Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Состав работы
|
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Устройство БТ, схемы включения (ОБ, ОЭ и ОК), режимы работы (с точки зрения состояния переходов).
2.1.2 Потенциальные диаграммы для различных структур БТ в активном режиме работы.
2.1.3 Принцип действия БТ и основные физические процессы в нем.
2.1.4 Статический коэффициент передачи тока и уравнения коллекторного тока для всех схем включения.
2.1.5 Статические характеристики транзистора в схемах включения ОБ и ОЭ.
2.1.6 Предельные параметры режима работы БТ. Рабочая область характеристик.
2.1.7 Влияние температуры на работу БТ, его характеристики в схеме ОБ и ОЭ, и предельные параметры.
2.1.8 Дифференциальные параметры БТ.
2.1.9 Усилитель на БТ.
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Устройство БТ, схемы включения (ОБ, ОЭ и ОК), режимы работы (с точки зрения состояния переходов).
2.1.2 Потенциальные диаграммы для различных структур БТ в активном режиме работы.
2.1.3 Принцип действия БТ и основные физические процессы в нем.
2.1.4 Статический коэффициент передачи тока и уравнения коллекторного тока для всех схем включения.
2.1.5 Статические характеристики транзистора в схемах включения ОБ и ОЭ.
2.1.6 Предельные параметры режима работы БТ. Рабочая область характеристик.
2.1.7 Влияние температуры на работу БТ, его характеристики в схеме ОБ и ОЭ, и предельные параметры.
2.1.8 Дифференциальные параметры БТ.
2.1.9 Усилитель на БТ.
Похожие материалы
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
blur
: 31 августа 2023
1 . Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
2. Подготовка к работе
2.1.1. Устройство, назначение, принцип действия ПТ различных структур. 2.1.2. Схемы включения ПТ.
2.1.3. Статические характеристики.
2.1.4. Дифференциальные параметры ПТ и их определение по характеристикам.
50 руб.
«Исследование статических характеристик биполярного транзистора»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Устройство БТ, схемы включения (ОБ, ОЭ и ОК), режимы работы ( с точки зрения состояния переходов).
2.1.2 Потенциальные диаграммы для различных структур БТ в активном режиме работы.
2.1.3 Принцип действия БТ и основные физические процесс
350 руб.
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
ramzes14
: 6 ноября 2012
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
2. Отчет о работе
2.1. Исследовать БТ для схемы с ОБ.
Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рис. 2.1.
2.1.1. Снять две входные характеристики транзистора
70 руб.
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
JuliaRass
: 23 января 2011
Билет № 10
1. Высокочастотные диоды. Особенности конструкции. ВАХ.
Основные параметры.
2. Определение H - параметров по характеристикам БТ.
Биполярный транзистор в схемотехнических приложениях представляют как четырехполюсник и рассчитывают его параметры для такой схемы. Для транзистора как четырехполюсника характерны два значения тока I1 и I2 и два значения напряжения U1 и U2 (рис. 7).
150 руб.
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
DaemonMag
: 4 февраля 2010
Лабораторная работа №2 Физические основы электроники СибГУТИ 2 семестр
Для данной работу задание одно, вариант не выбирается
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
30 руб.
Вариант №3. исследование статических характеристик биполярного транзистора
MK
: 3 октября 2016
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Отчет о работе
2.1. Исследовать БТ для схемы с ОБ.
Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рис. 2.1.
2.1.1. Снять две входные характеристики транзистора IЭ = f(UЭБ) при UКБ = 0 UКБ = 8В (график 1). Результаты измерений з
152 руб.
Вариант №4. исследование статических характеристик биполярного транзистора
MK
: 14 сентября 2016
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Отчет о работе
2.1. Исследовать БТ для схемы с ОБ.
Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рис. 2.1.
2.1.1. Снять две входные характеристики транзистора IЭ = f(UЭБ) при UКБ = 0 UКБ = 8В (график 1). Результаты измерений за
172 руб.
Физические основы электроники " Исследование статических характеристик биполярного транзистора"
Антон28
: 8 августа 2025
Физические основы электроники " Исследование статических характеристик биполярного транзистора"
1500 руб.
Другие работы
Основы социального управления, его принципы и функции
alfFRED
: 6 февраля 2014
Содержание
Введение
1. Сущность, содержание социального управления. Обоснование необходимости
2. Информационный потенциал в сфере социального управления
Заключение
Список литературы
Введение
«В современном мире нет бедных и богатых стран, а есть плохо или хорошо управляемые государства».
Питер Дракер
Социальное управление (или, просто, управление), в отличие от технического и биологического, - это управление людьми, которые объединены в большие или малые социальные организации, вне которых не
10 руб.
Новая Зеландия — страна одного города?
DocentMark
: 27 сентября 2013
C разрастанием самого большого города Новой Зеландии ширится разрыв между ним и любым другим регионом страны. Первая перепись прошлого века, проведённая в 1901 году, показывала достаточно равномерное распределение населения и рабочих мест по всей стране, от North Cape на Северном острове до поселения Bluff на Южном. Всего лишь 9% жителей европейского происхождения проживали в Оклэнде, что было сравнимо с 6% в Веллингтоне и 7% в Крайстчёрче и Данедине. Ещё в шестидесятых годах прошлого века возмо
Инфоpмационные технологии и их pоль в обществе
alfFRED
: 9 августа 2013
В настоящее время в философской и научной литерату-
ре существуют альтернативные концепции возникновения
интеллекта. Также в настоящее время можно говорить о трех
видах интеллектуальных возможностях так называемых человеко-машинных систем. В их основе лежат одни и те же
процессы - информационные. Интеллект, имея в своей основе информационный субстрат, обладает способностью регулировать, определять развитие субъективно-объективных отношений. Возрастание формализованных объектов интеллекта бла
5 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. 4-й семестр.
58197
: 10 октября 2013
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Спектры потерь в световоде.
Раздел Излучатели.
2.Назначение и типы линз используемых в излучателях.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фотодиодов на основе p-n перехода.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного усилителя.