Физические основы электроники. Контрольная работа. 2 семестр 2 вариант.
-
Категории:
СибГУТИ, Электроника физическая, Работа Контрольная
-
Добавлен:
16.12.2010
-
Размер:
719 KB
-
Покупок:
18
-
Добавил:
qawsedrftgyhujik
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Контрольнаяработафизическиеосновыэлектроники.2семестр2вариант.doc
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность, рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия
η.
Дано:
транзистор КТ605А,
напряжение питания ,
сопротивление нагрузки ,
постоянный ток смещения в цепи базы ,
амплитуда переменной составляющей тока базы .
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность, рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия
η.
Дано:
транзистор КТ605А,
напряжение питания ,
сопротивление нагрузки ,
постоянный ток смещения в цепи базы ,
амплитуда переменной составляющей тока базы .
Дополнительная информация
2010 год, Савиных В.Л, отлично.
Похожие материалы
Физические Основы Электроники Контрольная работа
S4M
: 16 июня 2022
Контрольная работа по дисциплине Физические Основы Электроники для факультета ЗО. Вариант № 9
S4M
: 16 июня 2022
400 руб.
Контрольная работа по физическим основам электроники
Богарт
: 5 апреля 2017
Задача 1: Исходные данные для задачи надо взять из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, надо рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока
Богарт
: 5 апреля 2017
199 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники.
Игуана
: 10 декабря 2012
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 3
Для данного транзистора на частот
Игуана
: 10 декабря 2012
120 руб.
Контрольные работы по физическим основам электроники
Aronitue9
: 3 сентября 2011
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 3
Для данного транзистора на част
Aronitue9
: 3 сентября 2011
50 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа
Seregos
: 4 января 2010
КР Вариант №3 ФОЭ СибГУТИ
Задача 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК=60В, сопротивление нагрузки RН=1000 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0=250мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ=150 мкА.
Seregos
: 4 января 2010
Контрольная работа: Физические основы электроники
Лесник
: 17 ноября 2009
Биполярный транзистор.
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллектор
Лесник
: 17 ноября 2009
70 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа.
madamm
: 17 декабря 2008
Содержание задач контрольной работы
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1.
Вариант No2.
Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания ЕК = 12 В, сопротивление нагрузки RН = 200 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы I Б0 = 625 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ= 375 мкА .
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать пар
madamm
: 17 декабря 2008
220 руб.
Контрольная работа по дисциплине физические основы электроники
Иннокентий
: 30 сентября 2019
Описание:
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.
№ вар. Тип БТ ЕК, В
RН, Ом IБ0, мкА IБМ, мкА f, МГц | H| t пc К,
6 КТ605А 15 300 625 375 20 2,5 230
Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или
Иннокентий
: 30 сентября 2019
100 руб.
Другие работы
Лабораторная работа №1. Программирование на языках высокого уровня ч2 С++. Вариант № 9
russkih1984
: 8 февраля 2013
Лабораторная работа №1
Программирование алгоритмов линейной и разветвляющейся структуры
Задание 1. Составьте и выполните программу линейной структуры согласно вариантам задания.
Вариаты задания 1
Вычислить значение функции переменных при заданных значениях параметров:
9. x=4y2 /( 4y ez - 2t3) при t=1 ; z=3; y=sin t.
Задание 2. Составьте программы разветвляющейся структуры согласно вариантам задания (используя IF)
Варианты задания 2
Даны четыре числа. Найти разность между наибольшим и наименьши
russkih1984
: 8 февраля 2013
250 руб.
Контрольная работа ОСС 18 вариант
team84
: 18 мая 2015
Используя данные реальных модулей SFP/XFP, приведенные в таблице 1.1, оценить возможность их применения на волоконно-оптических линиях различной протяженности (табл.1.2), представляющих собой волокна стандарта G.652 A, B, C, D (SMF). Оценку применимости модулей на соответствующих волокнах подтвердить расчетами энергетических параметров дисперсионных искажений. Значения затухания и дисперсии выбрать по рис.3.1.
Таблица 1.1
Таблица 1.2
team84
: 18 мая 2015
1200 руб.
Этапы командообразования и методы формирования команд
alfFRED
: 23 октября 2013
Из-за блестящего марева на берег выползало черное нечто... Но вот непонятное существо выбралось из-за миражной дымки, и сразу стало ясно, что чернота на сей раз не только от тени, но еще от одежды. Существо оказалось отрядом мальчиков, шагавших в ногу в две шеренги и странно, дико одетых.
У. Голдинг. Повелитель мух
Под командообразованием в данном случае понимается ее развитие из формальной, утвержденной руководством, управленческой структуры в рабочую группу с субкультурой «команда».
Можно в
alfFRED
: 23 октября 2013
10 руб.
Анализ динамики рождаемости в Российской Федерации
evelin
: 23 января 2013
СОДЕРЖАНИЕ:
Введение.................................................................................................. 2
1. Уровень рождаемости в России......................................... 3
2. Рождаемость в городской и сельской местности 4
3. Изменение возрастной модели рождаемости......... 5
4. Внебрачная рождаемость...................................................... 7
5. Внутрисемейное регулирование рождаемости... 10
5.1. Прерывание беременности........................................
evelin
: 23 января 2013
11 руб.
