Основы микроэлектроники

Этот материал можно скачать бесплатно

Состав работы

material.view.file_icon file140.rar [ 2 MB ]
material.view.file_icon Д.В. Игумнов, Г.В. Королев, И.С. Громов. Основы микроэлектроники. 1991.djvu [ 2 MB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • WinDjView

Описание

Основы микроэлектроники

Год выпуска 1991
Автор Д.В.Игумнов,Г.В.Королев,И.С.Громов
Жанр учебная литература
Издательство Высшая школа
Формат DjVu
Качество Отсканированные страницы
Количество страниц 257

Один из лучших учебников по электронике

Похожие материалы

Основы микроэлектроники
Основы микроэлектроники Год выпуска 1991 Автор Д.В.Игумнов,Г.В.Королев,И.С.Громов Жанр учебная литература Издательство Высшая школа Формат DjVu Качество Отсканированные страницы Количество страниц 257
Учебник Электроника промышленная ВТУЗ (СПБГПУ)
User Администратор : 19 января 2008
Физические основы микроэлектроники
Для усиления и генерации колебаний СВЧ-диапазона может быть использована аномальная зависимость скорости электронов от напряженности электрического поля в некоторых полупроводниковых соединениях, прежде всего в арсениде галлия. При этом основную роль играют процессы, происходящие в объеме полупроводника, а не в p-n-переходе. Генерацию СВЧ-колебаний в однородных образцах GaAs n-типа при напряженности постоянного электрического поля выше порогового значения впервые наблюдал Дж. Ганн в 1963 г. (поэ
Электроника физическая Работа
User Elfa254 : 10 августа 2013
10 руб.
Экзамен по дисциплине «Физические основы микроэлектроники». Билет №22
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА No 1 Таблица компоновки билетов Тестовые вопросы Задача Вариант No 22 7 23 31 40 55 2.8 Вопрос No 7 Покажите правильную зависимость потенциальной энергии электрона в отдельном (изолированном) атоме. Ответы: Вопрос No 23 Сколько электронов каждого атома в кристаллах германия или кремния принимает участие в образовании ковалентных связей с соседними атомами? Ответы: 1) по 4 электрона от каждого атома; 2) по 2 электрона; 3) по 1 электрону от каждого соседнего атома для
ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Физические основы электроники
User freelancer : 20 апреля 2016
80 руб.
promo
Контрольная работа №1 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №24
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА No 1 Таблица компоновки билетов Тестовые вопросы Задача Вариант No 24 11 13 33 41 60 2.10 Вопрос No 11 Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы: 1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев; 2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во
ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Микроэлектроника
User freelancer : 22 апреля 2016
70 руб.
Контрольная работа № 2 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №22.
Вопрос No 11 Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы: 1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев; 2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во внутренних и внешних слоях, имеет одинаковый вид, т.к. уровни принадлежат одному атому; 3) вследствие экранирующего влия
ДО СИБГУТИ Физические основы электроники Работа Контрольная
User freelancer : 16 апреля 2016
300 руб.
Контрольная работа №1 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №24
Вопрос No 11 Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы: 1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев; 2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во внутренних и внешних слоях, имеет одинаковый вид, т.к. уровни принадлежат одному атому; 3) вследствие экранирующ
Электроника физическая Работа Контрольная ТУСУР
User Помощь студентам СибГУТИ ДО : 4 июля 2013
550 руб.
Контрольная работа № 2 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №22
Вопрос No 11 Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы: 1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев; 2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во внутренних и внешних слоях, имеет одинаковый вид, т.к. уровни принадлежат одному атому; 3) вследствие экранирующ
Электроника физическая Работа Контрольная ТУСУР
User Помощь студентам СибГУТИ ДО : 27 июня 2013
650 руб.
Контрольная работа № 1 по дисциплине «Физические основы микроэлектроники». Вариант №22
Вопрос No 7 Покажите правильную зависимость потенциальной энергии электрона в отдельном (изолированном) атоме. Вопрос No 23 Сколько электронов каждого атома в кристаллах германия или кремния принимает участие в образовании ковалентных связей с соседними атомами? Ответы: 1) по 4 электрона от каждого атома; 2) по 2 электрона; 3) по 1 электрону от каждого соседнего атома для образования четырех ковалентных связей; 4) электроны не принимают участия в ковалентных связях между атомами. Вопрос N
Электроника физическая Работа Контрольная ТУСУР
User Помощь студентам СибГУТИ ДО : 27 июня 2013
650 руб.

Другие работы

Генплан и план перекрытий. Узлы зданий.\чертежи\
Отличные чертежи (около 10 штук). препод - Кондратенков А.Н. автор - Мамажанов М.В. 3 ПГС-1
МАДИ (ГТУ) Архитектура Материалы
User ram5720 : 23 ноября 2008
Генплан и план перекрытий. Узлы зданий.\чертежи\
СИНЕРГИЯ 38.03.01 Экономика Бухгалтерский учёт, анализ и аудит производственная практика Вы работаете в крупной
СИНЕРГИЯ 38.03.01 Экономика Бухгалтерский учёт, анализ и аудит Производственная практика МТИ МосТех МосАП МФПУ Синергия оценка ОТЛИЧНО 2024 год СОДЕРЖАНИЕ ИНДИВИДУАЛЬНОГО ЗАДАНИЯ НА ПРАКТИКУ № п/п Виды работ 1. Инструктаж по соблюдению правил противопожарной безопасности, правил охраны труда, техники безопасности, санитарно-эпидемиологических правил и гигиенических нормативов. 2. Выполнение определенных практических кейсов-задач, необходимых для оценки знаний, умений, навыков и (или) опыта дея
МТИ МосТех МосАП МФПУ Синергия Экономика Практические занятия и отчеты
User synergypr : 23 октября 2024
550 руб.
Курсовая работа по информатике «Телефонные абоненты и их междугородные переговоры»
Курсовая работа «Телефонные абоненты и их междугородные переговоры» Содержание 1. Введение 2. Описание процесса проектирования базы данных 3. Проектирование БД, структура таблиц БД (в режиме конструктора) 4. Схема связей между таблицами 5. Содержание таблиц 6. Структура запросов и описание процесса их создания 7. Результаты запроса 8. Структура отчёта и описание процесса его создания 9. Результаты вывода отчётов 10. Список литературы 1. Введение База данных разработана в среде MS Access и с
СибГУТИ Информатика Работа Курсовая
User pkdkamen : 21 сентября 2012
250 руб.
Анализ ценовой политики ОАО "Сибирское молоко"
СОДЕРЖАНИЕ ВВЕДЕНИЕ 1. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ФОРМИРОВАНИЯ ЦЕНОВОГО МЕХАНИЗМА В ОПТОВОЙ ТОРГОВЛЕ 1.1 Сущность оптовой торговле 1.2 Понятие оптовой цены и методы оптового ценообразования 1.3 Методология анализа и прогноза цен на товарном рынке 2. АНАЛИЗ СУЩЕСТВУЮЩЕЙ СИСТЕМЫ ЦЕНООБРАЗОВАНИЯ В ОАО «СИБИРСКОЕ МОЛОКО» 2.1 Организационно-экономическая характеристика предприятия 2.2 Товарная политика предприятия 2.3 Ценовая политика предприятия и порядок формирования оптовой цены 3. РЕКОМЕНДАЦИ
Работа Экономика
User Qiwir : 8 ноября 2013
10 руб.
up Наверх