Лабораторные работы №№1-3 по дисциплине:Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №1

Лабораторная работа No1
Тема: Исследование полупроводниковых устройств

Цель работы:
1. Изучить характерные свойства электронно-дырочного перехода, определяющие характеристики выпрямительного диода и стабилитрона (лекция No2).
2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а также по обработке и оформлению полученных результатов.

Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная подготовка, состоящая в следующем:
1. Изучение темы и цели лабораторной работы.
2. При изучении теоретического материала в объеме материала лекций и теоретического введения обратить внимание на следующие основные вопросы:
- физические процессы, определяющие одностороннюю проводимость электронно-дырочного перехода;
- энергетическую диаграмму р-n перехода;
- типы пробоя электронно-дырочного перехода и его вольтамперная характеристика (ВАХ);
- основные параметры, характеризующие выпрямительные диоды и стабилитроны.
3. Оформление заготовки для отчета (см. раздел 6).
4. Выполнение указаний разделов 4 и 5.

Таблица 1.1 – Характеристики диода
Параметр Единицы измерения Значение Тип диода
предельно-допустимый постоянный прямой ток I_прmax А 0,2 

Zelex BAV70
предельно-допустимое обратное напряжение U_обрmax. В 75




Лабораторная работа No2
Тема: Исследование характеристик полевых транзисторов
Цель работы: Изучить статические ВАХ и другие определяющие характеристики полевых транзисторов (лекция 3)
Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная подготовка, состоящая в следующем:
1. Изучение темы и цели лабораторной работы.
2. При изучении теоретического материала в объеме материала лекций и теоретического введения обратить внимание на следующие основные вопросы:
- достоинства и недостатки полевых транзисторов;
- применение полевых транзисторов в элементарных схемах.


Таблица 1.1 – Характеристики транзистора с управляющим p-n переходом
Марка транзистора (тип канала) 
Motorola BF244B
Параметры  I_cmax U_cиmax U_зиmax U_(зи отс) U_зи" пор"
Ед.изм. mA B B B B
Количественные значения 50 30 -30 -0,5 - -8 -1,6 - -3,8

Лабораторная работа No3
Тема: Изучение ключевых схем на биполярных транзисторах

Цель работы:
1. Изучить основные принципы работы ключевых схем (лекции 4 и 6).
2. Приобрести начальные навыки расчёта параметров элементов некоторых ключевых схем.
Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная подготовка, состоящая в следующем:
1. Изучение темы и цели лабораторной работы.
2. Изучить теоретический материал в объеме материала лекций и теоретического введения.
3. Требования к оформлению отчета (см. раздел 6).


IКОМ = 0,06А
Е2 = 23В
E1MAX =4,2В
Так как в условии больше ни чего не оговорено, то выбираю мне понравившийся и в программе Electronics Workbench нет транзисторов на КТ....., то мой выбор: 2N5551

Оценка: Зачет
Дата оценки: 01.12.2021

Помогу с вашим вариантом, другой работой, дисциплиной или онлайн-тестом.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru