Исследование статических характеристик биполярного транзистора

Цена:
50 руб.

Состав работы

material.view.file_icon AFEF5676-590B-4EAD-B60D-2563AB841F14.docx
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Устройство БТ, схемы включения (ОБ, ОЭ и ОК), режимы работы (с точки зрения состояния переходов).
2.1.2 Потенциальные диаграммы для различных структур БТ в активном режиме работы.
2.1.3 Принцип действия БТ и основные физические процессы в нем.
2.1.4 Статический коэффициент передачи тока и уравнения коллекторного тока для всех схем включения.
2.1.5 Статические характеристики транзистора в схемах включения ОБ и ОЭ.
2.1.6 Предельные параметры режима работы БТ. Рабочая область характеристик.
2.1.7 Влияние температуры на работу БТ, его характеристики в схеме ОБ и ОЭ, и предельные параметры.
2.1.8 Дифференциальные параметры БТ.
2.1.9 Усилитель на БТ.
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
1 . Цель работы Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ). 2. Подготовка к работе 2.1.1. Устройство, назначение, принцип действия ПТ различных структур. 2.1.2. Схемы включения ПТ. 2.1.3. Статические характеристики. 2.1.4. Дифференциальные параметры ПТ и их определение по характеристикам.
User blur : 31 августа 2023
50 руб.
«Исследование статических характеристик биполярного транзистора»
1. Цель работы Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Устройство БТ, схемы включения (ОБ, ОЭ и ОК), режимы работы ( с точки зрения состояния переходов). 2.1.2 Потенциальные диаграммы для различных структур БТ в активном режиме работы. 2.1.3 Принцип действия БТ и основные физические процесс
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА 1. Цель работы Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). 2. Отчет о работе 2.1. Исследовать БТ для схемы с ОБ. Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рис. 2.1. 2.1.1. Снять две входные характеристики транзистора
User ramzes14 : 6 ноября 2012
70 руб.
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Билет № 10 1. Высокочастотные диоды. Особенности конструкции. ВАХ. Основные параметры. 2. Определение H - параметров по характеристикам БТ. Биполярный транзистор в схемотехнических приложениях представляют как четырехполюсник и рассчитывают его параметры для такой схемы. Для транзистора как четырехполюсника характерны два значения тока I1 и I2 и два значения напряжения U1 и U2 (рис. 7).
User JuliaRass : 23 января 2011
150 руб.
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Лабораторная работа №2 Физические основы электроники СибГУТИ 2 семестр Для данной работу задание одно, вариант не выбирается Исследование статических характеристик биполярного транзистора Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
User DaemonMag : 4 февраля 2010
30 руб.
Вариант №3. исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). Отчет о работе 2.1. Исследовать БТ для схемы с ОБ. Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рис. 2.1. 2.1.1. Снять две входные характеристики транзистора IЭ = f(UЭБ) при UКБ = 0 UКБ = 8В (график 1). Результаты измерений з
User MK : 3 октября 2016
152 руб.
Вариант №4. исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). Отчет о работе 2.1. Исследовать БТ для схемы с ОБ. Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рис. 2.1. 2.1.1. Снять две входные характеристики транзистора IЭ = f(UЭБ) при UКБ = 0 UКБ = 8В (график 1). Результаты измерений за
User MK : 14 сентября 2016
172 руб.
Физические основы электроники " Исследование статических характеристик биполярного транзистора"
Физические основы электроники " Исследование статических характеристик биполярного транзистора"
User Антон28 : 8 августа 2025
1500 руб.
Основы социального управления, его принципы и функции
Содержание Введение 1. Сущность, содержание социального управления. Обоснование необходимости 2. Информационный потенциал в сфере социального управления Заключение Список литературы Введение «В современном мире нет бедных и богатых стран, а есть плохо или хорошо управляемые государства». Питер Дракер Социальное управление (или, просто, управление), в отличие от технического и биологического, - это управление людьми, которые объединены в большие или малые социальные организации, вне которых не
User alfFRED : 6 февраля 2014
10 руб.
Новая Зеландия — страна одного города?
C разрастанием самого большого города Новой Зеландии ширится разрыв между ним и любым другим регионом страны. Первая перепись прошлого века, проведённая в 1901 году, показывала достаточно равномерное распределение населения и рабочих мест по всей стране, от North Cape на Северном острове до поселения Bluff на Южном. Всего лишь 9% жителей европейского происхождения проживали в Оклэнде, что было сравнимо с 6% в Веллингтоне и 7% в Крайстчёрче и Данедине. Ещё в шестидесятых годах прошлого века возмо
User DocentMark : 27 сентября 2013
Инфоpмационные технологии и их pоль в обществе
В настоящее время в философской и научной литерату- ре существуют альтернативные концепции возникновения интеллекта. Также в настоящее время можно говорить о трех видах интеллектуальных возможностях так называемых че­ловеко-машинных систем. В их основе лежат одни и те же процессы - информационные. Интеллект, имея в своей осно­ве информационный субстрат, обладает способностью регу­лировать, определять развитие субъективно-объективных отношений. Возрастание формализованных объектов интел­лекта бла
User alfFRED : 9 августа 2013
5 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. 4-й семестр.
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники». Раздел: Физические основы оптоэлектроники 1.Спектры потерь в световоде. Раздел Излучатели. 2.Назначение и типы линз используемых в излучателях. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3.Устройство и принцип действия фотодиодов на основе p-n перехода. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного усилителя.
User 58197 : 10 октября 2013
up Наверх