Лабораторные работы по дисциплине Элементная база телекоммуникационных систем №1, 2, 3 Вариант 3

Лабораторная работа №1
Тема: Исследование полупроводниковых устройств

Цель работы: 1. Изучить характерные свойства электронно-дырочного перехода, определяющие характеристики выпрямительного диода и стабилитрона.
2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а также по обработке и оформлению полученных результатов.


1. ВАХ диода

1.1 Исследование прямой ветви ВАХ диода Zelex FMMD6100


Лабораторная работа №2
Тема: Исследование характеристик полевых транзисторов

Цель работы: Изучить статические ВАХ и другие определяющие характеристики полевых транзисторов (лекция 3)


3.1 Расчетная часть работы

1. Рассчитать основные параметры и построить сток – затворную и выходную (стоковую) характеристики полевого транзистора.
2. По графику сток-затворной характеристики определить дифференциальную крутизну S, по графику выходных (стоковых) ВАХ определить дифференциальное выходное сопротивление , используя методические указания раздела 2.

3.2 Экспериметальная часть работы

1. Исследовать семейства проходных (сток-затворных) и выходных (стоковых) ВАХ полевого транзистора (тип транзистора выбирается из Приложения А в соответствии с вариантом) используя измерительные схемы рисунков Б.6 и Б.7.(в зависимости от типа транзистора). Исследования проводить по методическим указаниям раздела 4.
2. По полученным данным построить графические характеристики в одних осях с характеристиками, полученными по расчетам (3.1).
3. Рассчитать крутизну характеристики и дифференциальное сопротивление.


4.1.1 Расчет характеристик транзисторов с управляющим p-n переходом
Выбрать тип (марку) полевого транзистора с управляющим p-n переходом из Приложения А.
Выписать параметры исследуемого транзистора, используя ресурсы Internet:
a)  , mA - максимально допустимого постоянного ток стока;
b)  , В - предельно допустимого напряжения между стоком и истоком;
c)  , В - предельно допустимого напряжения между затвором и истоком;
d)  , В – напряжения отсечки для ПТУП-транзистора или МДП-транзистора со встроенным каналом;
e)  ,В – порогового напряжения для МДП-транзистора с индуцированным каналом;

Лабораторная работа №3
Тема: Изучение ключевых схем на биполярных транзисторах

Цель работы:
1. Изучить основные принципы работы ключевых схем
2. Приобрести начальные навыки расчёта параметров элементов некоторых ключевых схем.

1. Расчет и испытание транзисторного ключа

1.1Расчет и испытание транзисторного ключа на n-p-n транзисторе

Выбрать параметры на расчёт ключевой схемы в соответствии с вариантом (Приложение А) - значения коммутируемых токов и напряжений ( , E2 соответственно), а также значение уровня логической «1» - E1max.
Выбрать марку транзистора из предлагаемого набора – КТ3102Е, KT3102D, КТ315A, 2N5551– по следующим критериям:

,      (1.1)

.      (1.2)
Параметры UКЭmax и IKmax найти, используя ресурсы Интернета.

IКОМ = 0,1А
Е2 = 28В
E1MAX =4,5В