Контрольная и Лабораторные работы 1-3 по дисциплине: Электротехника и электроника. Вариант №01

Вариант No01

Задача 1
Задача посвящена знакомству с методами расчета сложных резистивных цепей.
На рис. 1 приведены схемы резистивных цепей в режиме постоянного тока. Номер схемы и параметры элементов схемы определяются в соответствии с вариантом по таблицам 1 и 2 соответственно.
Выполните следующее:
1. Перерисуйте схему своего варианта. Выпишите значения элементов схемы. Во всех вариантах внутреннее сопротивление источника тока равно 100 кОм.
2. Составьте систему уравнений электрического равновесия цепи на основе законов Кирхгофа.
3. Составьте и проверьте баланс мощности для исходной схемы
Решение:
1. Перерисуйте схему своего варианта. Выпишите значения элементов схемы. Во всех вариантах внутреннее сопротивление источника тока равно 100 кОм.

Вариант
 E, B IГ, А R1, Ом R2, Ом R3, Ом R4, Ом R5, Ом R6, Ом
01
 8 3 10 20 30 40 50 60
------------------------------------------------------------------------------

Задача 2.
Задача посвящена анализу переходного процесса в цепи первого порядка, содержащей резисторы, конденсатор или индуктивность. В момент времени t = 0 происходит переключение ключа К, в результате чего в цепи возникает переходной процесс.
1. Перерисуйте схему цепи (см. рис. 2.1) для Вашего варианта (таблица 1).
2. Выпишите числовые данные для Вашего варианта (таблица 2).
3. Рассчитайте все токи и напряжение на С или L в три момента времени
t=0, t=0+, t=¥.
Решение:
1. Перерисуйте схему цепи (см.рис. 2.1) для Вашего варианта (таблица 1).

2. Выпишите числовые данные для Вашего варианта (таблица 2).

3. Рассчитайте все токи и напряжение на С или L в три момента времени
t=0, t=0+, t=¥.

Параметры электрической цепи:
Таблица 2
No вар
 C, нФ R1,кОм R2,кОм R3,кОм E,В
01 20 2 2 2 10
------------------------------------------------------------------------------

Задание No3
Для своего варианта определить:
1. Сопротивление диода постоянному току при заданном прямом напряжении и температуре t1 градусов.
2. Сопротивление диода постоянному току при заданном обратном напряжении и температуре t2 градусов.
3. Дифференциальное сопротивление диода при заданном прямом напряжении и температуре t1 градусов.
4. Дифференциальное сопротивление диода при заданном обратном напряжении и температуре t2 градусов.
5. Рассчитать ток и напряжение в нагрузке, и падение напряжения на диоде в схеме, приведенной ниже, при заданном напряжении источника E и сопротивлении нагрузки Rн. Построить нагрузочную прямую. Температура равна t1 градусов.

Решение:
No

 Тип диода Прямое напряж.
Uпр ,В Обр. напряж.
Uобр ,В Напряжен
источника
Е, В Rн
Ом Темпер. t1, град. Темпер. t2, град.
1 мд226а 0,6 300 2 10 25 125

------------------------------------------------------------------------------

Задача 4
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 1), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность , рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия .

Схема усилителя
No вар.  Тип БТ  ЕК, В RН, Ом IБ0, мкА  IБМ, мкА
1  КТ603А  50  1000  200  150
------------------------------------------------------------------------------

Задача 5
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 4.

Варианты заданий для последней цифры кода студента.
Таблица П.1.1
No вар.  Тип БТ  ЕК, В RН, Ом IБ0, мкА  IБМ, мкА    
1  КТ603А  50  1000  200  150    

=============================================
=============================================
=============================================

лабораторная работа No1

1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых диодов, выполненных из различных материалов.
2.1.4 Влияние температуры на характеристики и параметры диодов.
2.1.5 Типы полупроводниковых диодов, особенности их устройства, работы и характеристики. Применение.

Снятие вольтамперных характеристик диодов при прямом включении. Последовательно сняты вольтамперные характеристики германиевого и кремниевого диодов IПР=f(UПР).
=============================================

лабораторная работа No2

1. Цель работы

Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).

2. Подготовка к работе

2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Устройство БТ, схемы включения (ОБ, ОЭ и ОК), режимы работы ( с точки зрения состояния переходов).
2.1.2 Потенциальные диаграммы для различных структур БТ в активном режиме работы.
2.1.3 Принцип действия БТ и основные физические процессы в нем.
2.1.4 Статический коэффициент передачи тока и уравнения коллекторного тока для всех схем включения.
2.1.5 Статические характеристики транзистора в схемах включения ОБ и ОЭ.
2.1.6 Предельные параметры режима работы БТ. Рабочая область характеристик.
2.1.7 Влияние температуры на работу БТ, его характеристики в схеме ОБ и ОЭ и предельные параметры.
2.1.8 Дифференциальные параметры БТ.
2.1.9 Усилитель на БТ.
=============================================

лабораторная работа No3

1 . Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).

2. Подготовка к работе
2.1.1. Устройство, назначение, принцип действия ПТ различных структур. 2.1.2. Схемы включения ПТ.
2.1.3. Статические характеристики.
2.1.4. Дифференциальные параметры ПТ и их определение по характеристикам.

Снятие передаточной характеристики IC=F(U3И).
Устанавливаем UCИ=10В и измеряем напряжение U3И до тех пор, пока IC не станет равным нулю. Результаты измерений заносим в таблицу 1. Определить напряжение отсечки U3ИО (определить напряжение U3И, при котором ток стока снизится примерно до 10 мкА).
=============================================

Проверил(а): Борисов Александр Васильевич
Оценка: Зачет
Дата оценки: 16.05.2023г.

Помогу с вашим вариантом, другой работой, дисциплиной или онлайн-тестом.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru