Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". 2-й семестр. Вариант 5

Цена:
40 руб.

Состав работы

material.view.file_icon EFC5714D-A1B0-4A16-BA0E-92F19EDBBC11.rar [ 276 KB ]
material.view.file_icon лаб раб 1.docx [ 333 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов
Выводы по проделанной работе.
Полупроводниковым диодом называют нелинейный электронный прибор с двумя выводами. В зависимости от внутренней структуры, типа, количества и уровня легирования внутренних элементов диода и вольт-амперной ...............................

Дополнительная информация

Сибирский государственный университет
телекоммуникаций и информатики
Проверил: Савиных Валерий Леонидович
Новосибирск,2011
ХОРОШО

Похожие материалы

Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Уважаемый студент, дистанционного обучения, Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники Вид работы: Лабораторная работа 1 Оценка:Зачет Дата оценки: 10.02.2018 Рецензия:Уважаемый замечаний нет.
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User Shamanss : 11 февраля 2018
200 руб.
Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) 1.2 . Определение типа материала диода. 1.3 . Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА. 2.Обратное включение. 3. Исследование стабилитрона Д814А 4. Исследован
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User ДО Сибгути : 22 декабря 2015
50 руб.
Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Отчет по работе 2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении.
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User Lanisto : 17 марта 2015
120 руб.
Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. доц. Савиных В. Л.
Информационные технологии и системы Работа Лабораторная
User Aronitue9 : 8 марта 2012
20 руб.
Лабораторная работа № 1, Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Отчет по работе № 1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" 1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Отчет по работе 2.1. Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении. На рис. 2.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении. На графике 2.1 приведена вольтампер
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User reanimator00 : 11 марта 2010
35 руб.
Отчет по лабораторной работе №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) 1.2. Определение типа материала диода. 1.3 . Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА. 2.Обратное включение. 3. Исследование стабилитрона Д814А 4. Исследование
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User ДО Сибгути : 31 января 2013
100 руб.
Лабораторная работа №1."Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Вариант №2
1. Схема прямого включения 2. Так как ширина запрещённой зоны для германия ∆W=0,72эВ, а для кремния ∆W=1,12эВ, то можно сделать вывод что, диод выполненный из германия, с менее узкой шириной запрещённой зоны, будет иметь более крутую кривую ВАХ чем диод, выполненный из кремния. Значит диод Д7Ж выполнен из германия, а диод Д220 – из кремниевый. 3. Схема обратного включения 4. Исследование стабилитрона Д814А 5. Исследование однополупериодного выпрямителя: 6. Построим график вольт-амперных характер
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User Антон133 : 3 апреля 2016
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Выполнение работы: а) Снятие вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при условии: Iпр=f(Uпр) б) Определение типа материала диода. в) Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА. г) Исследовани
Электроника Работа Лабораторная
User mirsan : 24 января 2015
55 руб.

Другие работы

Экзаменационная работа по программированию. Вариан №14
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения, Оценена Ваша работа по предмету: Программирование (2 часть) Вид работы: Экзамен Оценка:Хорошо Дата оценки: 07.05.2015 Рецензия:Уважаемый Перцева Вера Александровна
СибГУТИ Программирование Работа Экзаменационная
User Failon2010 : 7 мая 2015
100 руб.
Информационная безопасность. Вариант №47
Использование биометрических систем при обеспечении Содержание Введение 1. Использование биометрических данных для защиты информации 2. Обзор биометрических методов защиты информации 3. Мировая и отечественная практика внедрения биометрических технологий в различных секторах Заключение Список использованных источников
СибГУТИ Информационная безопасность Работа Контрольная
User IT-STUDHELP : 15 ноября 2021
400 руб.
promo
Особенности средневековой архитектуры Чехии
Архитектура принадлежит особое место в культуре средних веков. В ней культура предстаёт наиболее наглядным, зримым образом. Сохранились для потомков, восхищая их, не только величественные соборы и замки, но даже целые городища. Одним из островков средневековья является Чехия со столицей в г. Праге. Как и во всех формах средневековой культуры, в архитектуре определяющим оказалось влияние религии. Христианство в Чехи приняли в IX веке и около 900 года основали королевство Богемия. Во второй
Рефераты Архитектура
User evelin : 20 октября 2013
5 руб.
Тенденция отчуждения местной власти от населения
Одна из наиболее актуальных проблем современности, нуждающаяся во всестороннем изучении, — тенденция отчуждения власти от населения. Эта проблема характерна для всех уровней власти, в частности и для местного. Особенностью ее проявления в России стал патернализм, долгое время господствовавший как мировоззренческая основа советского типа власти. Патернализм (от лат. pater — отец) как принцип попечительства, опеки в советском варианте предполагал, что за все происходящее в стране в целом, в каждом
Рефераты Государство и право
User Aronitue9 : 21 марта 2013
5 руб.
up Наверх