Электроника. Разработка цифровой интегральной микросхемы. 16 вариант.

Цена:
250 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon Электроника. Курсовой проект.doc

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Разработка цифровой интегральной микросхемы

Введение          
Техническое задание.        
1.Электрический расчет цифровой схемы.   
2.Разработка топологии интегральной микросхемы.  
Заключение.         
Используемая литература

Комбинации входных сигналов
Последняя цифра номера студенческого билета 6

Значения входных сигналов
 Входы
 1 2 3 4
 1 1 0 1
 0 1 0 1
 0 1 1 1

Характеристика материалов пленочных резисторов
Предпоследняя цифра номера
студенческого билета 1
Материал Сплав МЛТ-3 
RS 500 Ом/квадр
Р0 20 мВт/мм2

Дополнительная информация

Оценка - Отлично
Работа сдана с первого раза, выполнена аккуратно, без замечаний.
Разработка цифровой интегральной микросхемы. Вариант № 16
Для трех комбинаций входных сигналов составить таблицу состояний всех активных элементов и провести электрический расчет, а именно: – оценить потенциалы в точках, указанных на схеме (А, В, С ,D); – рассчитать все токи схемы и указать их направления; – рассчитать мощности, которые рассеиваются на резисторах, и мощности, потребляемой всей схемой. Результаты расчетов свести в таблицы. Второй раздел - разработка топологии ИМС для выше приведенной схемы Разработка топологии включает в себя сле
User salut135 : 21 июня 2012
170 руб.
Разработка цифровой интегральной микросхемы. Вариант № 16
Разработка цифровой интегральной микросхемы
Разработка цифровой интегральной микросхемы, 10-й вариант. Раздел 1. Электрический расчет цифровой схемы. Проведем расчет для комбинации входных сигналов «0111» Проведем расчет для комбинации входных сигналов «0010» Проведем расчет для комбинации входных сигналов «1100» Расчет мощности, потребляемый микросхемой для каждой комбинации. Для комбинации «1100» Для комбинации «0111» Для комбинации «0010» Составим таблицу истинности. Так как в схеме четыре входа, то всего возможно 24 = 16 комб
User ViktorLV : 6 июня 2010
300 руб.
Разработка цифровой интегральной микросхемы.
СибГУТИ. ФОЭ. Курсовая работа. Вариант 10 Раздел 1. Электрический расчет цифровой схемы. Проведем расчет для комбинации входных сигналов «0111» Проведем расчет для комбинации входных сигналов «0010» Проведем расчет для комбинации входных сигналов «1100» Рассчитаем мощности, потребляемые микросхемой для каждой комбинации. Составим таблицу истинности. Раздел 2. Разработка топологии ИМС для выше приведенной схемы. Выводы ЛИТЕРАТУРА Выводы Спроектированная интегральная схема
User nat2744 : 30 сентября 2009
300 руб.
Физические основы электроники, контрольная работа, 16 вариант, 2 семестр, 2017
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.А.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: 1) построить линию нагрузки; 2) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектор
User zyeff : 31 октября 2017
450 руб.
Физические основы электроники, контрольная работа, 16 вариант, 2 семестр, 2017
Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №16, Вариант №7
Билет № 16 1 Устройство и принцип работы МДП транзисторов с индуцированным каналом. Схемы включения. Характеристики. 2. Импульсный режим работы БТ. Схема, принцип действия, причины искажения импульсов, основные параметры и характеристики.
User deus : 8 июня 2016
100 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №16, Вариант №7
Экзамен, Электроника, вариант 16 (2019 год)
1. Параметры полевого транзистора. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и покаж
User Sigil : 16 ноября 2019
200 руб.
Курсовая работа по дисциплине: Электроника. Вариант 16
РАЗРАБОТКА ИНТЕГРАЛЬНОГО АНАЛОГОВОГО УСТРОЙСТВА Содержание Задание на курсовую работу 3 Введение 4 1. Разработка структурной схемы 5 2. Разработка принципиальной схемы 6 Расчет второго каскада: 8 3. Разработка интегральной микросхемы 13 3.1. Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных элементов 13 3.2. Разработка топологии 15 3.3. Этапы изготовления устройства в виде гибридной интегральной микросхемы 17 Заключение 19 Список литературы 20 Задание на курсовую работу Разработать прин
User Roma967 : 16 августа 2019
1000 руб.
promo
Экзаменационные вопросы по курсу: «Электроника». Вариант №16
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Принцип действия полевого транзистора со структурой МДП. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передато
User Sandra197 : 9 января 2016
200 руб.
Усовершенствование технологии послеуборочной обработки зерна
Пояснительная записка содержит 56 машинописного текста ,5 таблиц, 5 рисунков,15 литературных источников. Графическая часть состоит из 5 листов формата А1 они содержат технологическую схему, планы расположения оборудования, конструкторскую разработку. Пояснительная записка состоит из введения, четырех разделов и выводов. Послеуборочная обработка зерна, очистка зернового вороха, активное вентилирование, консервирование,дозирование химических консервантов.
User nov : 27 августа 2010
Сооружение подводного перехода магистрального газопровода Dn1220, Pn5.5 траншейным методом-Оборудование транспорта и хранения нефти и газа-Курсовая работа
Сооружение подводного перехода магистрального газопровода Dn1220, Pn5.5 траншейным методом-Оборудование транспорта и хранения нефти и газа-Курсовая работа Подводные трубопроводы входят в состав магистральных трубопроводов на переходах через водные преграды: реки, протоки, ручьи, каналы, моря, заливы, озера, пруды, болота. Укладывают подводные трубопроводы на различной, по отношению к горизонту воды, глубине: от нескольких метров до десятков и изредка сотен метров. Трубопроводы из-за опасности их
874 руб.
Сооружение подводного перехода магистрального газопровода Dn1220, Pn5.5 траншейным методом-Оборудование транспорта и хранения нефти и газа-Курсовая работа
Контрольная работа №1 по линейным сооружениям связи. 8-й вариант
Задание №1 Назначение воздушных цепей: 1 класс - магистральные линии; 2 класс – внутризоновые линии; 3 класс - абонентские линии сельской связи. Количество цепей Материал проволоки Индекс скрещивания Цепь 1 Цепь 2 18 Биметалл БСМ-2 1-2-4-8 1-2-1 Задана 18-х элементная секция скрещивания: индекс скрещивания первой цепи 1-2-4-8, а второй цепи 1-2-1. Составим схему скрещивания для индексов 1, и 2, и 4, и 8, затем схему скрещивания первой цепи по индексу 1-2-4-8, далее построим схему скрещивани
User Богарт : 17 марта 2012
200 руб.
Контрольная работа по дисциплине: «Схемотехника телекоммуникационных устройств (часть 2)» вариант 4.
Оглавление Задание на контрольную работу 3 1. Схема рассчитываемого усилителя 4 2. Выбор режима работы транзистора 5 3. Расчет цепей питания по постоянному току (сопротивлений схемы) 7 4. Определение входного сопротивления усилительного каскада 9 5. Расчет стабилизации режима работы транзистора 10 6. Построение нагрузочной прямой по постоянному току (с обоснованием процесса построения) 12 Список литературы 14
User 6546 : 23 ноября 2016
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине: «Схемотехника телекоммуникационных устройств (часть 2)» вариант 4.
up Наверх