информация
2021 г, зачет Борисов А.В, стр 8
Похожие материалы
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
s0nnk
: 10 мая 2024
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
100 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
blur
: 31 августа 2023
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
50 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
beke
: 7 ноября 2015
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
Рис.1 Схема прямого включения
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
Таблица 1.1а – диод Д7Ж
Uпр, В 0 0,295 0,345 0,381 0,406 0,427 0,447 0,462 0,472
Iпр, мА 0 1 2 3 4 5
185 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
ramzes14
: 6 ноября 2012
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Отчет по работе
2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении.
На графике 1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении. На схеме 1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов
70 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
RomIN
: 1 июля 2010
Отчет по лабораторной работе №1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Ход выполнения работы
Работа выполнялась в лаборатории электронных средств обучения СибГУТИ при помощи удаленного доступа
Схема для снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 с приложенным напряжением в прямом
напра
50 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
DaemonMag
: 4 февраля 2010
Лабораторная работа №1 Физические основы электроники СибГУТИ 2 семестр
Для данной работу задание одно, вариант не выбирается
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
30 руб.
Вариант №3. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
MK
: 30 сентября 2016
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковы
152 руб.
Вариант №4 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
MK
: 27 июня 2016
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Отчет по работе
2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении.
На графике 1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении. На схеме 1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении.
174 руб.
Другие работы
Экономика отрасли связи. Курсовая работа
татьяна89
: 6 февраля 2012
Оглавление
1. Исходные данные 3
2. Планирование объема услуг развития сети связи 6
3. Доходы от основной деятельности 10
4. Персонал и оплата труда 15
5. Производственные фонды 18
6. Затраты на производство и реализацию услуг 21
7. Прибыль и рентабельность 27
8. Показатели эффективности производства и инвестиций 31
9. Показатели эффективности использования труда 35
10. Показатели эффективности использования основных фондов 37
11. Эксплуатационные затраты 39
12 Заключение 4
60 руб.
Анализ финансово хозяийственной деятельности (Ответы на тест СИНЕРГИЯ / МТИ / МОИ)
AnastasyaM
: 20 октября 2024
Ответы на тест Анализ финансово хозяийственной деятельности - СИНЕРГИЯ, МОИ, МТИ.
Результат сдачи - 92-100 баллов.
Дата сдачи свежая.
Вопросы к тесту:
Для оценки выпущенной продукции с точки зрения ее соответствия установленным требованиям используются ... показатели
Для анализа ассортимента продукции предприятия используются..
Для характеристики движения рабочих предприятия рассчитывают и анализируют динамику такого показателя, как ...
Для анализа внешней среды предприятия рекомендуе
250 руб.
Расчет последовательной цепи переменного тока, содержащей активное сопротивление, индуктивность и емкость. вариант №6
koshhhka
: 28 февраля 2015
Вариант 6
Катушка с активным сопротивлением и индуктивностью соединена последовательно с конденсатором емкостью и подключена к источнику переменного тока с частотой и амплитудным значением напряжения . Определить действующее значение тока, полное сопротивление цепи, полную, активную и реактивную мощности. Построить векторную диаграмму токов и напряжений, треугольник сопротивлений и мощностей.
Определить частоту тока при резонансе напряжений.
100 руб.
Курсовая работа по дисциплине: Основы построения инфокоммуникационных систем и сетей. Вариант 06
Учеба "Под ключ"
: 18 ноября 2022
Содержание
Введение 3
1. Методы регистрации 4
1.1. Регистрация посылок методом стробирования. 4
1.2. Интегральный метод регистрации. 5
1.3. Сравнение методов регистрации. 8
Задача No1 9
2.Синхронизация в системах ПДС 11
2.1. Устройства синхронизации с добавлением и вычитанием импульсов. 12
2.2. Параметры системы синхронизации с добавлением и вычитанием импульсов. 13
2.3. Расчет параметров системы синхронизации с добавлением и вычитанием импульсов. 15
Задача No 2 15
Задача No 3 17
Задача No 4
1000 руб.