Физические основы электроники. Контрольная работа. 2 семестр 2 вариант.
-
Категории:
СибГУТИ, Электроника физическая, Работа Контрольная
-
Добавлен:
16.12.2010
-
Размер:
719 KB
-
Покупок:
18
-
Добавил:
qawsedrftgyhujik
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Контрольнаяработафизическиеосновыэлектроники.2семестр2вариант.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность, рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия
η.
Дано:
транзистор КТ605А,
напряжение питания ,
сопротивление нагрузки ,
постоянный ток смещения в цепи базы ,
амплитуда переменной составляющей тока базы .
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность, рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия
η.
Дано:
транзистор КТ605А,
напряжение питания ,
сопротивление нагрузки ,
постоянный ток смещения в цепи базы ,
амплитуда переменной составляющей тока базы .
Дополнительная информация
2010 год, Савиных В.Л, отлично.
Похожие материалы
Физические Основы Электроники Контрольная работа
S4M
: 16 июня 2022
Контрольная работа по дисциплине Физические Основы Электроники для факультета ЗО. Вариант № 9
S4M
: 16 июня 2022
400 руб.
Контрольная работа по физическим основам электроники
Богарт
: 5 апреля 2017
Задача 1: Исходные данные для задачи надо взять из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, надо рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока
Богарт
: 5 апреля 2017
50 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники.
Игуана
: 10 декабря 2012
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 3
Для данного транзистора на частот
Игуана
: 10 декабря 2012
120 руб.
Контрольные работы по физическим основам электроники
Aronitue9
: 3 сентября 2011
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 3
Для данного транзистора на част
Aronitue9
: 3 сентября 2011
50 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа
Seregos
: 4 января 2010
КР Вариант №3 ФОЭ СибГУТИ
Задача 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК=60В, сопротивление нагрузки RН=1000 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0=250мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ=150 мкА.
Seregos
: 4 января 2010
Контрольная работа: Физические основы электроники
Лесник
: 17 ноября 2009
Биполярный транзистор.
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллектор
Лесник
: 17 ноября 2009
70 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа.
madamm
: 17 декабря 2008
Содержание задач контрольной работы
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1.
Вариант No2.
Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания ЕК = 12 В, сопротивление нагрузки RН = 200 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы I Б0 = 625 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ= 375 мкА .
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать пар
madamm
: 17 декабря 2008
220 руб.
Контрольная работа по дисциплине физические основы электроники
Иннокентий
: 30 сентября 2019
Описание:
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.
№ вар. Тип БТ ЕК, В
RН, Ом IБ0, мкА IБМ, мкА f, МГц | H| t пc К,
6 КТ605А 15 300 625 375 20 2,5 230
Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или
Иннокентий
: 30 сентября 2019
100 руб.
Другие работы
Экзамен по дисциплине: Теория вероятностей и математическая статистика. Билет №3
freelancer
: 10 апреля 2016
Задание 1.
1. Формула полной вероятности. Формулы Бейеса. Повторение независимых испытаний. Формула Бернулли
Задание 2.
2. Из урны, где находятся 8 белых и 4 черных шара, случайно вытащены 6 шаров. Какова вероятность того, что среди них будет 3 черных шара?
Задание 3.
Дискретная случайная величина имеет следующий ряд распределения
Х -2 -1 0 5 10
р 0,11 0,22 0,11 а 0,04
Найти величину a, математическое ожидание и среднее квадратическое отклонение этой случайной величины.
Задание 4.
Непреры
freelancer
: 10 апреля 2016
100 руб.
Аудит малоценных быстроизнашивающихся предметов на сельхоз предприятии
Aronitue9
: 8 января 2012
Введение 4.
1. Теоретическое обоснование аудита МБП 6.
1.1. Экономическая сущность и учет МБП 6.
1.2. Цель, задачи, источники и методические приемы аудита МБП 10.
2. Организация и методика аудита МБП 16.
2.1. Подготов
Aronitue9
: 8 января 2012
20 руб.
Курсовая работа. Вариант №6. Основы передачи дискретных сигналов
SibGUTI2
: 9 апреля 2018
Задача №1
Для дискретного симметричного канала без памяти вероятность ошибочного приема элемента равна . Рассчитать вероятности поражения кодовой комбинации заданной длины , ошибкой кратности . Сделать выводы по результатам расчетов.
Задача №2
Определить вероятность неправильного приема кодовой комбинации , если для передачи используется код с кодовым расстоянием в режиме исправления ошибок. Длину кодовой комбинации и вероятность ошибочного приема элемента взять из условия задачи №1.
Задач
SibGUTI2
: 9 апреля 2018
50 руб.
Проекции кривых линий и поверхностей
gbogach
: 22 ноября 2010
Проекции кривых линий и поверхностей
Содержание
1.Введение……………………………………………………………………………..3
2. Плоские и пространственные кривые линии.…………………………………….5
3. Построение проекции кривой линии……………………………………………...7
4. Общие сведения о поверхностях. …………………………………………………9
5. Поверхности вращения линейчатые. …………………………………………….10
6. Поверхности вращения нелинейчатые. ………………………………………….13
7. Поверхности с плоскостью параллелизма. ……………………………………...16
8. Поверхности, задаваемые каркасом. ………………………………………….....17
gbogach
: 22 ноября 2010
