Лабораторная работа №2 по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №06
-
Категории:
ДО СИБГУТИ, Работа Лабораторная, Физические основы электроники
-
Добавлен:
09.12.2021
-
Размер:
3 MB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
Alexbur1971
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
|
ЛР2.docx
|
ЛР2.pdf
|
Формулы.txt
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
- Adobe Acrobat Reader
- Программа для просмотра текстовых файлов
Описание
Лабораторная работа 2
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Работа выполняется в лаборатории с удаленным доступом.
1 Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
2 Подготовка к работе
3 Схемы исследования
Cхема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рисунке 2.1. Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n при исследовании с ОЭ приведены на рисунке 2.2. Схема исследования усилителя на БТ приведена на рисунке 2.3.
4 Порядок проведения лабораторной работы
4.1 Исследовать БТ для схемы с ОБ.
Для этого выбрать «Лабораторная работа №2». Затем «Схема с ОБ - входные характеристики» и «Начать эксперимент». Снять две входные характеристики транзистора Iэ= f(Uэб) при Uкб=0 и Uкб=8 В.
4.2 Исследовать БТ для схемы с ОЭ. Снять две входные характеристики Iб=f(Uбэ).
Для этого выбрать «Лабораторная работа №2». Затем «Схема с ОЭ - входные характеристики» и «Начать эксперимент».
Одну характеристику нужно снять при Uкэ=0, вторую при Uкэ=8 В. Результаты измерений занести в таблицу 2.3.
4.4 Снять семейство из 6 выходных характеристик Iк=f(Uкэ) при токах базы, указанных в таблице 2.4, включая Iб=0. Особое внимание обратить на участок характеристик в режиме насыщения, т.е. Uкэ=0 - 1 В. При измерении важно не привысить мощность рассеивания на коллекторе (Uкэ•Iк=Рк меньше Рк max=150 мВт). Результаты измерений заносятся в таблицу 2.4.
4.5 Исследовать работу усилителя. В исходном состоянии схемы транзистор работает в активном режиме (на выходе отсутствуют нелинейные искажения сигнала).
Получить осциллограммы сигналов на входе и выходе усилителя для трех случаев:
1. рабочая точка находится посредине рабочего участка;
2. рабочая точка находится вблизи режима отсечки;
3. рабочая точка находится вблизи режима насыщения.
Режим работы транзистора определяется уровнем напряжения источника смещения Есм.
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Работа выполняется в лаборатории с удаленным доступом.
1 Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
2 Подготовка к работе
3 Схемы исследования
Cхема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рисунке 2.1. Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n при исследовании с ОЭ приведены на рисунке 2.2. Схема исследования усилителя на БТ приведена на рисунке 2.3.
4 Порядок проведения лабораторной работы
4.1 Исследовать БТ для схемы с ОБ.
Для этого выбрать «Лабораторная работа №2». Затем «Схема с ОБ - входные характеристики» и «Начать эксперимент». Снять две входные характеристики транзистора Iэ= f(Uэб) при Uкб=0 и Uкб=8 В.
4.2 Исследовать БТ для схемы с ОЭ. Снять две входные характеристики Iб=f(Uбэ).
Для этого выбрать «Лабораторная работа №2». Затем «Схема с ОЭ - входные характеристики» и «Начать эксперимент».
Одну характеристику нужно снять при Uкэ=0, вторую при Uкэ=8 В. Результаты измерений занести в таблицу 2.3.
4.4 Снять семейство из 6 выходных характеристик Iк=f(Uкэ) при токах базы, указанных в таблице 2.4, включая Iб=0. Особое внимание обратить на участок характеристик в режиме насыщения, т.е. Uкэ=0 - 1 В. При измерении важно не привысить мощность рассеивания на коллекторе (Uкэ•Iк=Рк меньше Рк max=150 мВт). Результаты измерений заносятся в таблицу 2.4.
4.5 Исследовать работу усилителя. В исходном состоянии схемы транзистор работает в активном режиме (на выходе отсутствуют нелинейные искажения сигнала).
Получить осциллограммы сигналов на входе и выходе усилителя для трех случаев:
1. рабочая точка находится посредине рабочего участка;
2. рабочая точка находится вблизи режима отсечки;
3. рабочая точка находится вблизи режима насыщения.
Режим работы транзистора определяется уровнем напряжения источника смещения Есм.
Дополнительная информация
Уважаемый студент дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа
Оценка: Зачет
Дата оценки: 05.09.2020
Рецензия: .......
Савиных В. Л.
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа
Оценка: Зачет
Дата оценки: 05.09.2020
Рецензия: .......
Савиных В. Л.
Похожие материалы
Физические основы электроники. Вариант №06
Alexbur1971
: 9 декабря 2021
“Физические основы электроники”
Содержание задач контрольной работы
Задача 1:
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определи
Alexbur1971
: 9 декабря 2021
250 руб.
Лабораторная работа №2 по дисциплине: "Физические основы электроники"
wowan1190
: 3 декабря 2013
Тема: " Исследование статических характеристик биполярного транзистора "
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
2. Отчет о работе
2.1 Исследовать БТ для схемы с ОБ.
Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рисунке 2.1.
2.1.1Снять две входные характеристики тра
wowan1190
: 3 декабря 2013
70 руб.
Лабораторная работа №2 По дисциплине: Физические основы электроники
4eJIuk
: 11 апреля 2011
Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Ход выполнения работы
В ходе проведенной работы мною изучены схемы для получения вольтамперных характеристик биполярного транзистора, на экспериментальной установке получены осциллограммы этих характеристик, построены соответствующие графики. Виды полученных характеристик соответствуют данным, приведенным
4eJIuk
: 11 апреля 2011
70 руб.
Лабораторные работы №№1-2-3 по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №06
Alexbur1971
: 9 декабря 2021
Лабораторная работа 1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Работа выполняется в лаборатории с удаленным доступом.
1 Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2 Подготовка к работе
3 Схемы исследования
На рисунке 1.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении. При измерении обратного тока (рисунок
Alexbur1971
: 9 декабря 2021
250 руб.
Лабораторная работа №2 по дисциплине: Физические основы электроники, вариант 6
Александр410
: 4 мая 2019
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Александр410
: 4 мая 2019
180 руб.
Лабораторная работа №2. По дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №12
Колька
: 1 марта 2017
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
Цель работы:
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
1. Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных характеристик с ОБ приведена на рисунках *-*.
2. Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования выходных характеристик с ОБ
Колька
: 1 марта 2017
50 руб.
Лабораторная работа № 2 по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант № 5
sec1or
: 15 мая 2012
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Выводы по работе
В ходе проведенной работы мною изучены схемы для получения вольтамперных характеристик биполярного транзистора, на экспериментальной установке получены осциллограммы этих характеристик, построены соответствующие графики. Виды полученных характеристик соответствуют данным, приведенным в с
sec1or
: 15 мая 2012
200 руб.
Лабораторные работы № № 1-2 по дисциплине: Физические основы электроники
JuliaRass
: 23 января 2013
Лаб. работа №1.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включен
JuliaRass
: 23 января 2013
150 руб.
Другие работы
Теплотехника ЮУрГАУ 2017 Задача 4 Вариант 12
Z24
: 4 декабря 2025
Цикл воздушно-компрессорной холодильной установки
Исходные параметры воздуха установки принять по таблице 1.
1 Вычертить принципиальную схему воздушно-компрессорной установки, обозначить позициями ее основные элементы и записать их наименование.
2 Рассчитать идеальной цикл воздушно-компрессорной холодильной установки.
1 Определить неизвестные параметры в узловых точках цикла.
2.2 Определить изменение удельной энтропии Δs, кДж/(кг•К).
2.3 Определить удельную тепловую мощность теплообменника
Z24
: 4 декабря 2025
300 руб.
Выявление взаимосвязи доминирующего стиля управления и социально-психологического климата коллектива
alfFRED
: 15 октября 2013
Введение………………………………………………………………….. 3
Глава 1. Теоретическая часть…………………………………………… 6
1.1. Стиль управления в отечественных исследованиях……….. 6
1.2. Стиль управления в зарубежных исследованиях…………... 11
1.3. Социально-психологический климат как объект изучения психологии……………………………………………………………….. 18
Глава 2. Эмпирическое исследование изучения взаимосвязи доминирующего стиля управления и социально-психологического климата коллектива……………………………………………………… 24
2.1. Описание процедуры и методик
alfFRED
: 15 октября 2013
10 руб.
Гидравлика и гидравлические машины 2009 ДВГУПС Задача 1.2.10 Вариант 3
Z24
: 25 октября 2025
Вертикальный цилиндрический резервуар для хранения нефтепродуктов диаметром D закрыт полусферической крышкой весом G и сообщается с атмосферой через трубу диаметром d (рис. 1.7). Плотность нефтепродуктов ρ, свободная поверхность размещается на высоте H от плоскости разъема. Определить количество болтов, крепящих крышку к резервуару, если один болт воспринимает усилие F.
Z24
: 25 октября 2025
150 руб.
Построение дома качества для производства мясных снэков (деликатесной мясной продукции)
evelin
: 10 августа 2015
Содержит описание технологии производства сыровяленной мясной продукции + методику построение дома качества по QFD-методологии, а также в работе кратко рассматриваются другие методики повышения уровня качества вырабатываемой продукции. На примере мясных снэков в работе разработан дом качества и сделаны соответствующие выводы, на основании построенной модели.
evelin
: 10 августа 2015
35 руб.
