Лабораторная работа №№1-3 по дисциплине:Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №4

Лабораторная работа №1

ИССЛЕДОВАНИЕ ВАХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ
1 Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы

Тема: Исследование полупроводниковых устройств


1.1 Характеристики диода
В соответствии с вариантом требуется исследовать диод
Zetex BAS19.


Цель работы: 1. Изучить характерные свойства электронно-дырочного перехода, определяющие характеристики выпрямительного диода и стабилитрона (лекция №2).
2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а также по обработке и оформлению полученных результатов.

Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная подготовка, состоящая в следующем:
1. Изучение темы и цели лабораторной работы.
2. При изучении теоретического материала в объеме материала лекций и теоретического введения обратить внимание на следующие основные вопросы:
- физические процессы, определяющие одностороннюю проводимость электронно-дырочного перехода;
- энергетическую диаграмму р-n перехода;
- типы пробоя электронно-дырочного перехода и его вольтамперная характеристика (ВАХ);
- основные параметры, характеризующие выпрямительные диоды и стабилитроны.
3. Оформление заготовки для отчета (см. раздел 6).
4. Выполнение указаний разделов 4 и 5.

1.1 Характеристики диода
В соответствии с вариантом требуется исследовать диод
Zetex BAS19.

Лабораторная работа №2

ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ


В соответствии с вариантом требуется исследовать транзистор Motorola BF245C.


1 Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы

Тема: Исследование характеристик полевых транзисторов

Цель работы: Изучить статические ВАХ и другие определяющие характеристики полевых транзисторов (лекция 3)

Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная подготовка, состоящая в следующем:
1. Изучение темы и цели лабораторной работы.
2. При изучении теоретического материала в объеме материала лекций и теоретического введения обратить внимание на следующие основные вопросы:
- достоинства и недостатки полевых транзисторов;
- применение полевых транзисторов в элементарных схемах.



Лабораторная работа №3
ИССЛЕДОВАНИЕ КЛЮЧЕВЫХ СХЕМ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ



Тема и цель работы
Тема: Изучение ключевых схем на биполярных транзисторах
Цель работы: 1. Изучить основные принципы работы ключевых схем
2. Приобрести начальные навыки расчёта параметров элементов некоторых ключевых схем.

1 Расчетная часть
1.1 Расчет транзисторного ключа на n-p-n транзисторе
Параметры транзисторного ключа на n-p-n транзисторе представлены в таблице 1.1.
В соответствии с исходными данными выбираем транзистор КТ3102А.

Оценка: зачет
Дата оценки: 18.11.2021

Помогу с вашим вариантом, другой работой, дисциплиной или онлайн-тестом.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru