Лабораторная работа №2 по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №06
-
Категории:
ДО СИБГУТИ, Работа Лабораторная, Физические основы электроники
-
Добавлен:
09.12.2021
-
Размер:
3 MB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
Alexbur1971
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
|
ЛР2.docx
|
ЛР2.pdf
|
Формулы.txt
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
- Adobe Acrobat Reader
- Программа для просмотра текстовых файлов
Описание
Лабораторная работа 2
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Работа выполняется в лаборатории с удаленным доступом.
1 Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
2 Подготовка к работе
3 Схемы исследования
Cхема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рисунке 2.1. Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n при исследовании с ОЭ приведены на рисунке 2.2. Схема исследования усилителя на БТ приведена на рисунке 2.3.
4 Порядок проведения лабораторной работы
4.1 Исследовать БТ для схемы с ОБ.
Для этого выбрать «Лабораторная работа №2». Затем «Схема с ОБ - входные характеристики» и «Начать эксперимент». Снять две входные характеристики транзистора Iэ= f(Uэб) при Uкб=0 и Uкб=8 В.
4.2 Исследовать БТ для схемы с ОЭ. Снять две входные характеристики Iб=f(Uбэ).
Для этого выбрать «Лабораторная работа №2». Затем «Схема с ОЭ - входные характеристики» и «Начать эксперимент».
Одну характеристику нужно снять при Uкэ=0, вторую при Uкэ=8 В. Результаты измерений занести в таблицу 2.3.
4.4 Снять семейство из 6 выходных характеристик Iк=f(Uкэ) при токах базы, указанных в таблице 2.4, включая Iб=0. Особое внимание обратить на участок характеристик в режиме насыщения, т.е. Uкэ=0 - 1 В. При измерении важно не привысить мощность рассеивания на коллекторе (Uкэ•Iк=Рк меньше Рк max=150 мВт). Результаты измерений заносятся в таблицу 2.4.
4.5 Исследовать работу усилителя. В исходном состоянии схемы транзистор работает в активном режиме (на выходе отсутствуют нелинейные искажения сигнала).
Получить осциллограммы сигналов на входе и выходе усилителя для трех случаев:
1. рабочая точка находится посредине рабочего участка;
2. рабочая точка находится вблизи режима отсечки;
3. рабочая точка находится вблизи режима насыщения.
Режим работы транзистора определяется уровнем напряжения источника смещения Есм.
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Работа выполняется в лаборатории с удаленным доступом.
1 Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
2 Подготовка к работе
3 Схемы исследования
Cхема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рисунке 2.1. Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n при исследовании с ОЭ приведены на рисунке 2.2. Схема исследования усилителя на БТ приведена на рисунке 2.3.
4 Порядок проведения лабораторной работы
4.1 Исследовать БТ для схемы с ОБ.
Для этого выбрать «Лабораторная работа №2». Затем «Схема с ОБ - входные характеристики» и «Начать эксперимент». Снять две входные характеристики транзистора Iэ= f(Uэб) при Uкб=0 и Uкб=8 В.
4.2 Исследовать БТ для схемы с ОЭ. Снять две входные характеристики Iб=f(Uбэ).
Для этого выбрать «Лабораторная работа №2». Затем «Схема с ОЭ - входные характеристики» и «Начать эксперимент».
Одну характеристику нужно снять при Uкэ=0, вторую при Uкэ=8 В. Результаты измерений занести в таблицу 2.3.
4.4 Снять семейство из 6 выходных характеристик Iк=f(Uкэ) при токах базы, указанных в таблице 2.4, включая Iб=0. Особое внимание обратить на участок характеристик в режиме насыщения, т.е. Uкэ=0 - 1 В. При измерении важно не привысить мощность рассеивания на коллекторе (Uкэ•Iк=Рк меньше Рк max=150 мВт). Результаты измерений заносятся в таблицу 2.4.
4.5 Исследовать работу усилителя. В исходном состоянии схемы транзистор работает в активном режиме (на выходе отсутствуют нелинейные искажения сигнала).
Получить осциллограммы сигналов на входе и выходе усилителя для трех случаев:
1. рабочая точка находится посредине рабочего участка;
2. рабочая точка находится вблизи режима отсечки;
3. рабочая точка находится вблизи режима насыщения.
Режим работы транзистора определяется уровнем напряжения источника смещения Есм.
Дополнительная информация
Уважаемый студент дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа
Оценка: Зачет
Дата оценки: 05.09.2020
Рецензия: .......
Савиных В. Л.
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа
Оценка: Зачет
Дата оценки: 05.09.2020
Рецензия: .......
Савиных В. Л.
Похожие материалы
Физические основы электроники. Вариант №06
Alexbur1971
: 9 декабря 2021
“Физические основы электроники”
Содержание задач контрольной работы
Задача 1:
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определи
Alexbur1971
: 9 декабря 2021
250 руб.
Лабораторная работа №2 по дисциплине: "Физические основы электроники"
wowan1190
: 3 декабря 2013
Тема: " Исследование статических характеристик биполярного транзистора "
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
2. Отчет о работе
2.1 Исследовать БТ для схемы с ОБ.
Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рисунке 2.1.
2.1.1Снять две входные характеристики тра
wowan1190
: 3 декабря 2013
70 руб.
Лабораторная работа №2 По дисциплине: Физические основы электроники
4eJIuk
: 11 апреля 2011
Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Ход выполнения работы
В ходе проведенной работы мною изучены схемы для получения вольтамперных характеристик биполярного транзистора, на экспериментальной установке получены осциллограммы этих характеристик, построены соответствующие графики. Виды полученных характеристик соответствуют данным, приведенным
4eJIuk
: 11 апреля 2011
70 руб.
Лабораторные работы №№1-2-3 по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №06
Alexbur1971
: 9 декабря 2021
Лабораторная работа 1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Работа выполняется в лаборатории с удаленным доступом.
1 Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2 Подготовка к работе
3 Схемы исследования
На рисунке 1.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении. При измерении обратного тока (рисунок
Alexbur1971
: 9 декабря 2021
250 руб.
Лабораторная работа №2 по дисциплине: Физические основы электроники, вариант 6
Александр410
: 4 мая 2019
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Александр410
: 4 мая 2019
180 руб.
Лабораторная работа №2. По дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №12
Колька
: 1 марта 2017
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
Цель работы:
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
1. Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных характеристик с ОБ приведена на рисунках *-*.
2. Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования выходных характеристик с ОБ
Колька
: 1 марта 2017
50 руб.
Лабораторная работа № 2 по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант № 5
sec1or
: 15 мая 2012
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Выводы по работе
В ходе проведенной работы мною изучены схемы для получения вольтамперных характеристик биполярного транзистора, на экспериментальной установке получены осциллограммы этих характеристик, построены соответствующие графики. Виды полученных характеристик соответствуют данным, приведенным в с
sec1or
: 15 мая 2012
200 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант 06
SibGOODy
: 20 июля 2018
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по
SibGOODy
: 20 июля 2018
600 руб.
Другие работы
Расчеты по теплообмену УрФУ Задача 1 Вариант 15
Z24
: 3 января 2026
Определить тепловой поток Q, проходящий через плоскую двухслойную стенку, имеющую поверхность F, а также найти температуру на границе слоев, если известно, что стенка состоит из слоя шамота толщиной S1 и слоя тепловой изоляции толщиной S2; коэффициенты теплопроводности слоев соответственно λ1 и λ2; температура внутренней поверхности стенки t1, температура наружной поверхности t3=80°С. Как изменится величина теплового потока, если слой тепловой изоляции будет убран, а температура на наружной пове
Z24
: 3 января 2026
200 руб.
Зачетная работа. Схемотехника телекоммуникационных устройств (часть 1-я). Билет № 6
nasiknice
: 2 декабря 2020
1. Коэффициенты усиления отдельных каскадов трехкаскадного усилителя равны K1=35 дБ, K2=27 дБ, K3=12 дБ. Определить, какое напряжение должно быть на входе усилителя, чтобы на выходе получить мощность 4 Вт на нагрузке 4 Ом.
2. Определить коэффициенты усиления по напряжению (К, К*), если Рн = 0,8 Вт, Rн = 20 Ом, КТ = 40 дБ, Rист = 1 кОм, Rвх = 2 кОм.
3. К чему приведет отсутствие емкости Сэ в схеме с эмиттерной стабилизации? Пояснить ответ.
4. Изобразите схему идеального инвертирующего усилителя
nasiknice
: 2 декабря 2020
450 руб.
Ролик поддерживающий - МЧ00.11.00.00 Деталирование
HelpStud
: 24 сентября 2025
Ролики устанавливают на листопрокатном стане по обе его стороны для поддержки прокатных листов при подаче и приеме их с валков. Ролик приводится в движение от электродвигателя. Опорами вала поз. 7 являются подшипники качения поз. 14. Подшипники смазываются густой смазкой, поступающей из масленок, запрессованных в отверстия крышек поз. 3. Корпуса поз. 1 роликов крепятся болтами к раме прокатного стана.
По заданию выполнено:
-3D модели всех деталей;
-3D сборка с разносом компонентов;
-Сбороч
HelpStud
: 24 сентября 2025
200 руб.
Гидромеханика в примерах и задачах УГГУ 2006 Задача 1.6.12
Z24
: 26 сентября 2025
В закрытом резервуаре А, заполненном маслом, давление на поверхности жидкости р0. На глубине h=0,6 м подключен U-образный ртутный манометр, показание которого hрт=40 мм, понижение уровня ртути в правом колене а=0,2 м. Определить давление р0 (в бар) на поверхности масла, а также высоту подъема воды (hв) в стеклянной трубке, опущенной в открытый резервуара В, заполненный водой (рис. 1.16).
Принять плотность масла ρмас=900 кг/м³; ртути ρрт=13,6·103 кг/м³.
Ответ: р0=рвак=0,124 бар, hв=1,264 м.
Z24
: 26 сентября 2025
150 руб.
