Электроника. Разработка цифровой интегральной микросхемы. 16 вариант.

Цена:
250 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 83DF2D8B-65EC-4B5F-90EB-E6B468917208.rar [264 KB]
material.view.file_icon Электроника. Курсовой проект.doc [Office 2010, 21 стр., 890 KB]

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Разработка цифровой интегральной микросхемы

Введение          
Техническое задание.        
1.Электрический расчет цифровой схемы.   
2.Разработка топологии интегральной микросхемы.  
Заключение.         
Используемая литература

Комбинации входных сигналов
Последняя цифра номера студенческого билета 6

Значения входных сигналов
 Входы
 1 2 3 4
 1 1 0 1
 0 1 0 1
 0 1 1 1

Характеристика материалов пленочных резисторов
Предпоследняя цифра номера
студенческого билета 1
Материал Сплав МЛТ-3 
RS 500 Ом/квадр
Р0 20 мВт/мм2

Дополнительная информация

Оценка - Отлично
Работа сдана с первого раза, выполнена аккуратно, без замечаний.

Похожие материалы

Разработка цифровой интегральной микросхемы. Вариант № 16
Для трех комбинаций входных сигналов составить таблицу состояний всех активных элементов и провести электрический расчет, а именно: – оценить потенциалы в точках, указанных на схеме (А, В, С ,D); – рассчитать все токи схемы и указать их направления; – рассчитать мощности, которые рассеиваются на резисторах, и мощности, потребляемой всей схемой. Результаты расчетов свести в таблицы. Второй раздел - разработка топологии ИМС для выше приведенной схемы Разработка топологии включает в себя сле
СибГУТИ Электроника Работа Курсовая
User salut135 : 21 июня 2012
170 руб.
Разработка цифровой интегральной микросхемы. Вариант № 16
Разработка цифровой интегральной микросхемы
Разработка цифровой интегральной микросхемы, 10-й вариант. Раздел 1. Электрический расчет цифровой схемы. Проведем расчет для комбинации входных сигналов «0111» Проведем расчет для комбинации входных сигналов «0010» Проведем расчет для комбинации входных сигналов «1100» Расчет мощности, потребляемый микросхемой для каждой комбинации. Для комбинации «1100» Для комбинации «0111» Для комбинации «0010» Составим таблицу истинности. Так как в схеме четыре входа, то всего возможно 24 = 16 комб
СибГУТИ Электроника Работа Курсовая
User ViktorLV : 6 июня 2010
300 руб.
Разработка цифровой интегральной микросхемы.
СибГУТИ. ФОЭ. Курсовая работа. Вариант 10 Раздел 1. Электрический расчет цифровой схемы. Проведем расчет для комбинации входных сигналов «0111» Проведем расчет для комбинации входных сигналов «0010» Проведем расчет для комбинации входных сигналов «1100» Рассчитаем мощности, потребляемые микросхемой для каждой комбинации. Составим таблицу истинности. Раздел 2. Разработка топологии ИМС для выше приведенной схемы. Выводы ЛИТЕРАТУРА Выводы Спроектированная интегральная схема
СибГУТИ Электроника физическая Работа Курсовая
User nat2744 : 30 сентября 2009
300 руб.
Физические основы электроники, контрольная работа, 16 вариант, 2 семестр, 2017
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.А.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: 1) построить линию нагрузки; 2) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектор
ДО СИБГУТИ Физические основы электроники Работа Контрольная
User zyeff : 31 октября 2017
450 руб.
Физические основы электроники, контрольная работа, 16 вариант, 2 семестр, 2017
Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №16, Вариант №7
Билет № 16 1 Устройство и принцип работы МДП транзисторов с индуцированным каналом. Схемы включения. Характеристики. 2. Импульсный режим работы БТ. Схема, принцип действия, причины искажения импульсов, основные параметры и характеристики.
ДО СИБГУТИ Работа Зачетная Физические основы электроники
User deus : 8 июня 2016
100 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №16, Вариант №7
Экзамен, Электроника, вариант 16 (2019 год)
1. Параметры полевого транзистора. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и покаж
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Sigil : 16 ноября 2019
200 руб.
Курсовая работа по дисциплине: Электроника. Вариант 16
РАЗРАБОТКА ИНТЕГРАЛЬНОГО АНАЛОГОВОГО УСТРОЙСТВА Содержание Задание на курсовую работу 3 Введение 4 1. Разработка структурной схемы 5 2. Разработка принципиальной схемы 6 Расчет второго каскада: 8 3. Разработка интегральной микросхемы 13 3.1. Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных элементов 13 3.2. Разработка топологии 15 3.3. Этапы изготовления устройства в виде гибридной интегральной микросхемы 17 Заключение 19 Список литературы 20 Задание на курсовую работу Разработать прин
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Курсовая
User Roma967 : 16 августа 2019
1000 руб.
promo
Экзаменационные вопросы по курсу: «Электроника». Вариант №16
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Принцип действия полевого транзистора со структурой МДП. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передато
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Sandra197 : 9 января 2016
200 руб.

Другие работы

Теплотехника Задача 18.31 Вариант 4
Расчет отпуска теплоты от ТЭЦ Определить расчетные, средние и годовые нагрузки теплоты, полученные результаты занести в таблицу 5.2. Данные для расчета приведены в таблице 5.1.
Задачи Теплотехника
User Z24 : 21 января 2026
250 руб.
Теплотехника Задача 18.31 Вариант 4
Крышка-Детали машин
Крышка-Детали машин-Деталировка-Сборочный чертеж-Чертежи-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Графическая часть-Оборудование-Машины и механизмы-Агрегаты-Установки-Комплексы-Узлы-Детали-Курсовая работа-Дипломная работа
Чертежи Детали машин
User lelya.nakonechnyy.92@mail.ru : 28 апреля 2020
150 руб.
Крышка-Детали машин
Экзаменационная работа по дисциплине: Управление сетями связи. Билет №3
Управление сетями связи. Оптические системы и сети связи ОПК-5 1. Что представляет собой наложенная сеть связи? 2. В чем смысл функциональной модели TMN? 3. Чем отличается SNMP от CMIP? 4. Что входит в общую модель организации управления в сети OTN? 5. Почему необходимо управление доступом в B-ISDN? ПК-1 1. Что входит в структуру программного обеспечения Т2000? 2. Что выполняет процесс управления клиентским интерфейсом? 3. Какие преимущества создаст T-SDN при использовании в мультисервисной се
ДО СИБГУТИ Управление сетями связи Работа Зачетная
User Учеба "Под ключ" : 25 августа 2022
600 руб.
promo
Лабораторная работа №2 по дисциплине: Направляющие среды электросвязи
вариант 02 1 ЦЕЛЬ РАБОТЫ Целью работы является проведение компьютерного эксперимента по исследованию влияния составляющих дисперсии на временные параметры передаваемых оптических импульсов: - модовой дисперсии ступенчатых оптических волокон; - модовой дисперсии градиентных оптических волокон; - материальной составляющей хроматической дисперсии; - волноводной составляющей хроматической дисперсии; - профильной составляющей хроматической дисперсии; - хроматической дисперсии оптического волокна; - р
ДО СИБГУТИ Работа Лабораторная Направляющие среды в сетях электросвязи и методы их защиты
User кайлорен : 6 апреля 2021
200 руб.
up Наверх