Контрольная по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №16

Состав работы

material.view.file_icon DDC1AB4F-BFE6-40B3-BDFC-2FE28E52F47F.docx

Необходимые программы

Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ

В качестве наноэлектронного изделия студенты рассматривают интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), тип которой соответствует двум последним цифрам пароля (см. табл. 1.1).
Таблица 1.1 - Данные для вариантов элементной базы
Цифра пароля: 16
Тип наноизделия: Dual-Core Intel Xeon 5160
Тип транзистора: КТ371А
Тип ЭВП: 6Э12Н
Тип БИС: ATF1508ASV

1.1 Задания к практическим занятиям

1.1. Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.2. Определить выигрыш по занимаемому объему наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.3. Определить выигрыш по массе наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.4. Определить выигрыш по потребляемой мощности наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.5. Определить выигрыш по стоимости наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.

Дополнительная информация

Без замечаний.
2024 год
Преподаватель: Игнатов А.Н.
Контрольная работа по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систе. Вариант №16
Контрольная работа РАЗРАБОТКА ИНТЕГРАЛЬНОГО ЦИФРОВОГО УСТРОЙСТВА Задание: В задании приведены четыре уравнения. В этих уравнениях Y1, Y2, Y3, Y4 – выходные логические сигналы устройства, Х1, Х2, Х3, Х4, Х5, Х6, X7, X8 – входные логические сигналы ( их количество в разных вариантах может быть до восьми). Задание – разработать электрическую схему цифрового устройства, выполняющего эти функции. При этом накладываются дополнительные требования: – общая потребляемая мощность устройства не должна п
User IT-STUDHELP : 9 мая 2023
600 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систе. Вариант №16 promo
Контрольная работа по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №16
Контрольная работа АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ по дисциплине «Элементная база телекоммуникационных систем» Задание. 1.1 Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции. 1.2 Определить выигрыш по занимаемому объему наноэлектронного изделия по отношению к реализации издели
User IT-STUDHELP : 3 декабря 2022
950 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №16 promo
Элементная база телекоммуникационных систем
Вариант 15 Задание 1 1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже таблицы 1). 2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2). Задача 2 ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ Задача 3 АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ ПОИСК ТРАНЗИСТОРА
User radist2020 : 30 января 2022
600 руб.
Контрольная работа По дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем
ЗАДАЧА № 1 ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ Задание: 1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже таблицы 1). 2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2). Таблица 1.1 – Исходные данные № ВАРИАНТА Последняя цифра 8 Предпослед няя цифра 5 Rн, Ом 400 U2, В 360 Тип выпрямителя Двухполупериодный выпрямитель со средней точкой ЗАДАЧА № 2 АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ ПОИСК ТРАНЗИСТО
User Виктория30 : 30 ноября 2022
100 руб.
Контрольная работа По дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем
Контрольная работа по дисциплине "Элементная база телекоммуникационных систем"
1. Цель работы Оценить технико-экономическую эффективность внедрения изделий наноэлектроники. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса Классификация и система обозначений электронных приборов и интегральных схем. Технико-экономические показатели радиоаппаратуры разных поколений. 3. Выбор варианта В качестве наноэлектронного изделия студенты рассматривают интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), тип которой соответствует двум последним цифрам пароля (см. т
User Oksgus : 13 июля 2022
450 руб.
Контрольная работа по дисциплине "Элементная база телекоммуникационных систем"
Контрольная по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 09
АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ В качестве наноэлектронного изделия студенты рассматривают интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), тип которой соответствует двум последним цифрам пароля (см. табл. 1.1). Таблица 1.1 - Данные для вариантов элементной базы Цифра пароля: 9 Тип наноизделия: Dual-Core Intel Xeon 5130 Тип транзистора: КТ372А Тип ЭВП: 6С51Н Тип БИС: ATF2500BQ Данные наноэлектронного изделия и параметры компонентов, ко
User xtrail : 9 августа 2024
900 руб.
promo
Контрольная по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 04
АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ 1 Задание. 1.1 Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции. 1.2 Определить выигрыш по занимаемому объему наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегра
User xtrail : 8 августа 2024
900 руб.
promo
Контрольная по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 01
АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ Содержание 1 Задание. 3 2 Исходные данные 3 3 Определение выигрыша во времени безотказной работы 5 4 Определение выигрыша по занимаемому объему 7 5 Определение выигрыша в массе 9 6 Определение выигрыша по потребляемой мощности 10 7 Определение выигрыша в стоимости 12 Выводы 13 1 Задание. 1.1 Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложно
User xtrail : 7 августа 2024
900 руб.
promo
Экзаменационная работа. Направляющие системы электросвязи. Билет № 17
Экзаменационный билет № 17 1. Классификация оптических кабелей. Типовые конструкции кабелей 2. Структура и канальные планы систем WDM.
User Aleks3434 : 29 мая 2014
70 руб.
Термодинамика и теплопередача ТЕХНИЧЕСКАЯ ТЕРМОДИНАМИКА ИрГУПС 2015 Задача 1 Вариант 3
Какое массовое количество воздуха должно быть подано компрессором в резервуар объемом 3 м³, чтобы при постоянной температуре t1 и барометрическом давлении 750 мм рт. ст. давление по манометру в нем повысилось от р1 до р2?
User Z24 : 20 ноября 2025
150 руб.
Термодинамика и теплопередача ТЕХНИЧЕСКАЯ ТЕРМОДИНАМИКА ИрГУПС 2015 Задача 1 Вариант 3
Самооценка как фактор психического развития и здоровья детей младшего школьного возраста
Оглавление Введение.. 3 Глава I. Проблема самооценки в младшем школьном возрасте 6 1.1 Психологическая характеристика детей младшего школьного возраста. 6 1.2 Понятие психического здоровья и самооценки личности в психологии и педагогике 10 1.3 Развитие самооценки в младшем школьном возрасте. 14 Выводы по I главе. 23 Глава II. Опытно-практическая работа по изучению особенности самооценки в младшем школьном возрасте 24 2.1 Оранизация и методы экспериментального исследования уровня сам
User evelin : 19 октября 2013
up Наверх