Курсовая работа по Электронике. Разработка интегральных схем

СибГУТИ 04вариант
Содержание
Техническое задание
Введение
1. Разработка структурной схемы.
2. Разработка принципиальной схемы.
3. Разработка интегральной микросхемы.
3.1. Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных элементов.
3.2. Разработка топологии.
3.3. Этапы изготовления устройства в виде гибридной интегральной микросхемы.
Заключение.
Список литературы.
Техническое задание
№ Варианта – 04
Uпит=-12В
Кu=7
Rвх=4,7Мом
Rн=2кОм
Uном=2В
Fн=300Гц
Fв=3,4Кгц
Мн=2дБ
Мв=2дБ
Тип входа несимметричный
Тип выхода несимметричный
В процессе развития микроэлектроники (МЭ), начиная с 1960 г., номенклатура интегральных схем (ИС) непрерывно изменялась. При этом отдельные типы ИС нередко рассматривались как альтернативные, т. е. исключающие все другие. В настоящее время каждый из основных типов ИС занял свое, относительное стабильное место в микроэлектронике.
По способу изготовления и получаемой при этом структуре различают два принципиально разных типа интегральных схем: полупроводниковые и пленочные. Полупроводниковая ИС — это микросхема, элементы которой выполнены в приповерхностном слое полупроводниковой подложки. Эти ИС составляют основу современной микроэлектроники. Пленочная ИС — это микросхема, элементы которой выполнены в виде разного рода пленок, нанесенных на поверхность диэлектрической подложки. В зависимости от способа нанесения пленок и связанной с этим их толщиной различают тонкопленочные ИС (толщина пленок до 1—2 мкм) и толстопленочные ИС (толщина пленок от 10—20 мкм и выше).
Поскольку ИС, подобно электронной лампе или транзистору, представляет собой конструктивно единое целое, выполняет определенную функцию должна удовлетворять определенным требованиям при испытаниях, поставках и эксплуатации, она относится к разряду электронных приборов. Однако по сравнению с диодом, транзистором и т. п. ИС является качественно новым типом прибора.
Первая главная особенность И С как электронного прибора состоит в том, что она самостоятельно выполняет законченную, часто весьма сложную функцию, тогда как элементарные электронные приборы выполняют аналогичную функцию только в ансамбле с другими компонентами.
Второй важной особенностью ИС является то, что повышение функциональной сложности этого прибора по сравнению с элементарными не сопровождается ухудшением какого-либо из основных показателей (надежность, стоимость и т. п.). Более того, все эти показатели улучшаются.
Третья особенность ИС состоит в предпочтительности активных элементов перед пассивными — принцип, диаметрально противоположный тому, который свойствен дискретной транзисторной технике. В последней активные компоненты, особенно транзисторы, наиболее дорогие, и потому оптимизация схемы при прочих равных условиях состоит в уменьшении количества активных компонентов. В ИС дело обстоит иначе: у них задана стоимость не элемента, а кристалла; поэтому целесообразно размещать на кристалле как можно больше элементов с минимальной площадью. Минимальную площадь имеют активные элементы — транзисторы и диоды, а максимальную — пассивные. Следовательно, оптимальная ИС — это ИС, у которой сведены к минимуму количество и номиналы резисторов и, особенно, конденсаторов.
Четвертая особенность ИС связана с тем, что смежные элементы расположены друг от друга на расстоянии всего 50—100 мкм. На таких малых расстояниях различие электрофизических свойств материала

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электроника
Вид работы: Курсовая работа
Оценка:Хорошо
Дата оценки: 16.06.2011
Рецензия:Уважаемый ,
в Вашей работе отсутствует рисунок топологии.
Игнатов Александр Николаевич
04 вариант!