Страницу Назад
Поискать другие аналоги этой работы
Лабораторные работы по дисциплине Элементная база телекоммуникационных систем №1, 2, 3 Вариант 3ID: 225576Дата закачки: 03 Мая 2022 Продавец: Khl (Напишите, если есть вопросы) Посмотреть другие работы этого продавца Тип работы: Работа Лабораторная Сдано в учебном заведении: ДО СИБГУТИ Описание: Лабораторная работа №1 Тема: Исследование полупроводниковых устройств Цель работы: 1. Изучить характерные свойства электронно-дырочного перехода, определяющие характеристики выпрямительного диода и стабилитрона. 2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а также по обработке и оформлению полученных результатов. 1. ВАХ диода 1.1 Исследование прямой ветви ВАХ диода Zelex FMMD6100 Лабораторная работа №2 Тема: Исследование характеристик полевых транзисторов Цель работы: Изучить статические ВАХ и другие определяющие характеристики полевых транзисторов (лекция 3) 3.1 Расчетная часть работы 1. Рассчитать основные параметры и построить сток – затворную и выходную (стоковую) характеристики полевого транзистора. 2. По графику сток-затворной характеристики определить дифференциальную крутизну S, по графику выходных (стоковых) ВАХ определить дифференциальное выходное сопротивление , используя методические указания раздела 2. 3.2 Экспериметальная часть работы 1. Исследовать семейства проходных (сток-затворных) и выходных (стоковых) ВАХ полевого транзистора (тип транзистора выбирается из Приложения А в соответствии с вариантом) используя измерительные схемы рисунков Б.6 и Б.7.(в зависимости от типа транзистора). Исследования проводить по методическим указаниям раздела 4. 2. По полученным данным построить графические характеристики в одних осях с характеристиками, полученными по расчетам (3.1). 3. Рассчитать крутизну характеристики и дифференциальное сопротивление. 4.1.1 Расчет характеристик транзисторов с управляющим p-n переходом Выбрать тип (марку) полевого транзистора с управляющим p-n переходом из Приложения А. Выписать параметры исследуемого транзистора, используя ресурсы Internet: a) , mA - максимально допустимого постоянного ток стока; b) , В - предельно допустимого напряжения между стоком и истоком; c) , В - предельно допустимого напряжения между затвором и истоком; d) , В – напряжения отсечки для ПТУП-транзистора или МДП-транзистора со встроенным каналом; e) ,В – порогового напряжения для МДП-транзистора с индуцированным каналом; Лабораторная работа №3 Тема: Изучение ключевых схем на биполярных транзисторах Цель работы: 1. Изучить основные принципы работы ключевых схем 2. Приобрести начальные навыки расчёта параметров элементов некоторых ключевых схем. 1. Расчет и испытание транзисторного ключа 1.1Расчет и испытание транзисторного ключа на n-p-n транзисторе Выбрать параметры на расчёт ключевой схемы в соответствии с вариантом (Приложение А) - значения коммутируемых токов и напряжений ( , E2 соответственно), а также значение уровня логической «1» - E1max. Выбрать марку транзистора из предлагаемого набора – КТ3102Е, KT3102D, КТ315A, 2N5551– по следующим критериям: , (1.1) . (1.2) Параметры UКЭmax и IKmax найти, используя ресурсы Интернета. IКОМ = 0,1А Е2 = 28В E1MAX =4,5В Размер файла: 405,6 Кбайт Фаил: 
(.rar)
------------------- Обратите внимание, что преподаватели часто переставляют варианты и меняют исходные данные! Если вы хотите, чтобы работа точно соответствовала, смотрите исходные данные. Если их нет, обратитесь к продавцу или к нам в тех. поддержку. Имейте ввиду, что согласно гарантии возврата средств, мы не возвращаем деньги если вариант окажется не тот. -------------------
Скачано: 1 Коментариев: 0 |
||||
Есть вопросы? Посмотри часто задаваемые вопросы и ответы на них. Опять не то? Мы можем помочь сделать! |
||||
Вход в аккаунт:
Страницу Назад
Cодержание / Элементная база телекоммуникационных систем / Лабораторные работы по дисциплине Элементная база телекоммуникационных систем №1, 2, 3 Вариант 3
Вход в аккаунт: