Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
-
Категории:
ДО СИБГУТИ, Работа Лабораторная, Физические основы электроники
-
Добавлен:
08.08.2025
-
Размер:
106 KB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
Антон28
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Лабораторная работа.doc
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Дополнительная информация
Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Похожие материалы
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". (Для всех вариантов)
Roma967
: 29 мая 2015
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Выполнение работы:
1. Прямое включение.
1.1. Снятие вольтамперных характеристик диодов при прямом включении.
1.2. Определение материала диода.
1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе Iпр=4мА.
2. Обратное включение.
2.1. Снятие вольтамперной характеристики диода Д
Roma967
: 29 мая 2015
300 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" Вариант: 11
konst1992
: 31 января 2018
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов.
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
Рис.1 Схема прямого включения
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
Таблица 1.1а – диод Д7Ж
Uпр, В 0 0,295 0,345 0,381 0,406 0,427 0,447
konst1992
: 31 января 2018
50 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники. Тема: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Amor
: 19 октября 2013
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Ход работы
1. Прямое включение.
1.1. Снятие вольт-амперных характеристик диодов при прямом включении.
1.2. Определение материала диода.
1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе мА.
2. Обратное вк
Amor
: 19 октября 2013
300 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
aleks797
: 17 декабря 2011
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковы
aleks797
: 17 декабря 2011
50 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники Тема: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" (ВСЕ варианты)
Елена22
: 7 октября 2015
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Выполнение лабораторной работы.
1. Прямое включение.
1.2. Определение материала диода.
1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе Iпр=5мА
2. Обратное включение.
2.1. Снятие вольтамперной характеристики диода Д7Ж при обратном включении.
2.2. Определение сопротивления
Елена22
: 7 октября 2015
300 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
mirsan
: 24 января 2015
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Выполнение работы:
а) Снятие вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при условии: Iпр=f(Uпр)
б) Определение типа материала диода.
в) Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА.
г) Исследовани
mirsan
: 24 января 2015
55 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
lev12345678
: 17 марта 2013
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
Рис.1 Схема прямого включения
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
lev12345678
: 17 марта 2013
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
ДО Сибгути
: 26 января 2013
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
1.2 . Определение типа материала диода.
1.3 . Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА.
2.Обратное включение.
3. Исследование стабилитрона Д814А
4. Исследовани
ДО Сибгути
: 26 января 2013
150 руб.
Другие работы
Чернобыльская авария и ее последствия
evelin
: 16 марта 2014
Введение……………………………………………………………………...3
1. Как все начиналось………………………………………………….4
2. Как это было………………………………………………………....7
3. Последствия чернобыльской аварии……………………………….9
4. Радиация: мифы и реальность……………………………………..12
5. «Чернобыльское слабоумие»………………………………………14
6. Природа……………………………………………………………...15
Заключение…………………………………………………………………..18
Список литературы………………………………………………………….19
Введение
Двадцатый век характеризуется большим прогрессом в науке, что предоставило людям в их распоряжение
evelin
: 16 марта 2014
5 руб.
Инженерная графика. Задание №64. Вариант №3. Задача №4. Плита
Чертежи
: 19 апреля 2021
Все выполнено в программе КОМПАС 3D v16.
Боголюбов С.К. Индивидуальные задания по курсу черчения.
Задание 64. Вариант 3. Задача 4. Плита
В данной задаче необходимо выполнить ступенчатый разрез, заменив им один из видов, на котором он не указан.
В состав работы входят три файла:
- 3D модель детали;
- ассоциативный чертеж детали в двух видах с выполненным ступенчатым разрезом;
- аналогичный обычный чертеж.
*.rar - это разрешение файла семейства архивов. Все файлы данной работы помещены в архи
Чертежи
: 19 апреля 2021
65 руб.
Лабораторные работы 1-2 по дисциплине: Элементная база электронной техники. Вариант №5
IT-STUDHELP
: 16 ноября 2022
Лабораторная работа No1
РАЗРАБОТКА ИНТЕГРАЛЬНОГО ЦИФРОВОГО УСТРОЙСТВА
по дисциплине
«Элементная база телекоммуникационных систем»
1 Цель работы
Научиться составлять электрические схемы цифровых устройств на основе базовых цифровых интегральных микросхем (ЦИМС).
2 Задание
2.1. На основе анализа исходных уравнений задания произвести их упрощение (если это возможно) и преобразование. Цель преобразования – привести уравнения к виду, удобному для реализации.
2.2. Составить формальную электрическу
IT-STUDHELP
: 16 ноября 2022
700 руб.
Средства программного управления в телекоммуникациях. вариант №12
Максим112
: 16 июля 2019
Задача 1
Изобразить схему алгоритма приема информации о новых вызовах в СКПУ (программ ПСК1 и ПСК2). Привести пример обработки данных в процессе приема, используя исходные данные из таблицы 1. Запишите заявки в буфер предварительных заявок (БПЗ) и буфер заявок для обработки новых вызовов (БЗО).
Нумерация оконечных устройств начинается с правого нулевого разряда в нулевой группе (К=0).
Обозначения в таблице 1:
СОС1 - слово очередного сканирования один;
СОС2 - слово очередного сканирования два;
Максим112
: 16 июля 2019
300 руб.
