Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Билет № 10
1. Высокочастотные диоды. Особенности конструкции. ВАХ.
Основные параметры.
2. Определение H - параметров по характеристикам БТ.
Биполярный транзистор в схемотехнических приложениях представляют как четырехполюсник и рассчитывают его параметры для такой схемы. Для транзистора как четырехполюсника характерны два значения тока I1 и I2 и два значения напряжения U1 и U2 (рис. 7).
1. Высокочастотные диоды. Особенности конструкции. ВАХ.
Основные параметры.
2. Определение H - параметров по характеристикам БТ.
Биполярный транзистор в схемотехнических приложениях представляют как четырехполюсник и рассчитывают его параметры для такой схемы. Для транзистора как четырехполюсника характерны два значения тока I1 и I2 и два значения напряжения U1 и U2 (рис. 7).
Похожие материалы
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
blur
: 31 августа 2023
1 . Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
2. Подготовка к работе
2.1.1. Устройство, назначение, принцип действия ПТ различных структур. 2.1.2. Схемы включения ПТ.
2.1.3. Статические характеристики.
2.1.4. Дифференциальные параметры ПТ и их определение по характеристикам.
50 руб.
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
blur
: 31 августа 2023
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Устройство БТ, схемы включения (ОБ, ОЭ и ОК), режимы работы (с точки зрения состояния переходов).
2.1.2 Потенциальные диаграммы для различных структур БТ в активном режиме работы.
2.1.3 Принцип действия БТ и основные физические процессы
50 руб.
«Исследование статических характеристик биполярного транзистора»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Устройство БТ, схемы включения (ОБ, ОЭ и ОК), режимы работы ( с точки зрения состояния переходов).
2.1.2 Потенциальные диаграммы для различных структур БТ в активном режиме работы.
2.1.3 Принцип действия БТ и основные физические процесс
350 руб.
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
ramzes14
: 6 ноября 2012
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
2. Отчет о работе
2.1. Исследовать БТ для схемы с ОБ.
Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рис. 2.1.
2.1.1. Снять две входные характеристики транзистора
70 руб.
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
DaemonMag
: 4 февраля 2010
Лабораторная работа №2 Физические основы электроники СибГУТИ 2 семестр
Для данной работу задание одно, вариант не выбирается
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
30 руб.
Вариант №3. исследование статических характеристик биполярного транзистора
MK
: 3 октября 2016
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Отчет о работе
2.1. Исследовать БТ для схемы с ОБ.
Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рис. 2.1.
2.1.1. Снять две входные характеристики транзистора IЭ = f(UЭБ) при UКБ = 0 UКБ = 8В (график 1). Результаты измерений з
152 руб.
Вариант №4. исследование статических характеристик биполярного транзистора
MK
: 14 сентября 2016
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Отчет о работе
2.1. Исследовать БТ для схемы с ОБ.
Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рис. 2.1.
2.1.1. Снять две входные характеристики транзистора IЭ = f(UЭБ) при UКБ = 0 UКБ = 8В (график 1). Результаты измерений за
172 руб.
Физические основы электроники " Исследование статических характеристик биполярного транзистора"
Антон28
: 8 августа 2025
Физические основы электроники " Исследование статических характеристик биполярного транзистора"
1500 руб.
Другие работы
Основы гидравлики и теплотехники МИИТ Задача 2.5 Вариант 5
Z24
: 16 октября 2025
Кислород из сосуда с постоянным давлением р1 и температурой t1 вытекает в атмосферу через трубку с внутренним диаметром 15 мм. Наружное давление р2=1 бар. Процесс истечения газа — адиабатный.
Определить скорость истечения кислорода и его секундный расход.
150 руб.
Теория электрических цепей. Часть 2-я. Лабораторные работы №№4,5,6. Вариант №1.
filenet
: 22 марта 2016
Работы сданы 03.2016г. 1 вариант
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №4
Исследование реактивных двухполюсников
1. Цель работы
Исследование зависимости входного сопротивления реактивного двухполюсника от частоты.
E= 1 В,
f= 1кГц,
R0 = 10 кОм,
L1 = L2 = 1 мГн,
C1 = 63,536 нФ,
С2 = 15,831 нФ,
С = 100+1*5=105нФ.
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №5
Исследование пассивных четырехполюсников
1. Цель работы
Экспериментальное исследование свойств пассивных линейных четырехполюсников.
Е=10В,
f =1 кГц,
R1=100 Ом,
R2=200 Ом,
R3=
150 руб.
Регулятор давления 00-000.06.19.19.00 solidworks
lepris
: 12 ноября 2021
Регулятор давления 00-000.06.19.19.00 3d модель
Регулятор давления 00-000.06.19.19.00 solidworks
Регулятор давления 00-000.06.19.19.00 сборка
Регулятор давления 00-000.06.19.19.00 скачать солид воркс
Регулятор давления предназначен для снижения давления углекислого газа и поддерживая этого давления
Углекислый газ из баллона под высоким давлением поступает через отверстие 7 мм корпуса 1 и седло клапана 7. Проходя через сетчатый фильтр
2, газ очищается от возможных механических частиц и поступает
450 руб.
Теплотехника МГУПП 2015 Задача 3.2 Вариант 54
Z24
: 8 января 2026
Определить необходимую толщину слоя теплоизоляции δиз наружной стены холодильной камеры (рис. 3), если:
толщина стены δст;
коэффициенты теплопроводности соответственно материала стены и теплоизоляции λст и λиз;
температура наружного воздуха и воздуха в холодильной камере tв1 и tв2;
коэффициенты теплоотдачи от наружного воздуха к стене α1 и от поверхности теплоизоляции к воздуху в холодильной камере α2;
заданная плотность теплового потока q.Оценить также температуры поверхностей tc1, tc2 и
150 руб.