Исследование статических характеристик биполярного транзистора

Цена:
150 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon ФОЭ_зачет.doc
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Билет № 10
1.  Высокочастотные диоды. Особенности конструкции. ВАХ.
Основные параметры.
 2. Определение H - параметров по характеристикам БТ.
Биполярный транзистор в схемотехнических приложениях представляют как четырехполюсник и рассчитывают его параметры для такой схемы. Для транзистора как четырехполюсника характерны два значения тока I1 и I2 и два значения напряжения U1 и U2 (рис. 7).
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
1 . Цель работы Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ). 2. Подготовка к работе 2.1.1. Устройство, назначение, принцип действия ПТ различных структур. 2.1.2. Схемы включения ПТ. 2.1.3. Статические характеристики. 2.1.4. Дифференциальные параметры ПТ и их определение по характеристикам.
User blur : 31 августа 2023
50 руб.
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
1. Цель работы Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Устройство БТ, схемы включения (ОБ, ОЭ и ОК), режимы работы (с точки зрения состояния переходов). 2.1.2 Потенциальные диаграммы для различных структур БТ в активном режиме работы. 2.1.3 Принцип действия БТ и основные физические процессы
User blur : 31 августа 2023
50 руб.
«Исследование статических характеристик биполярного транзистора»
1. Цель работы Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Устройство БТ, схемы включения (ОБ, ОЭ и ОК), режимы работы ( с точки зрения состояния переходов). 2.1.2 Потенциальные диаграммы для различных структур БТ в активном режиме работы. 2.1.3 Принцип действия БТ и основные физические процесс
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА 1. Цель работы Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). 2. Отчет о работе 2.1. Исследовать БТ для схемы с ОБ. Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рис. 2.1. 2.1.1. Снять две входные характеристики транзистора
User ramzes14 : 6 ноября 2012
70 руб.
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Лабораторная работа №2 Физические основы электроники СибГУТИ 2 семестр Для данной работу задание одно, вариант не выбирается Исследование статических характеристик биполярного транзистора Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
User DaemonMag : 4 февраля 2010
30 руб.
Вариант №3. исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). Отчет о работе 2.1. Исследовать БТ для схемы с ОБ. Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рис. 2.1. 2.1.1. Снять две входные характеристики транзистора IЭ = f(UЭБ) при UКБ = 0 UКБ = 8В (график 1). Результаты измерений з
User MK : 3 октября 2016
152 руб.
Вариант №4. исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). Отчет о работе 2.1. Исследовать БТ для схемы с ОБ. Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рис. 2.1. 2.1.1. Снять две входные характеристики транзистора IЭ = f(UЭБ) при UКБ = 0 UКБ = 8В (график 1). Результаты измерений за
User MK : 14 сентября 2016
172 руб.
Физические основы электроники " Исследование статических характеристик биполярного транзистора"
Физические основы электроники " Исследование статических характеристик биполярного транзистора"
User Антон28 : 8 августа 2025
1500 руб.
Основы гидравлики и теплотехники МИИТ Задача 2.5 Вариант 5
Кислород из сосуда с постоянным давлением р1 и температурой t1 вытекает в атмосферу через трубку с внутренним диаметром 15 мм. Наружное давление р2=1 бар. Процесс истечения газа — адиабатный. Определить скорость истечения кислорода и его секундный расход.
User Z24 : 16 октября 2025
150 руб.
Основы гидравлики и теплотехники МИИТ Задача 2.5 Вариант 5
Теория электрических цепей. Часть 2-я. Лабораторные работы №№4,5,6. Вариант №1.
Работы сданы 03.2016г. 1 вариант ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №4 Исследование реактивных двухполюсников 1. Цель работы Исследование зависимости входного сопротивления реактивного двухполюсника от частоты. E= 1 В, f= 1кГц, R0 = 10 кОм, L1 = L2 = 1 мГн, C1 = 63,536 нФ, С2 = 15,831 нФ, С = 100+1*5=105нФ. ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №5 Исследование пассивных четырехполюсников 1. Цель работы Экспериментальное исследование свойств пассивных линейных четырехполюсников. Е=10В, f =1 кГц, R1=100 Ом, R2=200 Ом, R3=
User filenet : 22 марта 2016
150 руб.
Регулятор давления 00-000.06.19.19.00 solidworks
Регулятор давления 00-000.06.19.19.00 3d модель Регулятор давления 00-000.06.19.19.00 solidworks Регулятор давления 00-000.06.19.19.00 сборка Регулятор давления 00-000.06.19.19.00 скачать солид воркс Регулятор давления предназначен для снижения давления углекислого газа и поддерживая этого давления Углекислый газ из баллона под высоким давлением поступает через отверстие 7 мм корпуса 1 и седло клапана 7. Проходя через сетчатый фильтр 2, газ очищается от возможных механических частиц и поступает
User lepris : 12 ноября 2021
450 руб.
Регулятор давления 00-000.06.19.19.00 solidworks
Теплотехника МГУПП 2015 Задача 3.2 Вариант 54
Определить необходимую толщину слоя теплоизоляции δиз наружной стены холодильной камеры (рис. 3), если: толщина стены δст; коэффициенты теплопроводности соответственно материала стены и теплоизоляции λст и λиз; температура наружного воздуха и воздуха в холодильной камере tв1 и tв2; коэффициенты теплоотдачи от наружного воздуха к стене α1 и от поверхности теплоизоляции к воздуху в холодильной камере α2; заданная плотность теплового потока q.Оценить также температуры поверхностей tc1, tc2 и
User Z24 : 8 января 2026
150 руб.
Теплотехника МГУПП 2015 Задача 3.2 Вариант 54
up Наверх