СибГУТИ. Физические основы электроники. Лабораторная Работа 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов.

Цена:
100 руб.

Состав работы

material.view.file_icon B73989EC-B20F-4275-8F7F-5A93DDB66D75.rar [92 KB]
material.view.file_icon Лабораторная Работа 1 (ФОЭ).doc [Office 2010, 132 KB]

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.

Дополнительная информация

Факультет: Радиосвязь, радиовещание и телевидение
2-й семестр
Зачет

Похожие материалы

Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
ДО СИБГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User Антон28 : 8 августа 2025
1500 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Выполнение работы: а) Снятие вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при условии: Iпр=f(Uпр) б) Определение типа материала диода. в) Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА. г) Исследовани
Электроника Работа Лабораторная
User mirsan : 24 января 2015
55 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. Рис.1 Схема прямого включения 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
СибГУТИ Электроника Работа Лабораторная
User lev12345678 : 17 марта 2013
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) 1.2 . Определение типа материала диода. 1.3 . Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА. 2.Обратное включение. 3. Исследование стабилитрона Д814А 4. Исследовани
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User ДО Сибгути : 26 января 2013
150 руб.
promo
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Все варианты
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Все варианты. 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный перехо
ДО СИБГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User SibGUTI2 : 3 июня 2019
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Все варианты
Физические основы электроники. Лабораторная №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковы
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User aleks797 : 17 декабря 2011
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов. Вариант общий.
Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Указания к составлению отчета 5.1 Привести схемы исследования полупроводниковых диодов. 5.2 Привести таблицы с результатами измерений. 5.3 Привести вольтамперные характеристики (график 1) германиевого и кремниевого диодов для прямого включения. 5.4 По характеристикам определить сопротивления постоянному току и дифферен
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User seka : 14 сентября 2018
45 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". (Для всех вариантов)
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Выполнение работы: 1. Прямое включение. 1.1. Снятие вольтамперных характеристик диодов при прямом включении. 1.2. Определение материала диода. 1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе Iпр=4мА. 2. Обратное включение. 2.1. Снятие вольтамперной характеристики диода Д
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User Roma967 : 29 мая 2015
300 руб.
promo

Другие работы

Проблемы экономической отсталости слаборазвитых стран мира
СОДЕРЖАНИЕ Введение…………………………………………………………………...……………………..3 1 Глобальные экономические проблемы……………………………………………………….6 2 Преодоление отсталости слаборазвитых стран…………………………………………..….9 Заключение………………………………………………………………………………..……17 Список использованных источников…………………………………………………………18 ВВЕДЕНИЕ Последние десятилетия ХХ века поставили перед народами мира много острых и сложных проблем, которые получили название глобальных. Одно из определений относит к глобальным «проблемы, возникающие в
Работа Экономика
User Elfa254 : 6 ноября 2013
10 руб.
Долевые ценные бумаги, их характеристика
1. Долевые ценные бумаги. Основные нормативные положения. Долевые ценные бумаги- акции, сертификаты владельцев паев и долей. Данные ценные бумаги удостоверяют участие их владельцев в акционерном (складочном) капитале и их конкретные права. Самыми распространенными из долевых ценных бумаг являются акции. Акция (согласно ФЗ «Об акционерных обществах») – эмиссионная ценная бумага, закрепляющая право ее владельца на получение части прибыли акционерного общества в виде дивидендов, участие в управлени
Банковское дело и кредитование Работа
User Slolka : 8 декабря 2013
5 руб.
Зачет по предмету: Введение в специальность. Общий вариант
Зачетная работа по дисциплине «Введение в специальность» Задание: Написать эссе на тему «Почему выбрал(-а) телекоммуникации как профессию». ОРИЕНТИРОВОЧНЫЙ ПЛАН ЭССЭ: 1.Чем для Вас привлекательна область телекоммуникаций с профессиональной точки зрения. 2. По какой специальности хотели бы работать (можно использовать материал лекции 1). Если уже работаете, то опишите кем и почему. 3. Охарактеризуйте свою личную траекторию обучения, используя лекции 2,3 и 4 (перечислите те дисциплины, которы
ДО СИБГУТИ Работа Зачетная Введение в специальность
User xtrail : 23 августа 2025
150 руб.
23-00 СБ Делительное приспособление
Делительное приспособление 23-00 Устройство и работа приспособления. При фрезеровании зубчатых реек на горизонтально-фрезерном станке необходимо после изготовления каждой впадины между зубцами перемещать стол станка точно на величину шага рейки. Для этой цели служит делительное приспособление.Приспособление собирают в следующем порядке.Приспособление состоит из нескольких узлов, каждый из которых сначала собирают отдельно, а затем монтируют вместе.Узел I. На валик 2 надевают зубч
Черчение и компьютерная графика Ижевский государственный технический Университет Чертежи
User coolns : 26 ноября 2018
220 руб.
23-00 СБ Делительное приспособление promo
up Наверх