Основы микроэлектроники
Состав работы
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- WinDjView
Описание
Основы микроэлектроники
Год выпуска 1991
Автор Д.В.Игумнов,Г.В.Королев,И.С.Громов
Жанр учебная литература
Издательство Высшая школа
Формат DjVu
Качество Отсканированные страницы
Количество страниц 257
Один из лучших учебников по электронике
Год выпуска 1991
Автор Д.В.Игумнов,Г.В.Королев,И.С.Громов
Жанр учебная литература
Издательство Высшая школа
Формат DjVu
Качество Отсканированные страницы
Количество страниц 257
Один из лучших учебников по электронике
Похожие материалы
Основы микроэлектроники
Администратор
: 19 января 2008
Основы микроэлектроники
Год выпуска 1991
Автор Д.В.Игумнов,Г.В.Королев,И.С.Громов
Жанр учебная литература
Издательство Высшая школа
Формат DjVu
Качество Отсканированные страницы
Количество страниц 257
Физические основы микроэлектроники
Elfa254
: 10 августа 2013
Для усиления и генерации колебаний СВЧ-диапазона может быть использована аномальная зависимость скорости электронов от напряженности электрического поля в некоторых полупроводниковых соединениях, прежде всего в арсениде галлия. При этом основную роль играют процессы, происходящие в объеме полупроводника, а не в p-n-переходе. Генерацию СВЧ-колебаний в однородных образцах GaAs n-типа при напряженности постоянного электрического поля выше порогового значения впервые наблюдал Дж. Ганн в 1963 г. (поэ
10 руб.
Экзамен по дисциплине «Физические основы микроэлектроники». Билет №22
freelancer
: 20 апреля 2016
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА No 1
Таблица компоновки билетов
Тестовые вопросы Задача
Вариант No 22 7 23 31 40 55 2.8
Вопрос No 7
Покажите правильную зависимость потенциальной энергии электрона в отдельном (изолированном) атоме. Ответы:
Вопрос No 23
Сколько электронов каждого атома в кристаллах германия или кремния принимает участие в образовании ковалентных связей с соседними атомами? Ответы:
1) по 4 электрона от каждого атома;
2) по 2 электрона;
3) по 1 электрону от каждого соседнего атома для
80 руб.
Контрольная работа №1 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №24
freelancer
: 22 апреля 2016
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА No 1
Таблица компоновки билетов
Тестовые вопросы Задача
Вариант No 24 11 13 33 41 60 2.10
Вопрос No 11
Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы:
1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев;
2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во
70 руб.
Контрольная работа № 2 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №22.
freelancer
: 16 апреля 2016
Вопрос No 11
Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы:
1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев;
2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во внутренних и внешних слоях, имеет одинаковый вид, т.к. уровни принадлежат одному атому;
3) вследствие экранирующего влия
300 руб.
Контрольная работа №1 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №24
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 4 июля 2013
Вопрос No 11
Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы:
1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев;
2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во внутренних и внешних слоях, имеет одинаковый вид, т.к. уровни принадлежат одному атому;
3) вследствие экранирующ
550 руб.
Контрольная работа № 1 по дисциплине «Физические основы микроэлектроники». Вариант №22
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 27 июня 2013
Вопрос No 7
Покажите правильную зависимость потенциальной энергии электрона в отдельном (изолированном) атоме.
Вопрос No 23
Сколько электронов каждого атома в кристаллах германия или кремния принимает участие в образовании ковалентных связей с соседними атомами? Ответы:
1) по 4 электрона от каждого атома;
2) по 2 электрона;
3) по 1 электрону от каждого соседнего атома для образования четырех ковалентных связей;
4) электроны не принимают участия в ковалентных связях между атомами.
Вопрос N
650 руб.
Контрольная работа № 2 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №22
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 27 июня 2013
Вопрос No 11
Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы:
1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев;
2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во внутренних и внешних слоях, имеет одинаковый вид, т.к. уровни принадлежат одному атому;
3) вследствие экранирующ
650 руб.
Другие работы
Теория вероятности и математическая статистика. Вариант № 6 (или 14) ,семестр 2-й
Alexija
: 26 июня 2013
Часть I: Теория вероятностей и математическая статистика
Задача 1.
В партии из N деталей ровно M бракованных. Дайте ответы на следующие вопросы (запишите формулы и сделайте вычисления с подробными объяснениями):
а) какова вероятность того, что наудачу выбранная деталь из партии окажется бракованной?
б) какова вероятность того, что наудачу выбранная деталь из партии окажется НЕ бракованной?
в) какова вероятность того, что из K1 случайно выбранных из партии деталей ровно L1 окажется бракованными?
200 руб.
Этапы развития экономики Республики Бурятия
evelin
: 24 ноября 2012
Содержание:
Введение
Общая характеристика
Этапы формирования экономики
Период индустриализации и коллективизации (1923-1940 гг.)
Период Великой Отечественной Войны (1941-1945 гг.)
Восстановление и подъем народного хозяйства (1945-1955 гг.)
Период прогресса (1956-1990 гг.)
Годы экономических реформ (1991-2000 гг.)
Бурятия в экономическом пространстве РФ и СФО
Экономические факторы развития
Рост промышленного потенциала
Развитие инвестиционной деятельности
Экологические аспекты развития
Пр
5 руб.
Аналитическая записка: «Исследование кадровых потребностей в сфере инфокоммуникаций»
wwwsamatova83
: 22 марта 2017
Вариант 2
В небольшом городе N существовала ГТС, где работало 11 сотрудниц. Их рабочие места находились в одной комнате. Коллектив был очень дружен. Они собирались вместе в дни рождения, в праздники. Все были полны взаимного доброжелательства, помогали друг другу.
Однажды женщины решили, что они общаются недостаточно интенсивно и поставили рабочие столы в форме каре, сев лицом друг к другу. Через два-три месяца лаборатория раскололась на несколько враждующих группировок. Всеобщее дружелюбие ис
400 руб.
Контрольная работа по Информатике. Вариант №3. 1-й курс
qwok
: 3 января 2017
Задание на контрольную работу
Системы счисления
1. Умножить в двоичной арифметике числа a и b.
a= 1010,1012 b= 11,12
2. Перевести число a из десятичной в систему счисления по основанию 4.
a= 4,5625
3. Перевести число a из двоичной в десятичную систему счисления.
a=1001,1(011)
4. Перевести число а из восьмеричной в шестнадцатиричную систему счисления.
a=706,21
5. Даны десятичные коды символов из таблицы ASCII (для удобочитаемости коды символов разделены дефисом). Определить закодированный
25 руб.