«Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов»
-
Категории:
Электротехника, электроника и схемотехника, СибГУТИ, Работа Лабораторная
-
Добавлен:
21.05.2021
-
Размер:
179 KB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
Илья272
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Лаб1.doc
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых диодов, выполненных из различных материалов.
2.1.4 Влияние температуры на характеристики и параметры диодов.
2.1.5 Типы полупроводниковых диодов, особенности их устройства, работы и характеристики. Применение.
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых диодов, выполненных из различных материалов.
2.1.4 Влияние температуры на характеристики и параметры диодов.
2.1.5 Типы полупроводниковых диодов, особенности их устройства, работы и характеристики. Применение.
Дополнительная информация
2021 г, зачет Борисов А.В, стр 8
Похожие материалы
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
s0nnk
: 10 мая 2024
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
s0nnk
: 10 мая 2024
100 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
blur
: 31 августа 2023
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
blur
: 31 августа 2023
50 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
beke
: 7 ноября 2015
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
Рис.1 Схема прямого включения
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
Таблица 1.1а – диод Д7Ж
Uпр, В 0 0,295 0,345 0,381 0,406 0,427 0,447 0,462 0,472
Iпр, мА 0 1 2 3 4 5
beke
: 7 ноября 2015
185 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
ramzes14
: 6 ноября 2012
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Отчет по работе
2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении.
На графике 1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении. На схеме 1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов
ramzes14
: 6 ноября 2012
70 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
RomIN
: 1 июля 2010
Отчет по лабораторной работе №1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Ход выполнения работы
Работа выполнялась в лаборатории электронных средств обучения СибГУТИ при помощи удаленного доступа
Схема для снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 с приложенным напряжением в прямом
напра
RomIN
: 1 июля 2010
50 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
DaemonMag
: 4 февраля 2010
Лабораторная работа №1 Физические основы электроники СибГУТИ 2 семестр
Для данной работу задание одно, вариант не выбирается
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
DaemonMag
: 4 февраля 2010
30 руб.
Вариант №3. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
MK
: 30 сентября 2016
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковы
MK
: 30 сентября 2016
152 руб.
Вариант №4 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
MK
: 27 июня 2016
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Отчет по работе
2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении.
На графике 1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении. На схеме 1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении.
MK
: 27 июня 2016
174 руб.
Другие работы
Контрольная работа по дисциплине: «Методы и средства измерения в телекоммуникационных системах.вариант1
vovanik
: 18 мая 2014
Задание:
При анализе цифровой системы передачи со скоростью В было получено в течение времени ТNош ошибок. По результатам анализа вычислить следующие статистические параметры:
• оценку коэффициента ошибок Кош;
• среднее квадратическое значение s (У абсолютной погрешности оценки коэффициента ошибок Кош
• относительное значение погрешности d и при заданной доверительной вероятности Рдов = 0,95 и коэффициенте Стьюдента tр = 1,2;
• число ошибок Nош, которое должно быть сосчитано в процессе измерен
vovanik
: 18 мая 2014
70 руб.
ИГ.05.26.04 - Рычаг. Ломаный разрез Вариант 26
Чертежи СибГУ, СФУ
: 20 сентября 2022
Выполнено в программе КОМПАС 3D v20.
В состав работы входят 3 файла:
- 3D модель данной детали (*.m3d);
- чертеж (*.cdw);
- чертеж (*.png).
Задание:
1. Выполнить указанный ломаный разрез.
2. Нанести размеры.
Чертежи СибГУ, СФУ
: 20 сентября 2022
75 руб.
Цифровая экономика.Итоговый тест Синергия/МТИ 2023г
annaserg
: 14 августа 2024
Сдано в 2023году.Верно 25 из 30.Скриншот с отметкой прилагается к работе
После покупки Вы получите файл с ответами на вопросы которые указаны ниже:
1 Существуют такие виды облаков, как … облако (укажите 3 варианта ответа)
2 Установите соответствие между группами методов и их примерами:
3 Программисты … (укажите 3 варианта ответа)
4 Тестировщики … (укажите 3 варианта ответа)
5 Руководитель проекта … (укажите 2 варианта ответа)
6 Установите соответствие между интернет-сервисами
annaserg
: 14 августа 2024
199 руб.
Аналіз банківської діяльності
Lokard
: 5 апреля 2013
Предмет і метод аналізу.
Обєкти і субєкти аналізу.
Інформаційне забезпечення аналізу.
Мета аналізу.
Основні принципи аналізу.
Види аналізу.
Прийоми і методи аналізу.
Аналіз тенденцій складу структури і динаміки доходних активів.
Тип робочих активів.
Тип недоходних активів.
Аналіз якості активів.
Аналіз високоліквідних активів.
Аналіз якості кредитного портфеля.
Аналіз забезпечення позик.
Аналіз погашення наданих кредитів.
Аналіз і оцінка ризику та формування резерву.
Аналіз портфелю цінних папер
Lokard
: 5 апреля 2013
5 руб.
