Страницу Назад
Поискать другие аналоги этой работы
250 Контрольная работа по ФОЭ. 3 вариантID: 62205Дата закачки: 22 Января 2012 Продавец: azatmar (Напишите, если есть вопросы) Посмотреть другие работы этого продавца Тип работы: Работа Контрольная Форматы файлов: Microsoft Office Сдано в учебном заведении: ******* Не известно Описание: Специальность ФТОС Образец полупроводника находится в состоянии термодинамического равновесия при Т=300К и характеризуется следующими параметрами: Тип полупроводника n-тип Ge Удельное сопротивление ρ = 10 Ом*см Подвижность электронов µn = 1800 см2/(В*с) Подвижностьм дырок µр = 140 см2/(В*с) Концентрация собственных носителей тока ni = 2,5*1013 см-3 Концентрация основных носителей тока nn = ? Концентрация неосновных носителей тока pn = ? 1)Эффективная плотность уровня NC = 1*1019 см-3 Энергия примесных уровней ED = -0,012 эВ Требуется найти неизвестные параметры и: а) Рассчитать положение уровня Ферми относительно границ разрешенных зон. б) Определить вероятность события, состоящего в том, что донорный или акцепторный уровень в зависимости от типа проводимости занят электроном или свободен. в) Построить зонную диаграмму проводника. 2)При исследовании эффекта Холла использовался образец полупроводника с размерами l, b и d (см рисунок)...................................... 3)Имеется резкий кремниевый p-n – переход, находящийся при температуре Т=300К. Р-область перехода легирована атомами бора с концентрацией NA, а область n - перехода легирована атомами фосфора с концентрацией ND. ............................................... 4)Рассчитать изменение емкости при изменении обратного напряжения от 0 до Vобр для резкого кремниевого p-n – перехода, если известно, что при V=0 емкость перехода равна С0. Построить график этой зависимости. Исходные данные:...................................... 5)Вычислить дифференциальное сопротивление p-n – перехода при изменении прямого тока I=(0,01 – 10,0) мА. Температура Т=290К, ток Is=1 мкА. Построить график зависимости rд=f(Iпр). Комментарии: 2009,Башкирский государственный университет,ФОЭ,Гарифуллин Н.М. Размер файла: 257,9 Кбайт Фаил: (.rar) ------------------- Обратите внимание, что преподаватели часто переставляют варианты и меняют исходные данные! Если вы хотите, чтобы работа точно соответствовала, смотрите исходные данные. Если их нет, обратитесь к продавцу или к нам в тех. поддержку. Имейте ввиду, что согласно гарантии возврата средств, мы не возвращаем деньги если вариант окажется не тот. -------------------
Скачано: 1 Коментариев: 0 |
||||
Есть вопросы? Посмотри часто задаваемые вопросы и ответы на них. Опять не то? Мы можем помочь сделать! Некоторые похожие работы:Контрольная работа по ФОЭ. Вариант №0Контрольная работа по ФОЭ. Вариант №1 Контрольная работа по ФОЭ. Вариант № 9 Контрольная работа по дисциплине: Русский язык и культура речи. Вариант 2 Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант 02. СибГути. Заочно ускоренное обучение Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). 20 вариант СибГУТИ Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант 06. СибГути. Заочно ускоренное обучение Ещё искать по базе с такими же ключевыми словами. |
||||
Не можешь найти то что нужно? Мы можем помочь сделать! От 350 руб. за реферат, низкие цены. Спеши, предложение ограничено ! |
Вход в аккаунт:
Страницу Назад
Cодержание / Электроника физическая / Контрольная работа по ФОЭ. 3 вариант
Вход в аккаунт: