Онлайн Тест 4 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем.
Состав работы
|
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Вопрос №1
При последовательном соединении элементов R, L и C при отрицательных значениях реактивного сопротивления и угла сдвига фаз электрическая цепь в целом носит следующий характер:
Активно-емкостной
Индуктивный
Активно-индуктивный
Емкостной
Нет правильного ответа
Вопрос №2
Светоизлучающий диод изготавливается из полупроводников...
l- и п- типа
р- и l- типа
р- и п- типа
р- типа диэлектрика
Нет правильного ответа
Вопрос №3
Как можно описать основное свойство биполярного транзистора?
В биполярном транзисторе можно управлять напряжением путем контроля протекающего по нему тока
В биполярном транзисторе ток коллектора напрямую зависит от внутренней проводимости p-n-переходов
В биполярном транзисторе небольшой ток базы управляет большим током коллектора
В биполярном транзисторе контроль уровня потенциальных барьеров p-n-переходов позволяет управлять напряжением
Нет правильного ответа
Вопрос №4
Как называется такой режим работы биполярного транзистора, когда к эмиттерному переходу приложено обратное напряжение, а к коллекторному - прямое?
Насыщения
Отсечки
Активный
Инверсный активный
Нет правильного ответа
Вопрос №5
Преимущество ЛФД перед Р-l-п фотодиодом заключается в...
Большей чувствительности
Малых габаритах
Большем сроке службы
Меньшем уровне шума
Нет правильного ответа
Вопрос №6
Конденсатор не проводит...
Постоянный ток
Переменный ток
Импульсный ток
Нет правильного ответа
Вопрос №7
Основной элемент аналоговых микросхем:
тиристор
диод
транзистор
динистор
тринистор
нет правильного ответа
Вопрос №8
В индуктивном элементе происходит:
Накопление электрической энергии
Рассеивание электрической энергии
Накопление магнитной энергии
Рассеивание магнитной энергии
Нет правильного ответа
Вопрос №9
Значение индуктивности прямо пропорционально:
Силе тока в цепи
Величине потокосцепления
Диэлектрической проницаемости среды
Нет правильного ответа
Вопрос №10
Как определяется дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода биполярного транзистора?
Нет правильного ответа
Как соотношение приращения напряжения на эмиттерном переходе к приращению тока базы при постоянном напряжении на коллекторном переходе
Как соотношение приращения напряжения на эмиттерном переходе к приращению тока эмиттера при постоянном напряжении коллектор-эмиттер
Как соотношение приращения напряжения на коллекторном переходе к приращению тока базы при постоянном напряжении на эмиттерном переходе
Вопрос №11
Какие направления характерны для совершенствования элементной базы электроники?
Повышение надежности
Снижение потребления мощности
Миниатюризация
Нет правильного ответа
Вопрос №12
Электронные устройства, преобразующие постоянное напряжение в переменное напряжение, называются:
Выпрямителями
Стабилитронами
Инверторами
Фильтрами
Нет правильного ответа
Вопрос №13
Как называется такой режим работы биполярного транзистора, когда и к эмиттерному, и к коллекторному переходам приложено прямое напряжение?
Насыщения
Отсечки
Активный
Инверсный активный
Нет правильного ответа
Вопрос №14
К какой из схем включения биполярного транзистора относятся указанные характеристики коэффициентов усиления и входного сопротивления: не дает усиления по току, имеет усиление по напряжению и малое входное сопротивление?
Схема с общей базой
Схема с общим эмиттером
Схема с общим коллектором
Нет правильного ответа
Вопрос №15
В каких случаях в схемах выпрямителей используется параллельное включение диодов?
При отсутствии конденсатора
При отсутствии катушки
При отсутствии резисторов
При отсутствии трёхфазного трансформатора
Нет правильного ответа
Вопрос №16
Особенностью включения биполярного транзистора по схеме с ОБ является:
усиление тока
усиление мощности
усиление напряжения
мощность и ток
усиление тока и напряжения
нет правильного ответа
Вопрос №17
При последовательном соединении элементов R, L и C при положительных значениях реактивного сопротивления и угла сдвига фаз электрическая цепь носит следующий характер:
Активно-емкостной
Индуктивный
Активно-индуктивный
Емкостной
Нет правильного ответа
Вопрос №18
Область рабочих параметров полевого транзистора, в которой канал существует от истока до стока называется:
областью насыщения
линейной областью
областью модуляции
нет правильного ответа
Вопрос №19
При параллельном соединении элементов R, L и C общая реактивная проводимость электрической цепи равна...
Полному комплексному сопротивлению схемы
Полной комплексной проводимости схемы
Суммарному значению сопротивлений всех элементов схемы
Нет правильного ответа
Вопрос №20
Что представляют собой коэффициенты передачи эмиттерного и базового токов биполярного транзистора?
Это отношения приращения тока коллектора к приращению тока эмиттера при постоянных напряжениях коллектор-эмиттер и база-эмиттер, соответственно
Это отношения приращения тока коллектора к приращению тока базы при постоянных напряжениях коллектор-эмиттер и коллектор-база, соответственно
Это отношения приращения тока эмиттера к приращению тока базы при постоянных напряжениях коллектор-эмиттер и эмиттер-база, соответственно
Нет правильного ответа
=============================================
При последовательном соединении элементов R, L и C при отрицательных значениях реактивного сопротивления и угла сдвига фаз электрическая цепь в целом носит следующий характер:
Активно-емкостной
Индуктивный
Активно-индуктивный
Емкостной
Нет правильного ответа
Вопрос №2
Светоизлучающий диод изготавливается из полупроводников...
l- и п- типа
р- и l- типа
р- и п- типа
р- типа диэлектрика
Нет правильного ответа
Вопрос №3
Как можно описать основное свойство биполярного транзистора?
В биполярном транзисторе можно управлять напряжением путем контроля протекающего по нему тока
В биполярном транзисторе ток коллектора напрямую зависит от внутренней проводимости p-n-переходов
В биполярном транзисторе небольшой ток базы управляет большим током коллектора
В биполярном транзисторе контроль уровня потенциальных барьеров p-n-переходов позволяет управлять напряжением
Нет правильного ответа
Вопрос №4
Как называется такой режим работы биполярного транзистора, когда к эмиттерному переходу приложено обратное напряжение, а к коллекторному - прямое?
Насыщения
Отсечки
Активный
Инверсный активный
Нет правильного ответа
Вопрос №5
Преимущество ЛФД перед Р-l-п фотодиодом заключается в...
Большей чувствительности
Малых габаритах
Большем сроке службы
Меньшем уровне шума
Нет правильного ответа
Вопрос №6
Конденсатор не проводит...
Постоянный ток
Переменный ток
Импульсный ток
Нет правильного ответа
Вопрос №7
Основной элемент аналоговых микросхем:
тиристор
диод
транзистор
динистор
тринистор
нет правильного ответа
Вопрос №8
В индуктивном элементе происходит:
Накопление электрической энергии
Рассеивание электрической энергии
Накопление магнитной энергии
Рассеивание магнитной энергии
Нет правильного ответа
Вопрос №9
Значение индуктивности прямо пропорционально:
Силе тока в цепи
Величине потокосцепления
Диэлектрической проницаемости среды
Нет правильного ответа
Вопрос №10
Как определяется дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода биполярного транзистора?
Нет правильного ответа
Как соотношение приращения напряжения на эмиттерном переходе к приращению тока базы при постоянном напряжении на коллекторном переходе
Как соотношение приращения напряжения на эмиттерном переходе к приращению тока эмиттера при постоянном напряжении коллектор-эмиттер
Как соотношение приращения напряжения на коллекторном переходе к приращению тока базы при постоянном напряжении на эмиттерном переходе
Вопрос №11
Какие направления характерны для совершенствования элементной базы электроники?
Повышение надежности
Снижение потребления мощности
Миниатюризация
Нет правильного ответа
Вопрос №12
Электронные устройства, преобразующие постоянное напряжение в переменное напряжение, называются:
Выпрямителями
Стабилитронами
Инверторами
Фильтрами
Нет правильного ответа
Вопрос №13
Как называется такой режим работы биполярного транзистора, когда и к эмиттерному, и к коллекторному переходам приложено прямое напряжение?
Насыщения
Отсечки
Активный
Инверсный активный
Нет правильного ответа
Вопрос №14
К какой из схем включения биполярного транзистора относятся указанные характеристики коэффициентов усиления и входного сопротивления: не дает усиления по току, имеет усиление по напряжению и малое входное сопротивление?
Схема с общей базой
Схема с общим эмиттером
Схема с общим коллектором
Нет правильного ответа
Вопрос №15
В каких случаях в схемах выпрямителей используется параллельное включение диодов?
При отсутствии конденсатора
При отсутствии катушки
При отсутствии резисторов
При отсутствии трёхфазного трансформатора
Нет правильного ответа
Вопрос №16
Особенностью включения биполярного транзистора по схеме с ОБ является:
усиление тока
усиление мощности
усиление напряжения
мощность и ток
усиление тока и напряжения
нет правильного ответа
Вопрос №17
При последовательном соединении элементов R, L и C при положительных значениях реактивного сопротивления и угла сдвига фаз электрическая цепь носит следующий характер:
Активно-емкостной
Индуктивный
Активно-индуктивный
Емкостной
Нет правильного ответа
Вопрос №18
Область рабочих параметров полевого транзистора, в которой канал существует от истока до стока называется:
областью насыщения
линейной областью
областью модуляции
нет правильного ответа
Вопрос №19
При параллельном соединении элементов R, L и C общая реактивная проводимость электрической цепи равна...
Полному комплексному сопротивлению схемы
Полной комплексной проводимости схемы
Суммарному значению сопротивлений всех элементов схемы
Нет правильного ответа
Вопрос №20
Что представляют собой коэффициенты передачи эмиттерного и базового токов биполярного транзистора?
Это отношения приращения тока коллектора к приращению тока эмиттера при постоянных напряжениях коллектор-эмиттер и база-эмиттер, соответственно
Это отношения приращения тока коллектора к приращению тока базы при постоянных напряжениях коллектор-эмиттер и коллектор-база, соответственно
Это отношения приращения тока эмиттера к приращению тока базы при постоянных напряжениях коллектор-эмиттер и эмиттер-база, соответственно
Нет правильного ответа
=============================================
Дополнительная информация
Не нашли нужный ответ на тесты СибГУТИ? Пишите, пройду тест БЕСПЛАТНО!
Помогу с вашим онлайн тестом, другой работой или дисциплиной.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Помогу с вашим онлайн тестом, другой работой или дисциплиной.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Похожие материалы
Элементная база телекоммуникационных систем
radist2020
: 30 января 2022
Вариант 15
Задание 1
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже таблицы 1).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2).
Задача 2
ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ
Задача 3
АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ ПОИСК ТРАНЗИСТОРА
600 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. ЛР2
Vladislaw
: 5 июня 2021
1. Транзистор с управляющим p-n переходом
2.Транзистор с индуцированным каналом
200 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 7
antoxa231
: 15 марта 2025
Контрольная работа по дисциплине
«Элементная база телекоммуникационных систем»
«Разработка интегрального цифрового устройства»
Вариант - 7
Цель работы: научиться составлять электрические схемы цифровых устройств на основе базовых цифровых интегральных микросхем (ЦИМС)
Задание :
вариант уравнение мощность/ток время
7 Y_1=(X_4∙X_5∙X_6 ) ̅+X_1∙X_2∙X_3 I_(потр.ср)<60 мкА 〖t^1,0〗_(зд р)<120нс
Y_2=(X_4∙X_5∙X_6 ) ̅∙X_1∙X_2∙X_3
Y_3=(X_1 ) ̅+(X_2 ) ̅+(X_3 ) ̅+(X_4 ) ̅+(X_5 ) ̅
Цель пер
300 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. вариант №55
ScienceMonkey
: 22 февраля 2022
ЗАДАЧА № 1
ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ
Задание:
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам,
приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже
таблицы 1).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами,
удовлетворяющими условиям (1) и (2).
ЗАДАЧА 2
АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ ПОИСК ТРАНЗИСТОРА
По заданным характеристикам, приведенным в таблице 2.1 выбрать
транзисторы. Для выбора транзисторов использовать справочник транзисторов
(для выхода в справочник необ
310 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №29
IT-STUDHELP
: 1 декабря 2021
ЗАДАЧА № 1
ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ
Задание:
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таб-лице 1. (формулы для расчета приведены в Приложении А).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2).
№ ВАРИАНТА
Предпоследняя цифра
2
Последняя цифра
9
400
360
Двухполупериодный выпрямитель со средней точкой
ЗАДАЧА 2
ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ
Задание:
1.Осуществить выбор стабилит
580 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №3
IT-STUDHELP
: 1 декабря 2021
ЗАДАЧА No 1
ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ
Задание:
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже таблицы 1).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2).
No ВАРИАНТА Последняя цифра 3
Предпоследняя цифра
0 Rн, Ом 400
U2, В 360
Тип выпрямителя Однополупериодный выпрямитель
ЗАДАЧА 2
ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ
Задание:
1.Осуществить
580 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. ЛР №1
Vladislaw
: 5 июня 2021
1. ВАХ диода
1.1 Исследование прямой ветви ВАХ диода
1.2 Исследование обратной ветви ВАХ диода
1.3 Графики прямой и обратной ветвей ВАХ диода Zelex BAV70
2. ВАХ стабилитрона
2.1 Исследование обратной ветви ВАХ стабилитрона
2.2 Исследование прямой ветви ВАХ стабилитрона
2.3 Графики прямой и обратной ветвей ВАХ стабилитрона motor 1n 1N5924B
200 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. ЛР №3
Vladislaw
: 5 июня 2021
1. Расчет и испытание транзисторного ключа
1.2 Расчёт и испытание транзисторного ключа на p-n-p транзисторе
2. Исследование входной и передаточной характеристик транзисторного ключа
2.2 Исследование входной и передаточной характеристик транзисторного ключа на p-n-p транзисторе
2.3 Передаточные характеристики (графические зависимости) транзисторных ключей.
200 руб.
Другие работы
Деньги, кредит, банки - Тест 1 / Тест 2 / Тест 3 / Тест 4 / Тест 5 / Тест 6 / Тест 7 / Тест 8 / Итоговый тест / Компетентностный тест / Правильные ответы на тесты Синергия МОИ МТИ МосАП.
alehaivanov
: 24 мая 2025
Деньги, кредит, банки - Тест 1 / Тест 2 / Тест 3 / Тест 4 / Тест 5 / Тест 6 / Тест 7 / Тест 8 / Итоговый тест / Компетентностный тест
Деньги, кредит, банки
• Введение в курс
• Тема 1. Деньги: сущность, функции и формы денег
• Тема 2. Денежный оборот. Эмиссия денег
• Тема 3. Безналичный и наличный денежные обороты. Денежная система
• Тема 4. Инфляция: формы проявления и социально-экономические последствия. Основные направления антиинфляционной политики
• Тема 5. Кредит: необходимость, функции, ф
185 руб.
Программирование на языках высокого уровня. Язык программирования Си (2-ой семестр). Лабораторная работа №3. Вариант №5
Aftalick
: 15 октября 2014
Задание
Используя функцию, написать программу по своему варианту.
Написать функцию “шапочка” f(x), зависящую от параметров a и b:
если |x| >a то f(x)=0 иначе f(x)=b*exp(-a2/(a2-|x|2)). В качестве параметров передать a,b,x.
95 руб.
Проблемы совершенствования мотивации труда государственных служащих (на примере Свердловской области)
OstVER
: 25 ноября 2012
Введение 2
Глава 1. Научное понятие мотивации...................................................................... 6
1.1. Взаимосвязь понятий мотивации: «цель», «мотивы» и «стимулы», «потребности» 6
1.2. Обзор содержательных теории мотивации............................................................. 7
1.3. Обзор процессуальных теории мотивации........................................... 21
1.4. Материальные потребности как основа
5 руб.
Механика жидкости и газа СПбГАСУ 2014 Задача 7 Вариант 43
Z24
: 1 января 2026
Из резервуара при постоянном манометрическом давлении рм = (20 + 0,2·y) кПа и постоянном уровне H = (1,0 + 0,1·z) м вода вытекает по вертикальной трубе переменного сечения, нижний конец которой погружен в открытый резервуар.
Определить расход Q в трубе и полное гидростатическое давление р2 в сечении 2 – 2, расположенном на высоте h = (0,5 + 0,02·y) = 0,58 м от свободной поверхности нижнего резервуара, если d1 = (50 + 5·z) = 95 мм, d2 = (75 + 2·y) = 83 мм (рис. 7).
Учитывать только местные
250 руб.