КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА №2 (вариант №15) по дисциплине «Электротехника, электроника , схемотехника» часть 3-я «Схемотехника»
Состав работы
|
|
Описание
Задание №1.
Построить логическую схему в заданном логическом базисе.
При создании схемы использовать все этапы синтеза цифровых устройств
Задание 2
Построить функциональную схему 41-х канального мультиплексора на базе К155КП1, применив логическую схему К555ЛЛ1 и декодер К555ИД4.
Задание№3
Построить схему двоичного счётчика с заданными по варианту параметрами и приведёнными микросхемами.
Счётчик должен считать от начального числа до заданного числа
Задание 4.
Построить схему запоминающего устройства на заданных по варианту микросхемах с увеличенной информационной ёмкостью как по адресам так и по разрядности.
Вариант 15. Задана микросхема (M5M80021) EEPROM ёмкостью 128К на 16бит. Нужно увеличить ёмкость до 1М на 64бит.
Построить логическую схему в заданном логическом базисе.
При создании схемы использовать все этапы синтеза цифровых устройств
Задание 2
Построить функциональную схему 41-х канального мультиплексора на базе К155КП1, применив логическую схему К555ЛЛ1 и декодер К555ИД4.
Задание№3
Построить схему двоичного счётчика с заданными по варианту параметрами и приведёнными микросхемами.
Счётчик должен считать от начального числа до заданного числа
Задание 4.
Построить схему запоминающего устройства на заданных по варианту микросхемах с увеличенной информационной ёмкостью как по адресам так и по разрядности.
Вариант 15. Задана микросхема (M5M80021) EEPROM ёмкостью 128К на 16бит. Нужно увеличить ёмкость до 1М на 64бит.
Дополнительная информация
Оценка Зачет
Оценено в Wednesday, 24 March 2021, 11:16
Оценено Цветков Евгений Львович
Оценено в Wednesday, 24 March 2021, 11:16
Оценено Цветков Евгений Львович
Похожие материалы
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 3). ВАРИАНТ №5. Контрольная работа №2.
OLGA8
: 1 июля 2025
Задание №1.
Построить логическую схему в заданном логическом базисе.
При создании схемы использовать все этапы синтеза цифровых устройств.
Для чётного варианта построить схему в базисе И-НЕ.
Для нечётного варианта построить логическую схему в базисе ИЛИ-НЕ.
Этапы синтеза цифровых устройств.
1.Разработка алгоритма по заданной физической задаче (задан).
2.Таблица истинности (задана).
3. Алгебраическое выражение в формах СДНФ или СКНФ.
4.Минимизация алгебраического выражения.
5.Преобраз
400 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Контрольная работа. Вариант №15
erboollat
: 11 марта 2018
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения
60 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Контрольная работа. Вариант № 15.
gnv1979
: 7 января 2017
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
№
вар Тип
ПТ UСИ0, В UЗИ0,
15 КП 303Б 6 -3,2
Рисунок П.2.3
Задача 2. Использ
30 руб.
Контрольная работа №2 по дисциплине: «Электротехника, электроника и схемотехника» Вариант: №7
kiana
: 1 февраля 2014
Задача №4.1
Задача посвящена расчету параметров четырехполюсника (ЧП) и анализу прохождения сигналов через него в согласованном и несогласованном режимах работы.
Электрическая цепь состоит из источника сигнала, имеющего ЭДС , частоту , начальную фазу и внутреннее сопротивление , ЧП, собранного по Г-образной схеме с П и Т входом, и нагрузки (рис. 4.1). Номер схемы и задания: 8 (рис. 4.2).
Таблица 2
Вариант С, нф или L, мГн , кОм
, кОм
, кОм
, В
07 20 2 2 2 10
50 руб.
Экзамен по электротехнике, электронике и схемотехнике
Alex21589
: 15 апреля 2023
ЭКЗАМЕНАЦИОННАЯ РАБОТА
по дисциплине
«Электротехника, электроника и схемотехника»
Билет №15
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе
150 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен
sibguter
: 5 июня 2018
№1 Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры.
№2 Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
№3 Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характ
29 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен
gnv1979
: 8 января 2017
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Аналоговые ключи на транзисторах.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной
характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните,
какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной
характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим э
30 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Вариант №15. Задачи 3.1 3.2
gnv1979
: 19 апреля 2016
1. Перерисуйте схему цепи (см. рис. 3.1) для Вашего варианта (таблица 1).
2. Выпишите числовые данные для Вашего варианта (таблица 2).
3. Рассчитайте все токи и напряжение на С или L в три момента времени t: , , ¥.
4. Рассчитайте классическим методом переходный процесс в виде , , в схемах 1 – 5, , , в схемах 6 – 10. Проверьте правильность расчетов, выполненных в п. 4, путем сопоставления их с результатами расчетов в п. 3.
Рис. 3.1
5. Постройте графики переходных токов и напряжен
30 руб.
Другие работы
Совершенствование организационной структуры управления
Slolka
: 7 апреля 2014
СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ…………………………………………………………………………………….....…..3
ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ОРГАНИЗАЦИОННОГО ПРОЕКТИРОВАНИЯ………..5
Организационное проектирование и его основы………………………………………...5
Значение и задачи организационных структур………………...………………………...7
Виды организационных структур……………………………………………………........8
Организация как объект организационного проектирования………………..................11
Организация службы ДОУ…………………………………………………………......…13
АНАЛИТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ…………………………………………………………….…..14
Общая хар
5 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Организационное поведение
тантал
: 1 августа 2013
Вопрос 1. Как оценить личные и деловые качества ваших подчиненных?
Вопрос 2. Как можно охарактеризовать функции планирования и организации на
производстве?
Вопрос 3. Каково определение и содержание мотивации при производственном
процессе?
Вопрос 4. Что характеризует неофициально-деловую структуру отношений?
Вопрос 5. Какие известны виды власти?
Вопрос 6. Каковы могут быть рекомендации,которым можно следовать начинающим
менеджерам, если они хотят грамотно делегировать полномочия?
Вопрос 7. Каковы
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Экология. Вариант №03
IT-STUDHELP
: 26 апреля 2023
Вариант No03
Вопросы для контрольной работы
4. Учение В.И.Вернадского о биосфере. Границы распространения жизни в биосфере.
91. Воздействие тепловых электростанций на окружающую среду.
------------------------------------------------------------------------------
Задача No2
Сделать оценку качества поверхностного источника питьевого водоснабжения населенного пункта по степени опасности загрязнения химическими веществами. Привести наиболее распространенные причины загрязнения поверхностных в
480 руб.
Тепломассообмен СЗТУ Задача 1 Вариант 98
Z24
: 29 января 2026
Стенка топочной камеры имеет размеры 3×5 м². Стенка состоит из шамотного кирпича (250 мм) и одного красного кирпича (250 мм); в промежутке между ними имеется изоляционная совелитовая прокладка толщиной δ. Температура внутренней поверхности стенки t1; температура наружной поверхности по условиям техники безопасности не должна превышать 60 ºC.
Определить тепловой поток через стенку за 10 часов работы и экономию в процентах от применения изоляционной прослойки по сравнению со стенкой той же толщ
200 руб.