Страницу Назад
Поискать другие аналоги этой работы

250

Контрольная работа по ФОЭ. 3 вариант

ID: 62205
Дата закачки: 22 Января 2012
Продавец: azatmar (Напишите, если есть вопросы)
    Посмотреть другие работы этого продавца

Тип работы: Работа Контрольная
Форматы файлов: Microsoft Office
Сдано в учебном заведении: ******* Не известно

Описание:
Специальность ФТОС
 Образец полупроводника находится в состоянии термодинамического равновесия при Т=300К и характеризуется следующими параметрами:

Тип полупроводника n-тип Ge
Удельное сопротивление ρ = 10 Ом*см
Подвижность электронов µn = 1800 см2/(В*с)
Подвижностьм дырок µр = 140 см2/(В*с)
Концентрация собственных носителей тока ni = 2,5*1013 см-3
Концентрация основных носителей тока nn = ?
Концентрация неосновных носителей тока pn = ?
1)Эффективная плотность уровня NC = 1*1019 см-3
Энергия примесных уровней ED = -0,012 эВ

 Требуется найти неизвестные параметры и:
 а) Рассчитать положение уровня Ферми относительно границ разрешенных зон.
 б) Определить вероятность события, состоящего в том, что донорный или акцепторный уровень в зависимости от типа проводимости занят электроном или свободен.
 в) Построить зонную диаграмму проводника.
2)При исследовании эффекта Холла использовался образец полупроводника с размерами l, b и d (см рисунок)......................................
3)Имеется резкий кремниевый p-n – переход, находящийся при температуре Т=300К. Р-область перехода легирована атомами бора с концентрацией NA, а область n - перехода легирована атомами фосфора с концентрацией ND. ...............................................
4)Рассчитать изменение емкости при изменении обратного напряжения от 0 до Vобр для резкого кремниевого p-n – перехода, если известно, что при V=0 емкость перехода равна С0. Построить график этой зависимости.
Исходные данные:......................................
5)Вычислить дифференциальное сопротивление p-n – перехода при изменении прямого тока I=(0,01 – 10,0) мА. Температура Т=290К, ток Is=1 мкА. Построить график зависимости rд=f(Iпр).




Комментарии: 2009,Башкирский государственный университет,ФОЭ,Гарифуллин Н.М.

Размер файла: 257,9 Кбайт
Фаил: Упакованные файлы (.rar)
-------------------
Обратите внимание, что преподаватели часто переставляют варианты и меняют исходные данные!
Если вы хотите, чтобы работа точно соответствовала, смотрите исходные данные. Если их нет, обратитесь к продавцу или к нам в тех. поддержку.
Имейте ввиду, что согласно гарантии возврата средств, мы не возвращаем деньги если вариант окажется не тот.
-------------------

   Скачать

   Добавить в корзину


    Скачано: 1         Коментариев: 0


Не можешь найти то что нужно? Мы можем помочь сделать! 

От 350 руб. за реферат, низкие цены. Просто заполни форму и всё.

Спеши, предложение ограничено !



Что бы написать комментарий, вам надо войти в аккаунт, либо зарегистрироваться.

Страницу Назад

  Cодержание / Электроника физическая / Контрольная работа по ФОЭ. 3 вариант
Вход в аккаунт:
Войти

Забыли ваш пароль?

Вы еще не зарегистрированы?

Создать новый Аккаунт


Способы оплаты:
UnionPay СБР Ю-Money qiwi Payeer Крипто-валюты Крипто-валюты


И еще более 50 способов оплаты...
Гарантии возврата денег

Как скачать и покупать?

Как скачивать и покупать в картинках


Сайт помощи студентам, без посредников!