Лабораторная работа №2 по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №06
Состав работы
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
- Adobe Acrobat Reader
- Программа для просмотра текстовых файлов
Описание
Лабораторная работа 2
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Работа выполняется в лаборатории с удаленным доступом.
1 Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
2 Подготовка к работе
3 Схемы исследования
Cхема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рисунке 2.1. Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n при исследовании с ОЭ приведены на рисунке 2.2. Схема исследования усилителя на БТ приведена на рисунке 2.3.
4 Порядок проведения лабораторной работы
4.1 Исследовать БТ для схемы с ОБ.
Для этого выбрать «Лабораторная работа №2». Затем «Схема с ОБ - входные характеристики» и «Начать эксперимент». Снять две входные характеристики транзистора Iэ= f(Uэб) при Uкб=0 и Uкб=8 В.
4.2 Исследовать БТ для схемы с ОЭ. Снять две входные характеристики Iб=f(Uбэ).
Для этого выбрать «Лабораторная работа №2». Затем «Схема с ОЭ - входные характеристики» и «Начать эксперимент».
Одну характеристику нужно снять при Uкэ=0, вторую при Uкэ=8 В. Результаты измерений занести в таблицу 2.3.
4.4 Снять семейство из 6 выходных характеристик Iк=f(Uкэ) при токах базы, указанных в таблице 2.4, включая Iб=0. Особое внимание обратить на участок характеристик в режиме насыщения, т.е. Uкэ=0 - 1 В. При измерении важно не привысить мощность рассеивания на коллекторе (Uкэ•Iк=Рк меньше Рк max=150 мВт). Результаты измерений заносятся в таблицу 2.4.
4.5 Исследовать работу усилителя. В исходном состоянии схемы транзистор работает в активном режиме (на выходе отсутствуют нелинейные искажения сигнала).
Получить осциллограммы сигналов на входе и выходе усилителя для трех случаев:
1. рабочая точка находится посредине рабочего участка;
2. рабочая точка находится вблизи режима отсечки;
3. рабочая точка находится вблизи режима насыщения.
Режим работы транзистора определяется уровнем напряжения источника смещения Есм.
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Работа выполняется в лаборатории с удаленным доступом.
1 Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
2 Подготовка к работе
3 Схемы исследования
Cхема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рисунке 2.1. Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n при исследовании с ОЭ приведены на рисунке 2.2. Схема исследования усилителя на БТ приведена на рисунке 2.3.
4 Порядок проведения лабораторной работы
4.1 Исследовать БТ для схемы с ОБ.
Для этого выбрать «Лабораторная работа №2». Затем «Схема с ОБ - входные характеристики» и «Начать эксперимент». Снять две входные характеристики транзистора Iэ= f(Uэб) при Uкб=0 и Uкб=8 В.
4.2 Исследовать БТ для схемы с ОЭ. Снять две входные характеристики Iб=f(Uбэ).
Для этого выбрать «Лабораторная работа №2». Затем «Схема с ОЭ - входные характеристики» и «Начать эксперимент».
Одну характеристику нужно снять при Uкэ=0, вторую при Uкэ=8 В. Результаты измерений занести в таблицу 2.3.
4.4 Снять семейство из 6 выходных характеристик Iк=f(Uкэ) при токах базы, указанных в таблице 2.4, включая Iб=0. Особое внимание обратить на участок характеристик в режиме насыщения, т.е. Uкэ=0 - 1 В. При измерении важно не привысить мощность рассеивания на коллекторе (Uкэ•Iк=Рк меньше Рк max=150 мВт). Результаты измерений заносятся в таблицу 2.4.
4.5 Исследовать работу усилителя. В исходном состоянии схемы транзистор работает в активном режиме (на выходе отсутствуют нелинейные искажения сигнала).
Получить осциллограммы сигналов на входе и выходе усилителя для трех случаев:
1. рабочая точка находится посредине рабочего участка;
2. рабочая точка находится вблизи режима отсечки;
3. рабочая точка находится вблизи режима насыщения.
Режим работы транзистора определяется уровнем напряжения источника смещения Есм.
Дополнительная информация
Уважаемый студент дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа
Оценка: Зачет
Дата оценки: 05.09.2020
Рецензия: .......
Савиных В. Л.
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа
Оценка: Зачет
Дата оценки: 05.09.2020
Рецензия: .......
Савиных В. Л.
Похожие материалы
Физические основы электроники. Вариант №06
Alexbur1971
: 9 декабря 2021
“Физические основы электроники”
Содержание задач контрольной работы
Задача 1:
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определи
250 руб.
Лабораторная работа №2 по дисциплине: "Физические основы электроники"
wowan1190
: 3 декабря 2013
Тема: " Исследование статических характеристик биполярного транзистора "
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
2. Отчет о работе
2.1 Исследовать БТ для схемы с ОБ.
Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рисунке 2.1.
2.1.1Снять две входные характеристики тра
70 руб.
Лабораторная работа №2 По дисциплине: Физические основы электроники
4eJIuk
: 11 апреля 2011
Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Ход выполнения работы
В ходе проведенной работы мною изучены схемы для получения вольтамперных характеристик биполярного транзистора, на экспериментальной установке получены осциллограммы этих характеристик, построены соответствующие графики. Виды полученных характеристик соответствуют данным, приведенным
70 руб.
Лабораторные работы №№1-2-3 по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №06
Alexbur1971
: 9 декабря 2021
Лабораторная работа 1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Работа выполняется в лаборатории с удаленным доступом.
1 Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2 Подготовка к работе
3 Схемы исследования
На рисунке 1.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении. При измерении обратного тока (рисунок
250 руб.
Лабораторная работа №2 по дисциплине: Физические основы электроники, вариант 6
Александр410
: 4 мая 2019
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
180 руб.
Лабораторная работа №2. По дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №12
Колька
: 1 марта 2017
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
Цель работы:
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
1. Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных характеристик с ОБ приведена на рисунках *-*.
2. Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования выходных характеристик с ОБ
50 руб.
Лабораторная работа № 2 по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант № 5
sec1or
: 15 мая 2012
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Выводы по работе
В ходе проведенной работы мною изучены схемы для получения вольтамперных характеристик биполярного транзистора, на экспериментальной установке получены осциллограммы этих характеристик, построены соответствующие графики. Виды полученных характеристик соответствуют данным, приведенным в с
200 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант 06
SibGOODy
: 20 июля 2018
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по
600 руб.
Другие работы
Экономическая теория. Вопросы + задачи.
studypro2
: 7 декабря 2016
Домашние задание
1. В каких случаях проблемы и предметы изучения являются микроэкономическими, в каких — макроэкономическими и почему?
1) Конкуренция операторов мобильной связи в Москве.
2) Брать ли правительству новый заем у МВФ?
3) Брать ли фирме кредит для осуществления инвестиций?
4) Рост доли сбережений в евро у российских граждан.
5) Формирование величины спроса и предложения на рынке спортивной обуви.
2. Какое утверждение можно отмести к позитивной экономике, а какое к нормативной
600 руб.
Протяжка и долбяк
MagicT
: 31 июля 2017
В курсовом проекте представлены два основных расчета
1. ПРОЕКТИРОВАНИЕ И РАСЧЕТ ОСНОВНЫХ КОНСТРУКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ПРОТЯЖКИ ДЛЯ ОБРАБОТКИ ЦИЛИНДРИЧЕСКОГО ОТВЕРСТИЯ
2. ПРОЕКТИРОВАНИЕ И РАСЧЕТ ОСНОВНЫХ КОНСТРУКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ДОЛБЯКА ДЛЯ ОБРАБОТКИ ПРЯМОЗУБОЙ ШЕСТЕРНИ
ПЗ 18 стр. + чертежи
25 руб.
ИС Аэропорт
GnobYTEL
: 3 декабря 2011
СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ…………………………………………………………………….…5
1. ОСНОВНАЯ ЧАСТЬ………………………………………………………6
1.1. Физические модели таблиц базы данных…………………………..6
1.2. Физические модели хранения данных……………………………...7
1.3. Файловые структуры организации базы данных………………..…7
1.4. Разрешение коллизии с помощью области переполнения……….10
1.5. Разрешение коллизии методом свободного замещения………….11
1.6. Индексные файлы………………………………………………..….11
1.6.1. Файлы с плотным индексом, или индексно-прямые файлы..12
1.6.2. Файлы
20 руб.
Развитие страхового законодательства в целях укрепления финансового потенциала страховых компаний
Lokard
: 3 декабря 2013
Оглавление 2
Введение 3
1. Анализ современного состояния страховой отрасли в Российской Федерации, тенденции развития и сдерживающие факторы 4
2. Развитие страхового законодательства в целях укрепления финансового потенциала страховых компаний 8
2.2. Правовое регулирование страховой деятельности с учетом современных интеграционных процессов 10
2.3. Совершенствование форм и методов страхового надзора 12
2.4. Развитие конкурентной среды 15
Заключение 16
Список литературы 17
Введение
Современный э
10 руб.