Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". 2-й семестр. Вариант 5

Цена:
40 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon лаб раб 1.docx
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов
Выводы по проделанной работе.
Полупроводниковым диодом называют нелинейный электронный прибор с двумя выводами. В зависимости от внутренней структуры, типа, количества и уровня легирования внутренних элементов диода и вольт-амперной ...............................

Дополнительная информация

Сибирский государственный университет
телекоммуникаций и информатики
Проверил: Савиных Валерий Леонидович
Новосибирск,2011
ХОРОШО
Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Уважаемый студент, дистанционного обучения, Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники Вид работы: Лабораторная работа 1 Оценка:Зачет Дата оценки: 10.02.2018 Рецензия:Уважаемый замечаний нет.
User Shamanss : 11 февраля 2018
200 руб.
Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) 1.2 . Определение типа материала диода. 1.3 . Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА. 2.Обратное включение. 3. Исследование стабилитрона Д814А 4. Исследован
User ДО Сибгути : 22 декабря 2015
50 руб.
Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Отчет по работе 2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении.
User Lanisto : 17 марта 2015
120 руб.
Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. доц. Савиных В. Л.
User Aronitue9 : 8 марта 2012
20 руб.
Лабораторная работа № 1, Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Отчет по работе № 1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" 1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Отчет по работе 2.1. Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении. На рис. 2.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении. На графике 2.1 приведена вольтампер
User reanimator00 : 11 марта 2010
35 руб.
Отчет по лабораторной работе №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) 1.2. Определение типа материала диода. 1.3 . Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА. 2.Обратное включение. 3. Исследование стабилитрона Д814А 4. Исследование
User ДО Сибгути : 31 января 2013
100 руб.
Лабораторная работа №1."Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Вариант №2
1. Схема прямого включения 2. Так как ширина запрещённой зоны для германия ∆W=0,72эВ, а для кремния ∆W=1,12эВ, то можно сделать вывод что, диод выполненный из германия, с менее узкой шириной запрещённой зоны, будет иметь более крутую кривую ВАХ чем диод, выполненный из кремния. Значит диод Д7Ж выполнен из германия, а диод Д220 – из кремниевый. 3. Схема обратного включения 4. Исследование стабилитрона Д814А 5. Исследование однополупериодного выпрямителя: 6. Построим график вольт-амперных характер
User Антон133 : 3 апреля 2016
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Выполнение работы: а) Снятие вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при условии: Iпр=f(Uпр) б) Определение типа материала диода. в) Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА. г) Исследовани
User mirsan : 24 января 2015
55 руб.
Разработка подвесной кран-балки для ремонтной мастерской
Введение 2 1. Устройство, работа электротали и ее составных частей 4 2. Расчет механизма подъема груза 8 3. Расчет тормоза 13 4. Расчет приводной тележки 17 5. Расчет траверсы
User proekt-sto : 18 июля 2017
300 руб.
Разработка подвесной кран-балки для ремонтной мастерской
Опыт деятельности правительства П.А. Столыпина
Введение Место и роль правительства в системе высших органов государственного управления Российской империи Предпосылки и процесс создания института Правительства Отношение политических кругов к реформаторскому курсу премьер-министра П. А. Столыпина Анализ реформ правительства под руководством П.А. Столыпина Организационно-управленческая деятельность главы «правительства перемен» П. А. Столыпина Основные направления реформ Итоги и оценка реформ Заключение Список использованной литературы
User alfFRED : 24 ноября 2012
10 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Архитектура и частотно-территориальное планирование беспроводных сетей. Вариант №15
Контрольная работа Вариант №15 ЦЕЛЬ РАБОТЫ: Изучить характеристики спутникового канала связи. Произвести расчет основных характеристик спутникового канала связи. ЗАДАНИЕ НА КОНТРОЛЬНУЮ РАБОТУ Необходимо: Рассчитать производительность канала С, бит/с и вероятность символьной ошибки Ps при заданных координатах космической станции (КС) на геостационарной орбите и земной станции. Таблица 1 – Исходные данные № Тип спутника Координаты, в.д. Полоса частот, МГц Земные станции, (в.д.) Параметры спутни
User IT-STUDHELP : 28 апреля 2023
800 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Архитектура и частотно-территориальное планирование беспроводных сетей. Вариант №15 promo
Асоціація Азіатсько-Тихоокеанського економічного співробітництва
Зміст Вступ 1. Загальна характеристика АТЕС 2. Росія і АТЕС 3. Владивосток - столиця саміту АТЕС-2012 Висновок Список використаної літератури Вступ Ідея створення "Тихоокеанського співтовариства", в основі якого лежало б взаємовигідну співпрацю і взаєморозуміння настільки багатоликого регіону, витала в повітрі з початку 60-х років XX століття. Відомі політики та економісти по обидві сторони великого Тихого океану висували безліч різних планів і концепцій щодо форм і принципів діяльності
User DocentMark : 13 сентября 2013
up Наверх