Контрольная работа по дисциплине: Оптоэлектроника и нанофотоника. Вариант 29

Цена:
600 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 725EBAEC-A052-46A8-9C83-6FCC08F07183.docx
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Последняя цифра пароля: 9
Тип фотоприемника (ФП): Фоторезистор

Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Предпоследняя цифра пароля: 2
Тип ПП материала: GaAs
Квантовая Эффективность, n: 0,6
Ширина запрещенной зоны dW, эВ: 1,41

Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности.
Последняя цифра пароля: 9
Входной код: 1001

Задача №4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные приведены в таблице 4.1.
Предпоследняя цифра пароля: 2
Тип светодиода: АЛ307Б
Напряжение питания Uпит, В: 12
Номинал ограничительного сопротивления, Ом: 910

Дополнительная информация

Зачет без замечаний!
Год сдачи: 2022 г.
Преподаватель: Игнатов А.Н.
Помогу с другим вариантом.

Выполняю работы на заказ по следующим специальностям:
МТС, АЭС, МРМ, ПОВТиАС, ПМ, ФиК и др.
E-mail: help-sibguti@yandex.ru
Оптоэлектроника и нанофотоника
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить ... Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр. Задача No3: Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и какие состояния выходов д
User lyolya : 28 июня 2022
150 руб.
Оптоэлектроника и нанофотоника
Оптоэлектроника и нанофотоника
Вариант 16 (6) Решение задач Задача 2 и задача 4
User novikova9409 : 25 февраля 2019
100 руб.
Оптоэлектроника и нанофотоника
Контрольная работа по дисциплине: Оптоэлектроника и нанофотоника. Вариант 03
Номер варианта для решения первой и третьей задач должен соответствовать последней цифре Вашего пароля, номер варианта при решении второй и четвертой задач должен соответствовать предпоследней цифре вашего пароля. Задача №1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Последняя цифра пароля: 3 Тип фотоприемника (ФП): Фотодиод с гетероструктурой Задача №2 Определить длинноволновую границу фотоэффек
User Учеба "Под ключ" : 4 сентября 2022
600 руб.
promo
Контрольная работа по дисциплине: Оптоэлектроника и нанофотоника. Вариант 20
Номер варианта для решения первой и третьей задач должен соответствовать последней цифре Вашего пароля, номер варианта при решении второй и четвертой задач должен соответствовать предпоследней цифре вашего пароля. Задача №1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Последняя цифра пароля: 0 Тип фотоприемника (ФП): Фотодиод на основе p-n-перехода Задача №2 Определить длинноволновую границу фотоэ
User Учеба "Под ключ" : 4 сентября 2022
600 руб.
promo
Устройства оптоэлектроники и нанофотоники
Задача №1 Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фоторезистора. Номер варианта для 1 задачи соответствует последней цифре студенческого билета 21. № варианта Тип фотоприёмника (ФП) 1 Фотодиод со структурой p-i-n
User Yuliyatitova : 1 апреля 2020
Оптоэлектроника и нанофотоника Вариант 16
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Последняя цифра пароля Тип фотоприемника (ФП) 6 Составной фототранзистор Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр. Предпоследняя цифра пароля Тип ПП материала Квантовая эффективность, η Ширина запрещенной зоны ∆W, эВ 1 Si
User Евга : 17 марта 2023
150 руб.
Оптоэлектроника и нанофотоника Вариант 16
:Оптоэлектроника и нанофотоника. Вариант №18
Задача No1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Дано: Тип фотоприемника (ФП) – Фототиристор Задача No2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней . Задано: Таблица 2 Вариа
User IT-STUDHELP : 14 февраля 2022
500 руб.
promo
Оптоэлектроника и нанофотоника. Вариант №77
Задача No1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Дано: Тип фотоприемника (ФП) – Фототранзистор Задача No2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней . Задано: Таблица 2 Вар
User IT-STUDHELP : 14 февраля 2022
500 руб.
promo
Зачетная работа по дисциплине: Электромагнитные поля и волны. Билет №16
Билет №16 Согласование линий передачи. Четвертьволновый трансформатор. Многоступенчатые, экспоненциальные трансформаторы. Согласование комплексных нагрузок. Задача 1 Элементарный электрический излучатель возбужден током, амплитуда которого I = 1 А, частота f = 900 МГц. Определить амплитуды напряженностей электрического и магнитного полей в точке, расположенной на расстоянии r = 700 м от него, под углом O=60 град. Длина излучателя L = 10 см. Среда, в которой находится диполь – вакуум. Задача 2
User SibGOODy : 29 ноября 2018
500 руб.
promo
Основы экономического анализа. Вариант №2 (2017г)
1. Основы анализа организационно-технических и других факторов производстваПрактические задания 1.На основании данных определите показатели динамики материальных затрат; материалоотдачи; объёма выпуска продукции. Сделайте выводы о динамике количественных и качественного показателей; исчислите долю прироста объёма выпуска продукции за счёт материальных затрат и материалоотдачи. Показатель Базисный период Отчётный период Объём выпуска продукции, тыс. руб. 140400 223800 Материальные затраты, т
User Alekx900 : 12 января 2020
350 руб.
Инженерная графика. Задание №45. Вариант №14. Деталь №2
Все выполнено в программе КОМПАС 3D v16. Боголюбов С.К. Индивидуальные задания по курсу черчения. Задание 45. Вариант 14. Задача 2. Тема: Проекционные виды. Построить третью проекцию модели по двум заданным. Нанести размеры. В состав работы входят три файла: – 3D модель детали; - ассоциативный чертеж в трёх видах, а так же изометрия и диметрия с действительными коэффициентами; – обычный чертеж в трёх видах, а так же изометрия с коэффициентом 1 и диметрия с коэффициентами 1/0.5/1. Помогу с д
User Чертежи : 21 марта 2020
50 руб.
Инженерная графика. Задание №45. Вариант №14. Деталь №2
Россия в системе Международного разделения труда
Россия в системе Международного разделения труда Место и роль любой страны в мировом хозяйстве, международном разделении труда и в интернационализации хозяйственной жизни зависят от многих факторов. Однако, основными из них являются следующие: * уровень и динамика движения национальной экономики, * степень ее открытости и вовлеченности в МРТ, * прогрессивность и развитость ВЭС, * умение национальной экономики адаптироваться к условиям международной хозяйственной жизни и одновременно воздейс
User elementpio : 9 сентября 2013
up Наверх