Основы микроэлектроники
-
Категории:
Учебник, Электроника промышленная, ВТУЗ (СПБГПУ)
-
Добавлен:
19.01.2008
-
Размер:
2 MB
-
Закачек:
117
-
Добавил:
Администратор
Написать сообщение
Войти и скачать
Состав работы
|
Д.В. Игумнов, Г.В. Королев, И.С. Громов. Основы микроэлектроники. 1991.djvu
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- WinDjView
Описание
Основы микроэлектроники
Год выпуска 1991
Автор Д.В.Игумнов,Г.В.Королев,И.С.Громов
Жанр учебная литература
Издательство Высшая школа
Формат DjVu
Качество Отсканированные страницы
Количество страниц 257
Один из лучших учебников по электронике
Год выпуска 1991
Автор Д.В.Игумнов,Г.В.Королев,И.С.Громов
Жанр учебная литература
Издательство Высшая школа
Формат DjVu
Качество Отсканированные страницы
Количество страниц 257
Один из лучших учебников по электронике
Похожие материалы
Основы микроэлектроники
Администратор
: 19 января 2008
Основы микроэлектроники
Год выпуска 1991
Автор Д.В.Игумнов,Г.В.Королев,И.С.Громов
Жанр учебная литература
Издательство Высшая школа
Формат DjVu
Качество Отсканированные страницы
Количество страниц 257
Администратор
: 19 января 2008
Физические основы микроэлектроники
Elfa254
: 10 августа 2013
Для усиления и генерации колебаний СВЧ-диапазона может быть использована аномальная зависимость скорости электронов от напряженности электрического поля в некоторых полупроводниковых соединениях, прежде всего в арсениде галлия. При этом основную роль играют процессы, происходящие в объеме полупроводника, а не в p-n-переходе. Генерацию СВЧ-колебаний в однородных образцах GaAs n-типа при напряженности постоянного электрического поля выше порогового значения впервые наблюдал Дж. Ганн в 1963 г. (поэ
Elfa254
: 10 августа 2013
10 руб.
Экзамен по дисциплине «Физические основы микроэлектроники». Билет №22
freelancer
: 20 апреля 2016
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА No 1
Таблица компоновки билетов
Тестовые вопросы Задача
Вариант No 22 7 23 31 40 55 2.8
Вопрос No 7
Покажите правильную зависимость потенциальной энергии электрона в отдельном (изолированном) атоме. Ответы:
Вопрос No 23
Сколько электронов каждого атома в кристаллах германия или кремния принимает участие в образовании ковалентных связей с соседними атомами? Ответы:
1) по 4 электрона от каждого атома;
2) по 2 электрона;
3) по 1 электрону от каждого соседнего атома для
freelancer
: 20 апреля 2016
80 руб.
Контрольная работа №1 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №24
freelancer
: 22 апреля 2016
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА No 1
Таблица компоновки билетов
Тестовые вопросы Задача
Вариант No 24 11 13 33 41 60 2.10
Вопрос No 11
Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы:
1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев;
2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во
freelancer
: 22 апреля 2016
70 руб.
Контрольная работа № 2 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №22.
freelancer
: 16 апреля 2016
Вопрос No 11
Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы:
1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев;
2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во внутренних и внешних слоях, имеет одинаковый вид, т.к. уровни принадлежат одному атому;
3) вследствие экранирующего влия
freelancer
: 16 апреля 2016
300 руб.
Контрольная работа №1 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №24
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 4 июля 2013
Вопрос No 11
Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы:
1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев;
2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во внутренних и внешних слоях, имеет одинаковый вид, т.к. уровни принадлежат одному атому;
3) вследствие экранирующ
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 4 июля 2013
550 руб.
Контрольная работа № 2 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №22
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 27 июня 2013
Вопрос No 11
Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы:
1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев;
2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во внутренних и внешних слоях, имеет одинаковый вид, т.к. уровни принадлежат одному атому;
3) вследствие экранирующ
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 27 июня 2013
650 руб.
Контрольная работа № 1 по дисциплине «Физические основы микроэлектроники». Вариант №22
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 27 июня 2013
Вопрос No 7
Покажите правильную зависимость потенциальной энергии электрона в отдельном (изолированном) атоме.
Вопрос No 23
Сколько электронов каждого атома в кристаллах германия или кремния принимает участие в образовании ковалентных связей с соседними атомами? Ответы:
1) по 4 электрона от каждого атома;
2) по 2 электрона;
3) по 1 электрону от каждого соседнего атома для образования четырех ковалентных связей;
4) электроны не принимают участия в ковалентных связях между атомами.
Вопрос N
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 27 июня 2013
650 руб.
Другие работы
Рабинович Сборник задач по технической термодинамике Задача 67
Z24
: 29 ноября 2025
Определить подъемную силу воздушного шара, наполненного водородом, если объем его на поверхности земли равен 1 м³ при давлении р=100 кПа и температуре t=15 ºC.
Ответ: G=11,1 Н.
Z24
: 29 ноября 2025
120 руб.
Кран угловой МЧ00.41.00.00
coolns
: 14 октября 2019
Кран угловой автокад
Кран угловой чертеж
Кран угловой чертежи
Кран угловой деталирование
Кран угловой скачать
Угловой кран предназначен для перекрытия пара, поступающего из парового котла через штуцер поз. 2 к рабочему органу. Чтобы не было утечки пара предусмотрено сальниковое уплотнение из колец поз. 8, которые при затяжке накидной гайкой поз. 4 плотно прилегают к шпинделю поз. 3. Для этой же цели служит прокладка поз. 9 между корпусом поз. 1 и штуцером.
МЧ00.41.00.00 Кран угловой сборочный
coolns
: 14 октября 2019
260 руб.
Графическая работа 2 (1-ая часть). Вариант 10 - Контур детали
Чертежи по сборнику Миронова 1984
: 27 марта 2023
Возможные программы для открытия данных файлов:
WinRAR (для распаковки архива *.zip или *.rar)
КОМПАС 3D не ниже 16 версии для открытия файлов *.cdw, *.m3d
Любая программа для ПДФ файлов.
Миронов Б.Г. Сборник заданий по инженерной графике с примерами выполнения чертежей на компьютере.
Графическая работа 2 (1-ая часть). Вариант 10 - Контур детали
Вычертить контуры деталей, применяя правила деления окружностей на равные части.
В состав выполненной работы входят 2 файла:
1. Чертеж, выполненный
Чертежи по сборнику Миронова 1984
: 27 марта 2023
50 руб.
Организация текущего ремонта автомобилей в автотранспортном цехе ФГУП УАПО
Рики-Тики-Та
: 15 декабря 2015
ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ 6
1. АНАЛИЗ ПОКАЗАТЕЛЕЙ ПРОИЗВОДСТВЕННОЙ
ДЕЯТЕЛЬНОСТИ ФГУП УАПО 7
1.1 Общая характеристика предприятия и транспортного цеха 7
1.2 Производственно-техническая база ФГУП УАПО 10
1.3 Организация текущего ремонта автомобилей 12
2. ОРГАНИЗАЦИЯ ТЕКУЩЕГО РЕМОНТА АВТОМОБИЛЕЙ В АВТОТРАНСПОРТНОМ ЦЕХЕ
ФГУП УАПО 19
2.1 Обоснование производственной программы
участка по ремонту автомобилей 19
2.2 Выбор режима работы зон и участков и расчёт фондов времени 23
2.3 Расчет штата производств
Рики-Тики-Та
: 15 декабря 2015
825 руб.
