СибГУТИ. Физические основы электроники. Лабораторная Работа 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов.
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Дополнительная информация
Факультет: Радиосвязь, радиовещание и телевидение
2-й семестр
Зачет
2-й семестр
Зачет
Похожие материалы
Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Антон28
: 8 августа 2025
Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
1500 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
mirsan
: 24 января 2015
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Выполнение работы:
а) Снятие вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при условии: Iпр=f(Uпр)
б) Определение типа материала диода.
в) Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА.
г) Исследовани
55 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
lev12345678
: 17 марта 2013
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
Рис.1 Схема прямого включения
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
ДО Сибгути
: 26 января 2013
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
1.2 . Определение типа материала диода.
1.3 . Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА.
2.Обратное включение.
3. Исследование стабилитрона Д814А
4. Исследовани
150 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Все варианты
SibGUTI2
: 3 июня 2019
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Все варианты.
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный перехо
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
aleks797
: 17 декабря 2011
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковы
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов. Вариант общий.
seka
: 14 сентября 2018
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Указания к составлению отчета
5.1 Привести схемы исследования полупроводниковых диодов.
5.2 Привести таблицы с результатами измерений.
5.3 Привести вольтамперные характеристики (график 1) германиевого и кремниевого диодов для прямого включения.
5.4 По характеристикам определить сопротивления постоянному току и дифферен
45 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". (Для всех вариантов)
Roma967
: 29 мая 2015
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Выполнение работы:
1. Прямое включение.
1.1. Снятие вольтамперных характеристик диодов при прямом включении.
1.2. Определение материала диода.
1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе Iпр=4мА.
2. Обратное включение.
2.1. Снятие вольтамперной характеристики диода Д
300 руб.
Другие работы
ККЗ_Организационное проектирование и бизнес-моделирование
Krab
: 6 апреля 2021
MBA 3семестр. Контрольно-курсовое задание "Организационное проектирование и бизнес-моделирование"
Контрольно-курсовое задание по дисциплине
«Организационное проектирование и бизнес-моделирование»
(максимальная оценка 100 баллов)
Задания для выполнения приведены ниже, максимальное количество баллов за правильное выполнение всех заданий – 100 баллов.
Раздел 1 - необходимо ответить на вопросы кейса. Максимальное количество баллов – 50. Раздел 2 – необходимо выполнить задания, руководствуясь указ
230 руб.
Расчет технологического процесса восстановления кулака поворотного автомобиля КамАЗ-5320
DocentMark
: 9 сентября 2011
Политехнический колледж НовГУ, Великий Новгород, 28 страниц ,2010г.
190604 Техническое обслуживание и ремонт автомобильного транспорта
Исследовательская часть
Выбор способа устранения дефекта
Расчетная часть
Конструкторская часть
Список литературы
2 чертежа А4(деталь и план зоны востановления детали)
7 руб.
Теория языков программирования и методы трансляции. Курсовая работа. Вариант 19.
LowCost
: 8 января 2021
Написать программу, которая для языка, заданного контекстно-свободной грамматикой в требуемой форме (проверить корректность задания и при отрицательном результате выдать соответствующее сообщение), построит детерминированный распознаватель с магазинной памятью, используя алгоритм восходящего анализа с возвратами («сдвиг-свертка»).
Программа должна сгенерировать по исходной грамматике несколько цепочек в указанном диапазоне длин и проверить их допустимость построенным ДМПА. Процессы построения ц
499 руб.
Проектирование информационных систем. Лабораторная работа №2. вариант №6.
den1204
: 6 марта 2020
6. Парикмахерская: клиенты, прайс услуг, сотрудники, кассовый журнал.
Лабораторная работа 2 – Разработка структурных моделей ИС
Для выполнения лабораторной работы 2 необходимо предварительно изучить материал разделов No3 и No4 конспекта лекций по курсу.
При выполнении задания необходимо программное обеспечение для построения моделей данных CASE-средство ERWin. Рекомендуемая версия – AllFusion ERWin Data Modeler 2007 года выпуска.
1. На основе анализа предметной области произвести идентифика
200 руб.