Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
-
Категории:
ДО СИБГУТИ, Работа Лабораторная, Физические основы электроники
-
Добавлен:
08.08.2025
-
Размер:
106 KB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
Антон28
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Лабораторная работа.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Дополнительная информация
Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Похожие материалы
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". (Для всех вариантов)
Roma967
: 29 мая 2015
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Выполнение работы:
1. Прямое включение.
1.1. Снятие вольтамперных характеристик диодов при прямом включении.
1.2. Определение материала диода.
1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе Iпр=4мА.
2. Обратное включение.
2.1. Снятие вольтамперной характеристики диода Д
Roma967
: 29 мая 2015
300 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" Вариант: 11
konst1992
: 31 января 2018
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов.
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
Рис.1 Схема прямого включения
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
Таблица 1.1а – диод Д7Ж
Uпр, В 0 0,295 0,345 0,381 0,406 0,427 0,447
konst1992
: 31 января 2018
50 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники. Тема: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Amor
: 19 октября 2013
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Ход работы
1. Прямое включение.
1.1. Снятие вольт-амперных характеристик диодов при прямом включении.
1.2. Определение материала диода.
1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе мА.
2. Обратное вк
Amor
: 19 октября 2013
300 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
aleks797
: 17 декабря 2011
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковы
aleks797
: 17 декабря 2011
50 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники Тема: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" (ВСЕ варианты)
Елена22
: 7 октября 2015
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Выполнение лабораторной работы.
1. Прямое включение.
1.2. Определение материала диода.
1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе Iпр=5мА
2. Обратное включение.
2.1. Снятие вольтамперной характеристики диода Д7Ж при обратном включении.
2.2. Определение сопротивления
Елена22
: 7 октября 2015
300 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
mirsan
: 24 января 2015
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Выполнение работы:
а) Снятие вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при условии: Iпр=f(Uпр)
б) Определение типа материала диода.
в) Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА.
г) Исследовани
mirsan
: 24 января 2015
55 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
lev12345678
: 17 марта 2013
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
Рис.1 Схема прямого включения
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
lev12345678
: 17 марта 2013
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
ДО Сибгути
: 26 января 2013
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
1.2 . Определение типа материала диода.
1.3 . Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА.
2.Обратное включение.
3. Исследование стабилитрона Д814А
4. Исследовани
ДО Сибгути
: 26 января 2013
150 руб.
Другие работы
Гидравлика АКАДЕМИЯ ГРАЖДАНСКОЙ ЗАЩИТЫ Задача 4 Вариант 74
Z24
: 10 марта 2026
Определить предельную высоту расположения оси центробежного насоса над уровнем воды в водоисточник h, если расход воды из насоса Q, диаметр всасывающей трубы d. Вакуумметрическое давление, создаваемое во всасывающем патрубке рв, потери напора во всасывающей линии 1 м.
Z24
: 10 марта 2026
150 руб.
Гидравлика Задача 2.516
Z24
: 17 марта 2026
Какую силу Р нужно приложить к поршню левого цилиндра, наполненного водой, чтобы уравновесить давление воды на поршень правого цилиндра при следующих данных: диаметры поршней d1 = 0,3 м, d2 = 0,2 м, d3 = 0,4 м? Высота столба воды в пьезометрической трубке h2 = 1,2 м, левый поршень поднят на высоту h1 = 0,5 м (рис. 3).
Z24
: 17 марта 2026
150 руб.
Выключатель ВК.29.00.00 ЧЕРТЕЖ
coolns
: 7 сентября 2023
Выключатель ВК.29.00.00 ВО
Путевой контактный выключатель прямого действия с самовозвратНом применяется в стационарных установках для подачи сигнала переключения в электрических цепях управления.
При механическом воздействии на ролик 6 шток 8 перемещается в корпусе 1. При этом пружина 5 воздействует на контакты микропереключателя 14, которые осуществляют подачу сигналов на переключение.
Выключатель ВК.29.00.00 сб
Выключатель ВК.29.00.00 спецификация
Выключатель ВК.29.00.00 3d сборка
Выключател
coolns
: 7 сентября 2023
350 руб.
Теплотехника МГУПП 2015 Задача 2.1 Вариант 60
Z24
: 7 января 2026
Влажный насыщенный пар массой 1 кг и давлением р1 со степенью сухости х1 превращается при постоянном давлении в перегретый пар со степенью перегрева Δt. Затем пар изохорно охлаждается до состояния влажного насыщенного пара со степенью сухости х3. Определить (с помощью диаграммы hs для водяного пара):
термодинамические параметры пара в характерных точках 1, 2 и 3;
работу изобарного и изохорного процессов.
Изобразить данные процессы в координатах pV, TS и hs.
Z24
: 7 января 2026
200 руб.
