Лабораторные работы (3шт) по дисциплине: Физические основы электроники. (3-й семестр).
Состав работы
|
|
|
|
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Лабораторные работы:
Работа №1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Работа №2 Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ) .
Работа № 3 Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов
Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
Работа №1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Работа №2 Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ) .
Работа № 3 Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов
Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
Дополнительная информация
Оценена Ваша работа по предмету: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)
Вид работы: Лабораторная работа 1,2,3
Оценка: Зачет
Дата оценки: 11.04.2024
Вид работы: Лабораторная работа 1,2,3
Оценка: Зачет
Дата оценки: 11.04.2024
Похожие материалы
Лабораторные работы (3шт) по дисциплине: Физические основы электроники. (3-й семестр)
Jack
: 30 марта 2013
Лабораторные работы:
Работа №1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Работа № 2 Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с
300 руб.
Лабораторные работы (3шт.) по дисциплине: Физические основы электроники.
manylives
: 27 марта 2019
Лабораторные работы:
Работа №1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Работа № 2 Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с
130 руб.
Лабораторные работы (3шт) по дисциплине: Физические основы электроники. (3-й семестр). Вариант 3
ДО Сибгути
: 5 февраля 2016
Лабораторные работы:
Работа №1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Работа № 2 Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с
150 руб.
Лабораторные работы № 1-3. Физические основы электроники, 3-й семестр
SybNet
: 22 сентября 2012
Лабораторные работы №1-3 Физические основы электроники, 3 семестр
Работы без варианта, но выполняются через программу в онлайн.
Дистанционное обучение СибГУТИ
Лаб. №1: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" (диоды Д7Ж и Д220).
Лаб. №2: "Исследование статических характеристик биполярного транзистора" (транзистор МП37А)
Лаб №3: "Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов"
150 руб.
Лабораторные работы №1, №2, №3 по дисциплине: Физические основы электроники. (3-й семестр)
ДО Сибгути
: 10 февраля 2016
Лабораторные работы:
Работа №1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Работа № 2 Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с
200 руб.
Лабораторные работы по дисциплине: Физические основы электроники.
Amor
: 19 октября 2013
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники. Тема: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Ход работы
1. Прямое включение.
1.1. Снятие вольт-амперных характеристик диодов при прямом включении.
1.2. Определение материала диода.
1.3. Определение сопротивления постоянному ток
850 руб.
Физические основы электроники. 2-й семестр. Лабораторная работа 1,2,3. Вариант №04
Ирина16
: 28 марта 2017
Лаб.работа № 1.Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов.
Лаб.работа № 2. Исследование статических характеристик биполярного транзистора.
Лаб.работа № 3. Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов.
200 руб.
Лабораторная работа №1. Физические основы электроники. 2-й семестр, Вариант: №2
CDT-1
: 3 апреля 2013
Лабораторная работа №2
"Исследование статических характеристик
биполярного транзистора"
По дисциплине: Физические основы электроники
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Схема с ОБ
Схема исследования
110 руб.
Другие работы
Чертеж насос НКВ 360-200-Вал-Рабочее колесо-спецификация-Чертеж-Машины и аппараты нефтехимических производств-Курсовая работа-Дипломная работа
lenya.nakonechnyy.92@mail.ru
: 7 июня 2018
Чертеж насос НКВ 360-200-Вал-Рабочее колесо-спецификация-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Машины и аппараты нефтехимических производств-Курсовая работа-Дипломная работа
553 руб.
Патрубок - А6ГР.01.15.00.000 СБ
.Инженер.
: 9 декабря 2022
Сапельников А.А. Инженерная графика.
Вариант 15 - Патрубок
В состав работы входит:
-3D модели всех деталей;
-3D сборка;
-3D сборка с разносом компонентов;
- Чертежи всех деталей;
- Чертежи стандартных изделий;
-Сборочный чертеж;
-Спецификация.
А6ГР.01.15.00.000 СБ - Патрубок Сборочный чертеж
А6ГР.01.15.01.000 СБ - Патрубок сварной Сборочный чертеж
А6ГР.01.15.02.000 СБ - Отвод сварной Сборочный чертеж
А6ГР.01.15.00.001 - Фланец
А6ГР.01.15.00.002 - Прокладка
А6ГР.01.15.01.001 - Фланец
А6ГР.01.15
250 руб.
Личность Сталина
GnobYTEL
: 3 января 2013
I.1. Понятие личности в психологии. Структура и
направленность личности.
I.2. Может ли личность повлиять на ход истории.
II. Основная часть. Роль личности Сталина в истории
России.
II.1. Общий анализ жизнедеятельности Сталина.
II.2. Роль Сталина в истории России.
Ш. Заключение.
I. Вводная часть.
I.1. Понятие личности в психологии. Структура и направленность личности.
ичность – деятель общественного развития, сознательный индивид, занимающий определённое положение в
15 руб.
Схемотехника телекоммуникационных устройств. Курсовая работа. Вариант 20
rmn77
: 10 ноября 2020
Схемотехника телекоммуникационных устройств. Курсовая работа. Вариант 20
Необходимо выбрать тип усилительных элементов и режим работы, рассчитать принципиальную схему по исходным данным, представленным в таблицах 1 и 2. Принципиальная схема группового усилителя приведена на рисунке 4.1 в методических указаниях к курсовому проекту.
Исходные данные
Количество каналов, тч 80
Максимальная температура грунта 35
Уровень передачи УП, дБ 14,8
Требуемое затухание нелинейности АГ0 2, дБ 68
АГ0 3, дБ 73
630 руб.