«Исследование статических характеристик биполярного транзистора»
-
Категории:
Электротехника, электроника и схемотехника, СибГУТИ, Работа Лабораторная
-
Добавлен:
21.05.2021
-
Размер:
470 KB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
Илья272
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Лаб2.doc
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Устройство БТ, схемы включения (ОБ, ОЭ и ОК), режимы работы ( с точки зрения состояния переходов).
2.1.2 Потенциальные диаграммы для различных структур БТ в активном режиме работы.
2.1.3 Принцип действия БТ и основные физические процессы в нем.
2.1.4 Статический коэффициент передачи тока и уравнения коллекторного тока для всех схем включения.
2.1.5 Статические характеристики транзистора в схемах включения ОБ и ОЭ.
2.1.6 Предельные параметры режима работы БТ. Рабочая область характеристик.
2.1.7 Влияние температуры на работу БТ, его характеристики в схеме ОБ и ОЭ и предельные параметры.
2.1.8 Дифференциальные параметры БТ.
2.1.9 Усилитель на БТ.
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Устройство БТ, схемы включения (ОБ, ОЭ и ОК), режимы работы ( с точки зрения состояния переходов).
2.1.2 Потенциальные диаграммы для различных структур БТ в активном режиме работы.
2.1.3 Принцип действия БТ и основные физические процессы в нем.
2.1.4 Статический коэффициент передачи тока и уравнения коллекторного тока для всех схем включения.
2.1.5 Статические характеристики транзистора в схемах включения ОБ и ОЭ.
2.1.6 Предельные параметры режима работы БТ. Рабочая область характеристик.
2.1.7 Влияние температуры на работу БТ, его характеристики в схеме ОБ и ОЭ и предельные параметры.
2.1.8 Дифференциальные параметры БТ.
2.1.9 Усилитель на БТ.
Дополнительная информация
2021 г., зачет Борисов А.В, стр. 7
Похожие материалы
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
blur
: 31 августа 2023
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Устройство БТ, схемы включения (ОБ, ОЭ и ОК), режимы работы (с точки зрения состояния переходов).
2.1.2 Потенциальные диаграммы для различных структур БТ в активном режиме работы.
2.1.3 Принцип действия БТ и основные физические процессы
blur
: 31 августа 2023
50 руб.
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
blur
: 31 августа 2023
1 . Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
2. Подготовка к работе
2.1.1. Устройство, назначение, принцип действия ПТ различных структур. 2.1.2. Схемы включения ПТ.
2.1.3. Статические характеристики.
2.1.4. Дифференциальные параметры ПТ и их определение по характеристикам.
blur
: 31 августа 2023
50 руб.
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
ramzes14
: 6 ноября 2012
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
2. Отчет о работе
2.1. Исследовать БТ для схемы с ОБ.
Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рис. 2.1.
2.1.1. Снять две входные характеристики транзистора
ramzes14
: 6 ноября 2012
70 руб.
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
JuliaRass
: 23 января 2011
Билет № 10
1. Высокочастотные диоды. Особенности конструкции. ВАХ.
Основные параметры.
2. Определение H - параметров по характеристикам БТ.
Биполярный транзистор в схемотехнических приложениях представляют как четырехполюсник и рассчитывают его параметры для такой схемы. Для транзистора как четырехполюсника характерны два значения тока I1 и I2 и два значения напряжения U1 и U2 (рис. 7).
JuliaRass
: 23 января 2011
150 руб.
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
DaemonMag
: 4 февраля 2010
Лабораторная работа №2 Физические основы электроники СибГУТИ 2 семестр
Для данной работу задание одно, вариант не выбирается
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
DaemonMag
: 4 февраля 2010
30 руб.
Вариант №3. исследование статических характеристик биполярного транзистора
MK
: 3 октября 2016
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Отчет о работе
2.1. Исследовать БТ для схемы с ОБ.
Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рис. 2.1.
2.1.1. Снять две входные характеристики транзистора IЭ = f(UЭБ) при UКБ = 0 UКБ = 8В (график 1). Результаты измерений з
MK
: 3 октября 2016
152 руб.
Вариант №4. исследование статических характеристик биполярного транзистора
MK
: 14 сентября 2016
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Отчет о работе
2.1. Исследовать БТ для схемы с ОБ.
Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рис. 2.1.
2.1.1. Снять две входные характеристики транзистора IЭ = f(UЭБ) при UКБ = 0 UКБ = 8В (график 1). Результаты измерений за
MK
: 14 сентября 2016
172 руб.
Физические основы электроники " Исследование статических характеристик биполярного транзистора"
Антон28
: 8 августа 2025
Физические основы электроники " Исследование статических характеристик биполярного транзистора"
Антон28
: 8 августа 2025
1500 руб.
Другие работы
Семинар: Сетевая организация и интернет-коммуникация. Кастельс М. Сетевое предприятие: культура, институты и организации информациональной экономики
Aronitue9
: 20 августа 2012
Как и все исторически отчетливые формы производства, информациональная экономика характеризуется своей специфической культурой и институтами. Однако в наших аналитических рамках культуру не следует рассматривать как совокупность ценностей и верований, связанных с конкретным обществом. Развитие глобальной информациональной экономики характерно как раз тем, что она возникает в разных культурных/национальных контекстах - в Северной Америке, Западной Европе, Японии, в странах "китайского круга", Рос
Aronitue9
: 20 августа 2012
5 руб.
Контрольная по дисциплине: Компьютерная графика. Вариант 4
xtrail
: 14 августа 2024
Контрольная работа - задание № 1
ЗАДАНИЕ:
1.1 Сохранить и прислать получившиеся изображения в результате выполнения работы.
1.2 Нарисовать рисунок
1.3 Раскрасить фотографию
РИСОВАНИЕ В PHOTOSHOP
2 Замена определенного цвета в изображении
3 Рисование и стирание линий
4 Изменение параметров кисти
5 Создание кисти произвольной формы
6 Заливка области изображения инструментом Paint Bucket (Заливка)
7 Применение градиента
8 Создание нового градиента с помощью окна Gradient Editor (Редактор градиен
xtrail
: 14 августа 2024
400 руб.
Основы системного программирования. Зачет. Билет № 7
sunny2212
: 4 апреля 2016
1. Дан фрагмент программы на ассемблере :
push BX
push CX
push DX
push AX
mov AX,3508h
add BX,AX
pop AX
pop DX
mov AX,CX
shl BX,1
not AX
В каждом задании даны начальные значения регистров AX,BX,CX,DX. Определить значения этих регистров после выполнения данного фрагмента.
AX=0AAAh, BX=3DEFh, CX=6109h, DX=0C0Ch
2. Дан фрагмент программы на ассемблере :
push AX
shr BX,1
add CX,BX
not CX
kjl: add BX,3
loop kjl
or AX, DX
В каждом задании даны начальные значения регистров AX,BX,CX,DX. Определить знач
sunny2212
: 4 апреля 2016
250 руб.
Менеджмент промышленного производства. 5-й вариант
zar212
: 15 октября 2013
Технологический процесс изготовления направляющей оси контроллера состоит из семи операций (таблица 1). Необходимо изготовить партию этих изделий из 50-ти штук, используя параллельно-последовательный вид движения. Детали от операции к операции подаются поштучно. Каждая операция выполняется на одном рабочем месте.
Определить длительность операционного цикла изготовления партии деталей и проанализировать ее в следующих случаях (каждая ситуация рассматривается независимо от предыдущей):
а
zar212
: 15 октября 2013
170 руб.
