Лабораторная работа 1-3 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 18

Лабораторная работа No1
ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ

1 Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы

Тема: Исследование полупроводниковых устройств

Цель работы: 1. Изучить характерные свойства электронно-дырочного перехода, определяющие характеристики выпрямительного диода и стабилитрона (лекция No2).
2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а также по обработке и оформлению полученных результатов.

Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная подготовка, состоящая в следующем:
1. Изучение темы и цели лабораторной работы.
2. При изучении теоретического материала в объеме материала лекций и теоретического введения обратить внимание на следующие основные вопросы:
- физические процессы, определяющие одностороннюю проводимость электронно-дырочного перехода;
- энергетическую диаграмму р-n перехода;
- типы пробоя электронно-дырочного перехода и его вольтамперная характеристика (ВАХ);
- основные параметры, характеризующие выпрямительные диоды и стабилитроны.
3. Оформление заготовки для отчета (см. раздел 6).
4. Выполнение указаний разделов 4 и 5.

Номер варианта для выполнения лабораторной работы должен выбирается по двум последним цифрам номера пароля. Варианты приведены в Приложении А.

3.1 Расчётная часть работы

  Выберем диод, в соответствии с вариантом и запишем значения следующих параметров диода BYM11-800:
 предельно-допустимый постоянный прямой ток I_прmax= 1000 мА;
 предельно-допустимое обратное напряжение U_обрmax = 800 В.
Значения I_прmax и U_обрmax найти для соответствующего варианта, используя ресурсы Internet.

Лабораторная работа No2

Тема: Исследование характеристик полевых транзисторов
 Цель работы: Изучить статические ВАХ и другие определяющие характеристики полевых транзисторов

 Транзистор с управляющим p-n переходом
Расчетная часть

Таблица 1.1 – Характеристики транзистора с управляющим p-n переходом
Марка транзистора (тип канала) .Motorola MMBF48600, n-канал
Параметры I_cmax U_cиmax U_зиmax U_(зи отс)
Ед.изм. A B B B
Количественные значения 0,05 30 -6 -6

 ВАХ полевого транзистора на участке, соответствующем линейному режиму, аппроксимируется выражением:
 I_C=I_CНАЧ [2(1-U_ЗИ/U_ЗИОТС )(U_СИ/(-U_ЗИОТС ))-(U_СИ/U_ЗИОТС )^2 ].
 В режиме насыщения можно использовать формулу:
 I_C=I_CНАЧ (1-U_ЗИ/U_ОТС )^2.

Таблица 1.2 – Семейство стоко-затворных характеристик транзистора с управляющим p-n переходом
No U_зиотс, В U_зи,В U_зи,В
(рассчитанные значения) U_си=0.01U_cиmax,B U_си= 0.5U_cиmax,В
    0,3 15
    I_с, mA I_с, mA
1. 6 0.95U_(зи отс) 5,7 0,125 0,125
2.  0.75U_(зи отс) 4,5 1,125 3,125
3.  0.5U_(зи отс) 3 2,375 12,5
4.  0.25U_(зи отс) 1,5 3,625 28,125
5.  0 0 4,875 50


Лабораторная работа No3


Тема: Изучение ключевых схем на биполярных транзисторах
Цель работы:
1.  Изучить основные принципы работы ключевых схем
2.  Приобрести начальные навыки расчёта параметров элементов некоторых ключевых схем.

Расчетная часть

Таблица 1.1 – Параметры транзисторного ключа на n-p-n транзисторе
Наименование 
Е2 E1max h 21ОЭ Марка транзистора KT3102D 
IБ УПР Номиналы резисторов
     UКЭ max IК max  RК Rб
Единицы измерения А В В - В А мА Ом кОм
Параметр 0,08 14 4,3 500 30 0,2 1,6 175 2,25

Оценка: Зачет
Дата оценки: 09.04.2022

Помогу с вашим онлайн тестом, другой работой или дисциплиной.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru