Контрольная работа по ФОЭ. 3 вариант

Специальность ФТОС
 Образец полупроводника находится в состоянии термодинамического равновесия при Т=300К и характеризуется следующими параметрами:

Тип полупроводника n-тип Ge
Удельное сопротивление ρ = 10 Ом*см
Подвижность электронов μn = 1800 см2/(В*с)
Подвижностьм дырок μр = 140 см2/(В*с)
Концентрация собственных носителей тока ni = 2,5*1013 см-3
Концентрация основных носителей тока nn = ?
Концентрация неосновных носителей тока pn = ?
1)Эффективная плотность уровня NC = 1*1019 см-3
Энергия примесных уровней ED = -0,012 эВ

 Требуется найти неизвестные параметры и:
 а) Рассчитать положение уровня Ферми относительно границ разрешенных зон.
 б) Определить вероятность события, состоящего в том, что донорный или акцепторный уровень в зависимости от типа проводимости занят электроном или свободен.
 в) Построить зонную диаграмму проводника.
2)При исследовании эффекта Холла использовался образец полупроводника с размерами l, b и d (см рисунок)......................................
3)Имеется резкий кремниевый p-n – переход, находящийся при температуре Т=300К. Р-область перехода легирована атомами бора с концентрацией NA, а область n - перехода легирована атомами фосфора с концентрацией ND. ...............................................
4)Рассчитать изменение емкости при изменении обратного напряжения от 0 до Vобр для резкого кремниевого p-n – перехода, если известно, что при V=0 емкость перехода равна С0. Построить график этой зависимости.
Исходные данные:......................................
5)Вычислить дифференциальное сопротивление p-n – перехода при изменении прямого тока I=(0,01 – 10,0) мА. Температура Т=290К, ток Is=1 мкА. Построить график зависимости rд=f(Iпр).

2009,Башкирский государственный университет,ФОЭ,Гарифуллин Н.М.