Страницу Назад
Поискать другие аналоги этой работы
900 Лабораторная работа 1-3 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 18ID: 225094Дата закачки: 09 Апреля 2022 Продавец: IT-STUDHELP (Напишите, если есть вопросы) Посмотреть другие работы этого продавца Тип работы: Работа Лабораторная Форматы файлов: Microsoft Word Сдано в учебном заведении: СибГУТИ Описание: Лабораторная работа №1 ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ 1 Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы Тема: Исследование полупроводниковых устройств Цель работы: 1. Изучить характерные свойства электронно-дырочного перехода, определяющие характеристики выпрямительного диода и стабилитрона (лекция №2). 2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а также по обработке и оформлению полученных результатов. Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная подготовка, состоящая в следующем: 1. Изучение темы и цели лабораторной работы. 2. При изучении теоретического материала в объеме материала лекций и теоретического введения обратить внимание на следующие основные вопросы: - физические процессы, определяющие одностороннюю проводимость электронно-дырочного перехода; - энергетическую диаграмму р-n перехода; - типы пробоя электронно-дырочного перехода и его вольтамперная характеристика (ВАХ); - основные параметры, характеризующие выпрямительные диоды и стабилитроны. 3. Оформление заготовки для отчета (см. раздел 6). 4. Выполнение указаний разделов 4 и 5. Номер варианта для выполнения лабораторной работы должен выбирается по двум последним цифрам номера пароля. Варианты приведены в Приложении А. 3.1 Расчётная часть работы Выберем диод, в соответствии с вариантом и запишем значения следующих параметров диода BYM11-800: предельно-допустимый постоянный прямой ток I_прmax= 1000 мА; предельно-допустимое обратное напряжение U_обрmax = 800 В. Значения I_прmax и U_обрmax найти для соответствующего варианта, используя ресурсы Internet. Лабораторная работа №2 Тема: Исследование характеристик полевых транзисторов Цель работы: Изучить статические ВАХ и другие определяющие характеристики полевых транзисторов Транзистор с управляющим p-n переходом Расчетная часть Таблица 1.1 – Характеристики транзистора с управляющим p-n переходом Марка транзистора (тип канала) .Motorola MMBF48600, n-канал Параметры I_cmax U_cиmax U_зиmax U_(зи отс) Ед.изм. A B B B Количественные значения 0,05 30 -6 -6 ВАХ полевого транзистора на участке, соответствующем линейному режиму, аппроксимируется выражением: I_C=I_CНАЧ [2(1-U_ЗИ/U_ЗИОТС )(U_СИ/(-U_ЗИОТС ))-(U_СИ/U_ЗИОТС )^2 ]. В режиме насыщения можно использовать формулу: I_C=I_CНАЧ (1-U_ЗИ/U_ОТС )^2. Таблица 1.2 – Семейство стоко-затворных характеристик транзистора с управляющим p-n переходом № U_зиотс, В U_зи,В U_зи,В (рассчитанные значения) U_си=0.01U_cиmax,B U_си= 0.5U_cиmax,В 0,3 15 I_с, mA I_с, mA 1. 6 0.95U_(зи отс) 5,7 0,125 0,125 2. 0.75U_(зи отс) 4,5 1,125 3,125 3. 0.5U_(зи отс) 3 2,375 12,5 4. 0.25U_(зи отс) 1,5 3,625 28,125 5. 0 0 4,875 50 Лабораторная работа №3 Тема: Изучение ключевых схем на биполярных транзисторах Цель работы: 1. Изучить основные принципы работы ключевых схем 2. Приобрести начальные навыки расчёта параметров элементов некоторых ключевых схем. Расчетная часть Таблица 1.1 – Параметры транзисторного ключа на n-p-n транзисторе Наименование Е2 E1max h 21ОЭ Марка транзистора KT3102D IБ УПР Номиналы резисторов UКЭ max IК max RК Rб Единицы измерения А В В - В А мА Ом кОм Параметр 0,08 14 4,3 500 30 0,2 1,6 175 2,25 Комментарии: Оценка: Зачет Дата оценки: 09.04.2022 Помогу с вашим онлайн тестом, другой работой или дисциплиной. E-mail: sneroy20@gmail.com E-mail: ego178@mail.ru Размер файла: 197,5 Кбайт Фаил: (.rar) ------------------- Обратите внимание, что преподаватели часто переставляют варианты и меняют исходные данные! Если вы хотите, чтобы работа точно соответствовала, смотрите исходные данные. Если их нет, обратитесь к продавцу или к нам в тех. поддержку. Имейте ввиду, что согласно гарантии возврата средств, мы не возвращаем деньги если вариант окажется не тот. -------------------
Коментариев: 0 |
||||
Есть вопросы? Посмотри часто задаваемые вопросы и ответы на них. Опять не то? Мы можем помочь сделать! Некоторые похожие работы:Контрольная и Лабораторные работы 1-2 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №4Контрольная и Лабораторная работа №2 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систе. Вариант №18 Лабораторная работа №2 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систе. Вариант №18 Контрольная и Лабораторная работа 1-3 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 18 Ещё искать по базе с такими же ключевыми словами. |
||||
Не можешь найти то что нужно? Мы можем помочь сделать! От 350 руб. за реферат, низкие цены. Спеши, предложение ограничено ! |
Вход в аккаунт:
Страницу Назад
Cодержание / Элементная база телекоммуникационных систем / Лабораторная работа 1-3 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 18
Вход в аккаунт: