КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА №2 (вариант №15) по дисциплине «Электротехника, электроника , схемотехника» часть 3-я «Схемотехника»
Состав работы
|
|
Описание
Задание №1.
Построить логическую схему в заданном логическом базисе.
При создании схемы использовать все этапы синтеза цифровых устройств
Задание 2
Построить функциональную схему 41-х канального мультиплексора на базе К155КП1, применив логическую схему К555ЛЛ1 и декодер К555ИД4.
Задание№3
Построить схему двоичного счётчика с заданными по варианту параметрами и приведёнными микросхемами.
Счётчик должен считать от начального числа до заданного числа
Задание 4.
Построить схему запоминающего устройства на заданных по варианту микросхемах с увеличенной информационной ёмкостью как по адресам так и по разрядности.
Вариант 15. Задана микросхема (M5M80021) EEPROM ёмкостью 128К на 16бит. Нужно увеличить ёмкость до 1М на 64бит.
Построить логическую схему в заданном логическом базисе.
При создании схемы использовать все этапы синтеза цифровых устройств
Задание 2
Построить функциональную схему 41-х канального мультиплексора на базе К155КП1, применив логическую схему К555ЛЛ1 и декодер К555ИД4.
Задание№3
Построить схему двоичного счётчика с заданными по варианту параметрами и приведёнными микросхемами.
Счётчик должен считать от начального числа до заданного числа
Задание 4.
Построить схему запоминающего устройства на заданных по варианту микросхемах с увеличенной информационной ёмкостью как по адресам так и по разрядности.
Вариант 15. Задана микросхема (M5M80021) EEPROM ёмкостью 128К на 16бит. Нужно увеличить ёмкость до 1М на 64бит.
Дополнительная информация
Оценка Зачет
Оценено в Wednesday, 24 March 2021, 11:16
Оценено Цветков Евгений Львович
Оценено в Wednesday, 24 March 2021, 11:16
Оценено Цветков Евгений Львович
Похожие материалы
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 3). ВАРИАНТ №5. Контрольная работа №2.
OLGA8
: 1 июля 2025
Задание №1.
Построить логическую схему в заданном логическом базисе.
При создании схемы использовать все этапы синтеза цифровых устройств.
Для чётного варианта построить схему в базисе И-НЕ.
Для нечётного варианта построить логическую схему в базисе ИЛИ-НЕ.
Этапы синтеза цифровых устройств.
1.Разработка алгоритма по заданной физической задаче (задан).
2.Таблица истинности (задана).
3. Алгебраическое выражение в формах СДНФ или СКНФ.
4.Минимизация алгебраического выражения.
5.Преобраз
400 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Контрольная работа. Вариант №15
erboollat
: 11 марта 2018
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения
60 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Контрольная работа. Вариант № 15.
gnv1979
: 7 января 2017
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
№
вар Тип
ПТ UСИ0, В UЗИ0,
15 КП 303Б 6 -3,2
Рисунок П.2.3
Задача 2. Использ
30 руб.
Контрольная работа №2 по дисциплине: «Электротехника, электроника и схемотехника» Вариант: №7
kiana
: 1 февраля 2014
Задача №4.1
Задача посвящена расчету параметров четырехполюсника (ЧП) и анализу прохождения сигналов через него в согласованном и несогласованном режимах работы.
Электрическая цепь состоит из источника сигнала, имеющего ЭДС , частоту , начальную фазу и внутреннее сопротивление , ЧП, собранного по Г-образной схеме с П и Т входом, и нагрузки (рис. 4.1). Номер схемы и задания: 8 (рис. 4.2).
Таблица 2
Вариант С, нф или L, мГн , кОм
, кОм
, кОм
, В
07 20 2 2 2 10
50 руб.
Экзамен по электротехнике, электронике и схемотехнике
Alex21589
: 15 апреля 2023
ЭКЗАМЕНАЦИОННАЯ РАБОТА
по дисциплине
«Электротехника, электроника и схемотехника»
Билет №15
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе
150 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен
sibguter
: 5 июня 2018
№1 Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры.
№2 Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
№3 Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характ
29 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен
gnv1979
: 8 января 2017
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Аналоговые ключи на транзисторах.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной
характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните,
какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной
характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим э
30 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Вариант №15. Задачи 3.1 3.2
gnv1979
: 19 апреля 2016
1. Перерисуйте схему цепи (см. рис. 3.1) для Вашего варианта (таблица 1).
2. Выпишите числовые данные для Вашего варианта (таблица 2).
3. Рассчитайте все токи и напряжение на С или L в три момента времени t: , , ¥.
4. Рассчитайте классическим методом переходный процесс в виде , , в схемах 1 – 5, , , в схемах 6 – 10. Проверьте правильность расчетов, выполненных в п. 4, путем сопоставления их с результатами расчетов в п. 3.
Рис. 3.1
5. Постройте графики переходных токов и напряжен
30 руб.
Другие работы
Оценка стоимости недвижимости затратным подходом
Lokard
: 23 ноября 2013
Содержание: …………………………………………………………………………………….……3
Оценка восстановительной стоимости………………………………………….4
Методы определения восстановительной стоимости………………….5
Общие положения по определению стоимости строительства…..7
Методы определения полных затрат при составлении смет……….8
Определение износа объекта недвижимости……………………………….10
Список использованной литературы……………………………………………..18
Затратный подход предполагает оценку имущественного комплекса, состоящего из земельного участка и созданных
15 руб.
Экзамен по дисциплине «Управление сетями связи». Билет №15.
teacher-sib
: 17 сентября 2018
БИЛЕТ №15
1. Физическая архитектура TMN.
2. Описание информационных объектов с помощью ASN.1.
Задача: Определить из приведенного сообщения:
a. Версию протокола сетевого уровня
b. Приоритет сетевого уровня для данной дейтаграммы
c. Протокол транспортного уровня (Dec’код и название)
d. Сетевой адрес назначения
e. Транспортный порт отправителя
f. Транспортный порт получателя
g. Тип и класс тэга протокола прикладного уровня
h. Длину сообщения протокола прикладного уровня
i. Длину и содержимое пол
100 руб.
Разрезы. Ушко. Квадрат. Плита. Основа. Коробка. Задание 1 - Вариант 14
.Инженер.
: 28 февраля 2026
С.К. Боголюбов. Индивидуальные задания по курсу черчения. Выполнение разрезов. Ушко. Квадрат. Плита. Основа. Коробка. Задание 1 - Вариант 14
1. Соединить половину фронтального разреза с половиной вида спереди.
2. Заменить вид слева разрезом А-А.
3. Заменить вид слева разрезом А-А.
4. Заменить вид спереди разрезом А-А.
5. По приведенным изображениям детали построить вид слева и выполнить необходимые разрезы.
В состав работы входит:
Чертежи;
3D модели.
Выполнено в программе Компас +
400 руб.
Семенов Николай Николаевич
evelin
: 3 января 2013
Николай Николаевич Семенов внес значительный вклад в развитие мировой науки.
Н. Н. Семенов родился 15 апреля 1986 года в Саратове. В 1917 он окончил физико-математический факультет Петроградского университета. Семенов ученик и соратник выдающегося российского физика А. Ф. Иоффе.
В основанном Иоффе Ленинградском физико-техническом институте Семенов работал с 1920 по 1931 годы, затем был назначен директором Ленинградского института химической физики. Одновременно Семенов вел преподавательскую рабо
30 руб.