Контрольная работа по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №22
Состав работы
|
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Вариант No22
1 Задание.
1.1 Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.2 Определить выигрыш по занимаемому объему наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.3 Определить выигрыш по массе наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.4 Определить выигрыш по потребляемой мощности наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.5 Определить выигрыш по стоимости наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
2 Исходные данные
Наноэлектронное изделие представляет собой интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), приведенную в таблице 2.1.
Данные наноэлектронного изделия и параметры компонентов, которые используются для реализации изделия соответствующего по сложности наноэлектронному, приведены в таблицах 2.2-2.5.
------------------------------------------------------------------------------
Таблица 2.1 – Данные для вариантов элементной базы
Цифра пароля Тип наноизделия Тип транзистора Тип ЭВП Тип БИС
22 AMD Sempron M 3000+ КТ382АМ 6Э13Н ATF2500BQ
Таблица 2.2 – Параметры ЭВП
No Тип Iнак, мА Uнак, В Iанод, мА Uанод, В Nвывод Диаметр Ø, м∙10^(-3) Высота h, м∙10^(-3) Масса, г Цена, руб
8 6Э13Н 140 6,3 7 27 12 11 20,8 5 140
Таблица 2.3 – Параметры транзисторов
No Наименование Iпотр, мА Uпит, В Диаметр Ø, м∙10^(-3) Высота h, м∙10^(-3) Масса, г Цена, руб
20 КТ382АМ 30 10 5,3 2,7 0,3 25,70
Таблица 2.4 – Параметры БИС
No Наименование Iпот, мА Nэлем Uпит, В Nвывод Площадь S, м^2∙10^(-6) Высота h, м∙10^(-3) Масса, г Цена, руб
7 ATF2500BQ 30 6000 5,0 40 676 3,5 30 2451
Таблица 2.5 – Параметры наноизделий
No Наименование процессора Количество элементов, млн Количество выводов Потребляемая мощность, Вт Тактовая частота, ГГц Площадь S, кв. мм Напряжение питания, В Высота h, мм Технология, нм Цена, руб.
Min Max Min Max
18 AMD Sempron M 3000+ 109 754 62 35 1,8 112 1,1 1,3 3,2 90 2288
Таблица 2.6 – Интенсивность отказов дискретных элементов
Название радиоэлемента Интенсивность отказов, 10^(-6), 1/час
Транзисторы 0,01
Паяное соединение 0,0003
БИС 0,02
Наноиздение 0,03
ЭВП 0,25
Механическое соединение 0,01
=============================================
1 Задание.
1.1 Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.2 Определить выигрыш по занимаемому объему наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.3 Определить выигрыш по массе наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.4 Определить выигрыш по потребляемой мощности наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.5 Определить выигрыш по стоимости наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
2 Исходные данные
Наноэлектронное изделие представляет собой интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), приведенную в таблице 2.1.
Данные наноэлектронного изделия и параметры компонентов, которые используются для реализации изделия соответствующего по сложности наноэлектронному, приведены в таблицах 2.2-2.5.
------------------------------------------------------------------------------
Таблица 2.1 – Данные для вариантов элементной базы
Цифра пароля Тип наноизделия Тип транзистора Тип ЭВП Тип БИС
22 AMD Sempron M 3000+ КТ382АМ 6Э13Н ATF2500BQ
Таблица 2.2 – Параметры ЭВП
No Тип Iнак, мА Uнак, В Iанод, мА Uанод, В Nвывод Диаметр Ø, м∙10^(-3) Высота h, м∙10^(-3) Масса, г Цена, руб
8 6Э13Н 140 6,3 7 27 12 11 20,8 5 140
Таблица 2.3 – Параметры транзисторов
No Наименование Iпотр, мА Uпит, В Диаметр Ø, м∙10^(-3) Высота h, м∙10^(-3) Масса, г Цена, руб
20 КТ382АМ 30 10 5,3 2,7 0,3 25,70
Таблица 2.4 – Параметры БИС
No Наименование Iпот, мА Nэлем Uпит, В Nвывод Площадь S, м^2∙10^(-6) Высота h, м∙10^(-3) Масса, г Цена, руб
7 ATF2500BQ 30 6000 5,0 40 676 3,5 30 2451
Таблица 2.5 – Параметры наноизделий
No Наименование процессора Количество элементов, млн Количество выводов Потребляемая мощность, Вт Тактовая частота, ГГц Площадь S, кв. мм Напряжение питания, В Высота h, мм Технология, нм Цена, руб.
Min Max Min Max
18 AMD Sempron M 3000+ 109 754 62 35 1,8 112 1,1 1,3 3,2 90 2288
Таблица 2.6 – Интенсивность отказов дискретных элементов
Название радиоэлемента Интенсивность отказов, 10^(-6), 1/час
Транзисторы 0,01
Паяное соединение 0,0003
БИС 0,02
Наноиздение 0,03
ЭВП 0,25
Механическое соединение 0,01
=============================================
Дополнительная информация
Проверил(а): Елистратова Ирина Борисовна
Оценка: Отлично
Дата оценки: 04.10.2023г.
Помогу с вашим вариантом, другой дисциплиной, онлайн-тестом, либо сессией под ключ.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Оценка: Отлично
Дата оценки: 04.10.2023г.
Помогу с вашим вариантом, другой дисциплиной, онлайн-тестом, либо сессией под ключ.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Похожие материалы
Контрольная работа по дисциплине: «Элементная база телекоммуникационных систем». Вариант №22.
teacher-sib
: 30 августа 2023
Цель работы
Оценить технико-экономическую эффективность внедрения изделий наноэлектроники.
Выбор варианта
В качестве наноэлектронного изделия студенты рассматривают интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), тип которой соответствует двум последним цифрам пароля (см. табл. 3.1).
Данные наноэлектронного изделия и параметры компонентов, которые используются для реализации изделия соответствующего по сложности наноэлектронному, студенты выбирают из таблицы П.1.
Таблица 3.1. Данны
800 руб.
Контрольная работа По дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем
Виктория30
: 30 ноября 2022
ЗАДАЧА № 1
ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ
Задание:
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам,
приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже таблицы 1).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами,
удовлетворяющими условиям (1) и (2).
Таблица 1.1 – Исходные данные
№ ВАРИАНТА Последняя
цифра
8
Предпослед няя
цифра
5
Rн, Ом 400
U2, В 360
Тип выпрямителя Двухполупериодный
выпрямитель со средней точкой
ЗАДАЧА № 2
АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ ПОИСК ТРАНЗИСТО
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине "Элементная база телекоммуникационных систем"
Oksgus
: 13 июля 2022
1. Цель работы
Оценить технико-экономическую эффективность внедрения изделий наноэлектроники.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса
Классификация и система обозначений электронных приборов и интегральных схем.
Технико-экономические показатели радиоаппаратуры разных поколений.
3. Выбор варианта
В качестве наноэлектронного изделия студенты рассматривают интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), тип которой соответствует двум последним цифрам пароля (см. т
450 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем
radist2020
: 30 января 2022
Вариант 15
Задание 1
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже таблицы 1).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2).
Задача 2
ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ
Задача 3
АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ ПОИСК ТРАНЗИСТОРА
600 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №12
IT-STUDHELP
: 15 мая 2026
АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ
Цель работы
Оценить технико-экономическую эффективность внедрения изделий наноэлектроники.
1. Исходные данные
В качестве наноэлектронного изделия студенты рассматривают интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), тип которой соответствует двум последним цифрам пароля (таблица 1.1).
Данные наноэлектронного изделия и параметры компонентов, которые используются для реализации изделия соответствую
700 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 6
Учеба "Под ключ"
: 22 ноября 2025
«ЭЛЕМЕНТЫ ЦИФРОВОЙ АППАРАТУРЫ ТЕЛЕКОММУНИКАЦИОННЫХ УСТРОЙСТВ»
ЦЕЛЬ РАБОТЫ
Изучить основные правила и методы разработки цифровой аппаратуры телекоммуникационных систем.
ЗАДАНИЕ
В задании приведены четыре уравнения (Приложение А). В этих уравнениях Y1, Y2, Y3, Y4 – выходные логические сигналы устройства, Х1, Х2, Х3, Х4, Х5, Х6, X7, X8 – входные логические сигналы (их количество в разных вариантах может быть до восьми).
Задание – разработать электрическую схему цифрового устройства, выпо
900 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 12
xtrail
: 25 августа 2025
АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ
В качестве наноэлектронного изделия студенты рассматривают интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), тип которой соответствует двум последним цифрам пароля (см. табл. 1.1).
Таблица 1.1 - Данные для вариантов элементной базы
Цифра пароля: 12
Тип наноизделия: Intel Core 2 Extreme X 6800
Тип транзистора: KT306AM
Тип ЭВП: 6С65Н
Тип БИС: ATF2500BQL
Данные наноэлектронного изделия и параметры компонентов,
900 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 01
Roma967
: 21 мая 2025
ЭЛЕМЕНТЫ ЦИФРОВОЙ АППАРАТУРЫ ТЕЛЕКОММУНИКАЦИОННЫХ УСТРОЙСТВ
ЦЕЛЬ РАБОТЫ
Изучить основные правила и методы разработки цифровой аппаратуры телекоммуникационных систем
ЗАДАНИЕ
В задании приведены четыре уравнения (Приложение А). В этих уравнениях Y1, Y2, Y3, Y4 – выходные логические сигналы устройства, Х1, Х2, Х3, Х4, Х5, Х6, X7, X8 – входные логические сигналы (их количество в разных вариантах может быть до восьми).
Задание – разработать электрическую схему цифрового устройства, выполняющего э
900 руб.
Другие работы
Лабораторная работа №2 по дисциплине: «Современные технологии программирования». Абстрактный тип данных (ADT) «p - ичная память». Вариант №1
xtrail
: 17 апреля 2013
1. Задание.
Тема: Классы Object Pascal, С++
Цель: Сформировать практические навыки: реализации абстрактного типа данных с помощью классов Object Pascal, С++.
Задание
1. В соответствии с приведенной ниже спецификацией реализовать абстрактный тип данных «р-ичная память», используя класс
• Object Pascal,
• C++.
2. Протестировать каждую операцию, определенную на типе данных одним из методов тестирования.
Содержание отчета
1. Задание.
2. Текст программы.
3. Тестовые наборы данных для тестирования ти
200 руб.
Бруй Л.П. Техническая термодинамика и теплопередача ТОГУ Задача 5 Вариант 98
Z24
: 14 января 2026
Определить потерю теплоты одним погонным метром стального паропровода с наружным диаметром 100 мм в результате лучистого теплообмена. Паропровод расположен в кирпичном канале, имеющем поперечное сечение 300×300 мм. Температуру наружной поверхности паропровода t1 и внутренней поверхности стенок канала t2 принять из табл. 3. Степень черноты окисленной стали и красного кирпича см. в. приложении 1.
В конце задачи следует ответить письменно на следующие вопросы:
1. Что называется степенью черно
180 руб.
Инженерная графика. Задание №64. Вариант №24. Задачи №1,2,3,4 (Комплект)
Чертежи
: 2 мая 2021
Все выполнено в программе КОМПАС 3D v16.
Боголюбов С.К. Индивидуальные задания по курсу черчения.
Задание 64. Вариант 24
Данный комплект состоит из четырёх задач.
Задача 1. Выполнить простой разрез на главном виде детали, совместив половину вида и половину разреза. Не смотря на это, во многих ВУЗах данную задачу делают не по заданию оригинала, а в трёх видах и с изометрией детали с четвертью выреза, поэтому дополнительно было сделано и так.
Задача 2. Выполнить наклонный разрез А-А, заменив и
210 руб.
История судоходства
kostak
: 5 октября 2009
Оглавление:
1. Единая глубоководная система Европейской части России…………2
2. Конструктивные элементы корпуса судна…………………………….3
3. Механизмы и внутрискладская механизация для обработки грузов...6
Единая глубоководная система Европейской части России
В настоящее время в соответствии с Европейским соглашением о важнейших внутренних водных путях международного значения от 26 сентября 1997 г. водные пути Единой глубоководной системы европейской части Российской Федерации протяженностью 6,5 тыс. к