Лабораторная работа №2 по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №06
Состав работы
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
- Adobe Acrobat Reader
- Программа для просмотра текстовых файлов
Описание
Лабораторная работа 2
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Работа выполняется в лаборатории с удаленным доступом.
1 Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
2 Подготовка к работе
3 Схемы исследования
Cхема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рисунке 2.1. Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n при исследовании с ОЭ приведены на рисунке 2.2. Схема исследования усилителя на БТ приведена на рисунке 2.3.
4 Порядок проведения лабораторной работы
4.1 Исследовать БТ для схемы с ОБ.
Для этого выбрать «Лабораторная работа №2». Затем «Схема с ОБ - входные характеристики» и «Начать эксперимент». Снять две входные характеристики транзистора Iэ= f(Uэб) при Uкб=0 и Uкб=8 В.
4.2 Исследовать БТ для схемы с ОЭ. Снять две входные характеристики Iб=f(Uбэ).
Для этого выбрать «Лабораторная работа №2». Затем «Схема с ОЭ - входные характеристики» и «Начать эксперимент».
Одну характеристику нужно снять при Uкэ=0, вторую при Uкэ=8 В. Результаты измерений занести в таблицу 2.3.
4.4 Снять семейство из 6 выходных характеристик Iк=f(Uкэ) при токах базы, указанных в таблице 2.4, включая Iб=0. Особое внимание обратить на участок характеристик в режиме насыщения, т.е. Uкэ=0 - 1 В. При измерении важно не привысить мощность рассеивания на коллекторе (Uкэ•Iк=Рк меньше Рк max=150 мВт). Результаты измерений заносятся в таблицу 2.4.
4.5 Исследовать работу усилителя. В исходном состоянии схемы транзистор работает в активном режиме (на выходе отсутствуют нелинейные искажения сигнала).
Получить осциллограммы сигналов на входе и выходе усилителя для трех случаев:
1. рабочая точка находится посредине рабочего участка;
2. рабочая точка находится вблизи режима отсечки;
3. рабочая точка находится вблизи режима насыщения.
Режим работы транзистора определяется уровнем напряжения источника смещения Есм.
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Работа выполняется в лаборатории с удаленным доступом.
1 Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
2 Подготовка к работе
3 Схемы исследования
Cхема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рисунке 2.1. Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n при исследовании с ОЭ приведены на рисунке 2.2. Схема исследования усилителя на БТ приведена на рисунке 2.3.
4 Порядок проведения лабораторной работы
4.1 Исследовать БТ для схемы с ОБ.
Для этого выбрать «Лабораторная работа №2». Затем «Схема с ОБ - входные характеристики» и «Начать эксперимент». Снять две входные характеристики транзистора Iэ= f(Uэб) при Uкб=0 и Uкб=8 В.
4.2 Исследовать БТ для схемы с ОЭ. Снять две входные характеристики Iб=f(Uбэ).
Для этого выбрать «Лабораторная работа №2». Затем «Схема с ОЭ - входные характеристики» и «Начать эксперимент».
Одну характеристику нужно снять при Uкэ=0, вторую при Uкэ=8 В. Результаты измерений занести в таблицу 2.3.
4.4 Снять семейство из 6 выходных характеристик Iк=f(Uкэ) при токах базы, указанных в таблице 2.4, включая Iб=0. Особое внимание обратить на участок характеристик в режиме насыщения, т.е. Uкэ=0 - 1 В. При измерении важно не привысить мощность рассеивания на коллекторе (Uкэ•Iк=Рк меньше Рк max=150 мВт). Результаты измерений заносятся в таблицу 2.4.
4.5 Исследовать работу усилителя. В исходном состоянии схемы транзистор работает в активном режиме (на выходе отсутствуют нелинейные искажения сигнала).
Получить осциллограммы сигналов на входе и выходе усилителя для трех случаев:
1. рабочая точка находится посредине рабочего участка;
2. рабочая точка находится вблизи режима отсечки;
3. рабочая точка находится вблизи режима насыщения.
Режим работы транзистора определяется уровнем напряжения источника смещения Есм.
Дополнительная информация
Уважаемый студент дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа
Оценка: Зачет
Дата оценки: 05.09.2020
Рецензия: .......
Савиных В. Л.
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа
Оценка: Зачет
Дата оценки: 05.09.2020
Рецензия: .......
Савиных В. Л.
Похожие материалы
Физические основы электроники. Вариант №06
Alexbur1971
: 9 декабря 2021
“Физические основы электроники”
Содержание задач контрольной работы
Задача 1:
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определи
250 руб.
Лабораторная работа №2 по дисциплине: "Физические основы электроники"
wowan1190
: 3 декабря 2013
Тема: " Исследование статических характеристик биполярного транзистора "
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
2. Отчет о работе
2.1 Исследовать БТ для схемы с ОБ.
Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рисунке 2.1.
2.1.1Снять две входные характеристики тра
70 руб.
Лабораторная работа №2 По дисциплине: Физические основы электроники
4eJIuk
: 11 апреля 2011
Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Ход выполнения работы
В ходе проведенной работы мною изучены схемы для получения вольтамперных характеристик биполярного транзистора, на экспериментальной установке получены осциллограммы этих характеристик, построены соответствующие графики. Виды полученных характеристик соответствуют данным, приведенным
70 руб.
Лабораторные работы №№1-2-3 по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №06
Alexbur1971
: 9 декабря 2021
Лабораторная работа 1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Работа выполняется в лаборатории с удаленным доступом.
1 Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2 Подготовка к работе
3 Схемы исследования
На рисунке 1.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении. При измерении обратного тока (рисунок
250 руб.
Лабораторная работа №2 по дисциплине: Физические основы электроники, вариант 6
Александр410
: 4 мая 2019
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
180 руб.
Лабораторная работа №2. По дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №12
Колька
: 1 марта 2017
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
Цель работы:
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
1. Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных характеристик с ОБ приведена на рисунках *-*.
2. Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования выходных характеристик с ОБ
50 руб.
Лабораторная работа № 2 по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант № 5
sec1or
: 15 мая 2012
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Выводы по работе
В ходе проведенной работы мною изучены схемы для получения вольтамперных характеристик биполярного транзистора, на экспериментальной установке получены осциллограммы этих характеристик, построены соответствующие графики. Виды полученных характеристик соответствуют данным, приведенным в с
200 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант 06
SibGOODy
: 20 июля 2018
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по
600 руб.
Другие работы
Инженерная графика. Задание №45. Вариант №29. Деталь №1
Чертежи
: 20 марта 2020
Все выполнено в программе КОМПАС 3D v16.
Боголюбов С.К. Индивидуальные задания по курсу черчения.
Задание 45. Вариант 29. Задача 1.
Тема: Проекционные виды.
Построить третью проекцию модели по двум заданным. Нанести размеры.
В состав работы входят три файла:
– 3D модель детали;
- ассоциативный чертеж в трёх видах, а так же изометрия и диметрия с действительными коэффициентами;
– обычный чертеж в трёх видах, а так же изометрия с коэффициентом 1 и диметрия с коэффициентами 1/0.5/1.
Помогу с д
50 руб.
МЧ00.49.00.00 Амортизатор деталировка
coolns
: 11 октября 2018
Амортизатор служит для гашения ударной нагрузки, возникающей при ударе груза о буфер.
Амортизатор присоединяется к раме подъемно-транспортного устройства двумя болтами. При ударе буфер поз. 3 передает толчок через деталь поз. 2 пружине поз. 4, которая сжимается, поглощая удар. Втулка поз. 5 служит направляющей для стержня буфера поз. 3 и центрирует пружину поз. 4. Гайка поз. 6 регулирует сжатие пружины поз. 4.
МЧ00.49.00.00 СБ_Амортизатор
МЧ00.49.00.01_Корпус
МЧ00.49.00.01_Корпус аксонометрия
200 руб.
Автоматизация производства керамических изделий
anastasia1411
: 25 мая 2012
Пояснительная записка состоит из 46 листов формата А4, оформленных рамками в соответствие со стандартом, 36 рисунков.
В пояснительной записке приведена схема технологии производства керамических изделий, а также схема автоматизации процесса сушки и приборы, с помощью которых осуществляется автоматизация данного вида процесса, включены примеры современных приборов и их краткое описание. Также оформлена в формульном выражении технико-экономическая эффективность технологического процесса.
В работе
Спроектировать механизм привода цепного конвейера
Кристина25
: 29 ноября 2021
Спроектировать механизм привода цепного конвейера (рисунок 6а). Мощность на ведомом валу редуктора Рвых и угловая скорость приведены в таблице 6. График нагрузки представлен на рисунке 6а.
Исходные данные:
Мощность на выходном валу редуктора Рвых = 6 кВт
Угловая скорость = 11
1000 руб.