Основы микроэлектроники

Этот материал можно скачать бесплатно

Состав работы

material.view.file_icon file140.rar [ 2 MB ]
material.view.file_icon Д.В. Игумнов, Г.В. Королев, И.С. Громов. Основы микроэлектроники. 1991.djvu [ 2 MB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • WinDjView

Описание

Основы микроэлектроники

Год выпуска 1991
Автор Д.В.Игумнов,Г.В.Королев,И.С.Громов
Жанр учебная литература
Издательство Высшая школа
Формат DjVu
Качество Отсканированные страницы
Количество страниц 257

Один из лучших учебников по электронике

Похожие материалы

Основы микроэлектроники
Основы микроэлектроники Год выпуска 1991 Автор Д.В.Игумнов,Г.В.Королев,И.С.Громов Жанр учебная литература Издательство Высшая школа Формат DjVu Качество Отсканированные страницы Количество страниц 257
Учебник Электроника промышленная ВТУЗ (СПБГПУ)
User Администратор : 19 января 2008
Физические основы микроэлектроники
Для усиления и генерации колебаний СВЧ-диапазона может быть использована аномальная зависимость скорости электронов от напряженности электрического поля в некоторых полупроводниковых соединениях, прежде всего в арсениде галлия. При этом основную роль играют процессы, происходящие в объеме полупроводника, а не в p-n-переходе. Генерацию СВЧ-колебаний в однородных образцах GaAs n-типа при напряженности постоянного электрического поля выше порогового значения впервые наблюдал Дж. Ганн в 1963 г. (поэ
Электроника физическая Работа
User Elfa254 : 10 августа 2013
10 руб.
Экзамен по дисциплине «Физические основы микроэлектроники». Билет №22
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА No 1 Таблица компоновки билетов Тестовые вопросы Задача Вариант No 22 7 23 31 40 55 2.8 Вопрос No 7 Покажите правильную зависимость потенциальной энергии электрона в отдельном (изолированном) атоме. Ответы: Вопрос No 23 Сколько электронов каждого атома в кристаллах германия или кремния принимает участие в образовании ковалентных связей с соседними атомами? Ответы: 1) по 4 электрона от каждого атома; 2) по 2 электрона; 3) по 1 электрону от каждого соседнего атома для
ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Физические основы электроники
User freelancer : 20 апреля 2016
80 руб.
promo
Контрольная работа №1 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №24
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА No 1 Таблица компоновки билетов Тестовые вопросы Задача Вариант No 24 11 13 33 41 60 2.10 Вопрос No 11 Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы: 1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев; 2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во
ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Микроэлектроника
User freelancer : 22 апреля 2016
70 руб.
Контрольная работа № 2 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №22.
Вопрос No 11 Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы: 1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев; 2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во внутренних и внешних слоях, имеет одинаковый вид, т.к. уровни принадлежат одному атому; 3) вследствие экранирующего влия
ДО СИБГУТИ Физические основы электроники Работа Контрольная
User freelancer : 16 апреля 2016
300 руб.
Контрольная работа №1 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №24
Вопрос No 11 Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы: 1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев; 2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во внутренних и внешних слоях, имеет одинаковый вид, т.к. уровни принадлежат одному атому; 3) вследствие экранирующ
Электроника физическая Работа Контрольная ТУСУР
User Помощь студентам СибГУТИ ДО : 4 июля 2013
550 руб.
Контрольная работа № 2 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №22
Вопрос No 11 Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы: 1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев; 2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во внутренних и внешних слоях, имеет одинаковый вид, т.к. уровни принадлежат одному атому; 3) вследствие экранирующ
Электроника физическая Работа Контрольная ТУСУР
User Помощь студентам СибГУТИ ДО : 27 июня 2013
650 руб.
Контрольная работа № 1 по дисциплине «Физические основы микроэлектроники». Вариант №22
Вопрос No 7 Покажите правильную зависимость потенциальной энергии электрона в отдельном (изолированном) атоме. Вопрос No 23 Сколько электронов каждого атома в кристаллах германия или кремния принимает участие в образовании ковалентных связей с соседними атомами? Ответы: 1) по 4 электрона от каждого атома; 2) по 2 электрона; 3) по 1 электрону от каждого соседнего атома для образования четырех ковалентных связей; 4) электроны не принимают участия в ковалентных связях между атомами. Вопрос N
Электроника физическая Работа Контрольная ТУСУР
User Помощь студентам СибГУТИ ДО : 27 июня 2013
650 руб.

Другие работы

Математический анализ (часть 2). Экзамен, сдана в 2017 г. Билет 6.
Подробное задание смотрите на скриншоте! 1. Приложения тройного интеграла: объем, масса тела. 2. Найти градиент функции в точке 3. Изменить порядок интегрирования. Область интегрирования изобразить на чертеже. 4. Исследуйте ряд на абсолютную сходимость 5. Данную функцию разложить в ряд Тейлора по степеням х: 6. Решить уравнение 7. Найти частное решение дифференциального уравнения при данных начальных условиях
Математический анализ СибГУТИ Работа Экзаменационная
User Александр574 : 13 декабря 2017
360 руб.
Математический анализ (часть 2). Экзамен, сдана в 2017 г. Билет 6.
Задача №3 по электронике
Задача №3 Вариант №2 На одном операционном усилителе (ОУ) реализовать функцию Uвых= а I1•UI1+aI2•UI2+aN1•UN1+aN2•UN2. Значения коэффициентов выбрать из таблицы №2 в соответствии со своим вариантом. Принять Rmin= 10 кОм. Требуется выбрать схему включения ОУ и рассчитать номиналы резисторов обрамления.
Задачи ******* Не известно Электроника
User ilya01071980 : 10 июня 2016
25 руб.
Базы данных. Лабораторная работа № 5. Создание меню и модулей
Порядок выполнения работы: В данной лабораторной работе используется учебная база данных Борей, поставляемая с СУБД Microsoft Access. В процессе работы будут созданы элементы пользовательского ин-терфейса, облегчающие процесс вода данных в базу данных. Задание 1. Использование макроса В первом задании вы добавите в форму Информация о клиентах макрос для выбора клиента из списка. Макрос создается как поле со списком с помощью Мастера. Задание 2. Добавление командной кнопки в форму Для выполнения
СибГУТИ Базы данных Работа Лабораторная
User РешуВашуРаботу : 10 июня 2012
250 руб.
Управление мотивацией персонала гостиницы Эрмитаж г. Екатеринбург
Содержание Введение…………………………………………………………………………..3 I. Теоретический анализ исследования………………………………………… 7 1.1. Понятие «мотив труда» и «стимул труда»…………………………….7 1.2. Стимулирование как основа мотивации……………………………...12 1.3. Разновидность мотивации сотрудников……………………………...19 II. Мотивация и стимулирование персонала гостиничного комплекса «Эрмитаж» г.Екатеринбурга……………………………………………………22 2.1.Характеристика гостиничного комплекса «Эрмитаж» г.Екатеринбурга…………………………………………………………….22 2.2.Анализ
Работа Экономика
User Elfa254 : 23 ноября 2013
15 руб.
up Наверх