СибГУТИ. Физические основы электроники. Лабораторная Работа 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов.
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Электроника физическая
-
Добавлен:
06.08.2009
-
Размер:
92 KB
-
Покупок:
4
-
Добавил:
Art55555
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Лабораторная Работа 1 (ФОЭ).doc
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Дополнительная информация
Факультет: Радиосвязь, радиовещание и телевидение
2-й семестр
Зачет
2-й семестр
Зачет
Похожие материалы
Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Антон28
: 8 августа 2025
Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Антон28
: 8 августа 2025
1500 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
mirsan
: 24 января 2015
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Выполнение работы:
а) Снятие вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при условии: Iпр=f(Uпр)
б) Определение типа материала диода.
в) Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА.
г) Исследовани
mirsan
: 24 января 2015
55 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
lev12345678
: 17 марта 2013
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
Рис.1 Схема прямого включения
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
lev12345678
: 17 марта 2013
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
ДО Сибгути
: 26 января 2013
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
1.2 . Определение типа материала диода.
1.3 . Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА.
2.Обратное включение.
3. Исследование стабилитрона Д814А
4. Исследовани
ДО Сибгути
: 26 января 2013
150 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Все варианты
SibGUTI2
: 3 июня 2019
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Все варианты.
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный перехо
SibGUTI2
: 3 июня 2019
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
aleks797
: 17 декабря 2011
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковы
aleks797
: 17 декабря 2011
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов. Вариант общий.
seka
: 14 сентября 2018
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Указания к составлению отчета
5.1 Привести схемы исследования полупроводниковых диодов.
5.2 Привести таблицы с результатами измерений.
5.3 Привести вольтамперные характеристики (график 1) германиевого и кремниевого диодов для прямого включения.
5.4 По характеристикам определить сопротивления постоянному току и дифферен
seka
: 14 сентября 2018
45 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". (Для всех вариантов)
Roma967
: 29 мая 2015
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Выполнение работы:
1. Прямое включение.
1.1. Снятие вольтамперных характеристик диодов при прямом включении.
1.2. Определение материала диода.
1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе Iпр=4мА.
2. Обратное включение.
2.1. Снятие вольтамперной характеристики диода Д
Roma967
: 29 мая 2015
300 руб.
Другие работы
Выбор способа охлаждения на ранней стадии проектирования
OstVER
: 13 ноября 2012
Существует значительное разнообразие схем выпрямителей с умножением напряжения.
Достоинства:
- сравнительная простота, с увеличением умножения по напряжению;
- заменяет исключительно сложный и малонадёжный высоковольтный трансформатор;
- есть возможность получить сетку питания напряжений постоянного тока;
Недостаток:
- невозможность питаниями нагрузок с большими токами: при больших токах емкости существенно разряжаются, следовательно, пульсация на выходе по напряжению растёт и, следовательно, па
OstVER
: 13 ноября 2012
5 руб.
Уровень жизни, его показатели, факторы роста и динамика в Республике Беларусь
evelin
: 8 ноября 2013
Экономическое развитие – не самоцель, а средство улучшения жизни. Социальные аспекты жизни общества по отношению к экономике вторичны: уровень жизни народа прямо зависит от уровня развития экономики. Однако именно социальные аспекты жизни общества являются главной целью экономического развития страны, главной целью экономических преобразований, основным критерием их эффективности.
Повышение уровня и качества жизни населения является комплексом мер, предпринимаемых государством, по поддержанию э
evelin
: 8 ноября 2013
5 руб.
Контрольная работа №1 по матанализу. 6-й вариант. 1-й семестр. ЗО.
grigorev1976
: 15 ноября 2014
6.Найти пределы функций, не пользуясь правилом Лопиталя:
а)
lim┬(x→∞)〖(3+x+5x^4)/(x^4-12x+1)〗.
б)
lim┬(x→0)〖(√(1+3х)-√(1-2х))/(x+x^2 ).〗
в) lim┬(x→0)〖(x^2 ctg2x)/sin3x〗.
г) lim┬(x→+∞)〖(2x+1)[ln〖(x+3)-lnx 〗 ].〗
16.Задана функция y = f(x). Найти точки разрыва функции, если они существуют.
Сделать чертеж.
-x, x≤0,
f(x)= sin x, 0< x ≤π,
x – 2, x > π.
26.Найти производные dy/dx данных функций.
а) y=1/√(x^2+1)+5√(5&x^
grigorev1976
: 15 ноября 2014
130 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Философия бизнеса
Анастасия5
: 15 июня 2017
Задание 1
Необходимо выбрать управляющего субъекта и управляемый объект и составить обобщённую модель механизма управления, определив все её элементы:
содержание элемента «память»,
возможных посредников,
объекты и процессы внешней среды,
цели управления (конкретизация целей для модели обязательна),
содержание программы.
Особенно обратите внимание на формулировку целей. Цели (их три!) ставятся для контура в целом, они объединяют управляющего субъекта и объект управления.
Задание 2
Придумайте си
Анастасия5
: 15 июня 2017
200 руб.
