«Исследование статических характеристик биполярного транзистора»
-
Категории:
Электротехника, электроника и схемотехника, СибГУТИ, Работа Лабораторная
-
Добавлен:
21.05.2021
-
Размер:
470 KB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
Илья272
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Лаб2.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Устройство БТ, схемы включения (ОБ, ОЭ и ОК), режимы работы ( с точки зрения состояния переходов).
2.1.2 Потенциальные диаграммы для различных структур БТ в активном режиме работы.
2.1.3 Принцип действия БТ и основные физические процессы в нем.
2.1.4 Статический коэффициент передачи тока и уравнения коллекторного тока для всех схем включения.
2.1.5 Статические характеристики транзистора в схемах включения ОБ и ОЭ.
2.1.6 Предельные параметры режима работы БТ. Рабочая область характеристик.
2.1.7 Влияние температуры на работу БТ, его характеристики в схеме ОБ и ОЭ и предельные параметры.
2.1.8 Дифференциальные параметры БТ.
2.1.9 Усилитель на БТ.
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Устройство БТ, схемы включения (ОБ, ОЭ и ОК), режимы работы ( с точки зрения состояния переходов).
2.1.2 Потенциальные диаграммы для различных структур БТ в активном режиме работы.
2.1.3 Принцип действия БТ и основные физические процессы в нем.
2.1.4 Статический коэффициент передачи тока и уравнения коллекторного тока для всех схем включения.
2.1.5 Статические характеристики транзистора в схемах включения ОБ и ОЭ.
2.1.6 Предельные параметры режима работы БТ. Рабочая область характеристик.
2.1.7 Влияние температуры на работу БТ, его характеристики в схеме ОБ и ОЭ и предельные параметры.
2.1.8 Дифференциальные параметры БТ.
2.1.9 Усилитель на БТ.
Дополнительная информация
2021 г., зачет Борисов А.В, стр. 7
Похожие материалы
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
blur
: 31 августа 2023
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Устройство БТ, схемы включения (ОБ, ОЭ и ОК), режимы работы (с точки зрения состояния переходов).
2.1.2 Потенциальные диаграммы для различных структур БТ в активном режиме работы.
2.1.3 Принцип действия БТ и основные физические процессы
blur
: 31 августа 2023
50 руб.
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
blur
: 31 августа 2023
1 . Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
2. Подготовка к работе
2.1.1. Устройство, назначение, принцип действия ПТ различных структур. 2.1.2. Схемы включения ПТ.
2.1.3. Статические характеристики.
2.1.4. Дифференциальные параметры ПТ и их определение по характеристикам.
blur
: 31 августа 2023
50 руб.
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
ramzes14
: 6 ноября 2012
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
2. Отчет о работе
2.1. Исследовать БТ для схемы с ОБ.
Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рис. 2.1.
2.1.1. Снять две входные характеристики транзистора
ramzes14
: 6 ноября 2012
70 руб.
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
JuliaRass
: 23 января 2011
Билет № 10
1. Высокочастотные диоды. Особенности конструкции. ВАХ.
Основные параметры.
2. Определение H - параметров по характеристикам БТ.
Биполярный транзистор в схемотехнических приложениях представляют как четырехполюсник и рассчитывают его параметры для такой схемы. Для транзистора как четырехполюсника характерны два значения тока I1 и I2 и два значения напряжения U1 и U2 (рис. 7).
JuliaRass
: 23 января 2011
150 руб.
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
DaemonMag
: 4 февраля 2010
Лабораторная работа №2 Физические основы электроники СибГУТИ 2 семестр
Для данной работу задание одно, вариант не выбирается
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
DaemonMag
: 4 февраля 2010
30 руб.
Вариант №3. исследование статических характеристик биполярного транзистора
MK
: 3 октября 2016
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Отчет о работе
2.1. Исследовать БТ для схемы с ОБ.
Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рис. 2.1.
2.1.1. Снять две входные характеристики транзистора IЭ = f(UЭБ) при UКБ = 0 UКБ = 8В (график 1). Результаты измерений з
MK
: 3 октября 2016
152 руб.
Вариант №4. исследование статических характеристик биполярного транзистора
MK
: 14 сентября 2016
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Отчет о работе
2.1. Исследовать БТ для схемы с ОБ.
Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рис. 2.1.
2.1.1. Снять две входные характеристики транзистора IЭ = f(UЭБ) при UКБ = 0 UКБ = 8В (график 1). Результаты измерений за
MK
: 14 сентября 2016
172 руб.
Физические основы электроники " Исследование статических характеристик биполярного транзистора"
Антон28
: 8 августа 2025
Физические основы электроники " Исследование статических характеристик биполярного транзистора"
Антон28
: 8 августа 2025
1500 руб.
Другие работы
Контрольная работа ФИНАНСОВАЯ МАТЕМАТИКА ВАРИАНТ 3 СИБИТ 2018
Света5
: 10 августа 2018
Вариант 3
1. Депозит рассчитывается по схеме сложных процентов с годовой процентной
ставкой 10 %. За какое время первоначальная сумма увеличивается в 5 раз?
2. Определить более выгодный вариант вложения денежных средств в объеме 200
тыс. руб.:
а) сроком на 1 год, получая доход в виде простой процентной ставки 10 % годовых;
б) по сложной ставке 8 % с поквартальной капитализацией.
3. Вексель на сумму 500 000 руб. выдан на 100 дней с начислением по нему процентов
по ставке 20 % годовых при германск
Света5
: 10 августа 2018
350 руб.
Природные ресурсы и условия на территории Республики Татарстан
alfFRED
: 24 сентября 2013
СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
1. ПРИРОДНЫЕ БОГАТСТВА РЕСПУБЛИКИ ТАТАРСТАН
1.1. Нефтяные ресурсы и их состояние
1.2. Водные ресурсы и их состояние
1.3. Лесные ресурсы и их состояние
2. ПРОБЛЕМЫ И ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗРЕШЕНИЯ
МИНЕРАЛЬНО-СЫРЬЕВОЙ БАЗЫ
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ
ВВЕДЕНИЕ
Природа Татарстана – удивительна и разнообразна. В ландшафте ее прекрасно сочетаются богатырские дубравы и сосновые рощи, поля и луга и многоводные реки. Также она богата различными природными ресурса
alfFRED
: 24 сентября 2013
5 руб.
Линии чертежа. Вариант 4 ЧЕРТЕЖ
coolns
: 15 октября 2026
Линии чертежа. Вариант 4 ЧЕРТЕЖ
ЛИСТ 1-1 «Линии чертежа»
Содержание листа
На листе чертежной бумаги формата А4 вычертить линии, окружности, технические детали.
Нанести штриховку на изображение деталей.
Примечание. Размеры на чертеж не наносить.
Чертеж выполнен на формате А4 + pdf (все на скриншотах показано и присутствует в архиве) выполнены в КОМПАС 3D.
Также открывать и просматривать, печатать чертежи и 3D-модели, выполненные в КОМПАСЕ можно просмоторщиком КОМПАС-3D View
coolns
: 15 октября 2026
100 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине: «Основы администрирования сетевых устройств». Тема: «Администрирование простейшей сети». Вариант 03 + СХЕМА (2023)
LiVolk
: 29 мая 2023
1. Введение
Данная лабораторная работа предназначена для получения
практических навыков работы с сетевым и оконечным оборудованием компьютерных сетей. Целью работы является построение простейшей сети с использованием коммутационного оборудование, а также моделирование
процесса передачи данных между оконечными устройствами.
3. Основы моделирования компьютерных сетей
3.1 Изучение среды моделирования Cisco Packet Tracer Student
Цель работы:
Получить базовые навыки создания моделей компьютерных сет
LiVolk
: 29 мая 2023
150 руб.
