Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". 2-й семестр. Вариант 5
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Электроника физическая
-
Добавлен:
06.02.2012
-
Размер:
276 KB
-
Покупок:
6
-
Добавил:
odja
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
лаб раб 1.docx
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов
Выводы по проделанной работе.
Полупроводниковым диодом называют нелинейный электронный прибор с двумя выводами. В зависимости от внутренней структуры, типа, количества и уровня легирования внутренних элементов диода и вольт-амперной ...............................
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов
Выводы по проделанной работе.
Полупроводниковым диодом называют нелинейный электронный прибор с двумя выводами. В зависимости от внутренней структуры, типа, количества и уровня легирования внутренних элементов диода и вольт-амперной ...............................
Дополнительная информация
Сибирский государственный университет
телекоммуникаций и информатики
Проверил: Савиных Валерий Леонидович
Новосибирск,2011
ХОРОШО
телекоммуникаций и информатики
Проверил: Савиных Валерий Леонидович
Новосибирск,2011
ХОРОШО
Похожие материалы
Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Shamanss
: 11 февраля 2018
Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 10.02.2018
Рецензия:Уважаемый
замечаний нет.
Shamanss
: 11 февраля 2018
200 руб.
Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
ДО Сибгути
: 22 декабря 2015
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
1.2 . Определение типа материала диода.
1.3 . Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА.
2.Обратное включение.
3. Исследование стабилитрона Д814А
4. Исследован
ДО Сибгути
: 22 декабря 2015
50 руб.
Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Lanisto
: 17 марта 2015
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Отчет по работе
2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении.
Lanisto
: 17 марта 2015
120 руб.
Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Aronitue9
: 8 марта 2012
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
доц. Савиных В. Л.
Aronitue9
: 8 марта 2012
20 руб.
Лабораторная работа № 1, Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
reanimator00
: 11 марта 2010
Отчет по работе № 1
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Отчет по работе
2.1. Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении.
На рис. 2.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении. На графике 2.1 приведена вольтампер
reanimator00
: 11 марта 2010
35 руб.
Отчет по лабораторной работе №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
ДО Сибгути
: 31 января 2013
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
1.2. Определение типа материала диода.
1.3 . Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА.
2.Обратное включение.
3. Исследование стабилитрона Д814А
4. Исследование
ДО Сибгути
: 31 января 2013
100 руб.
Лабораторная работа №1."Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Вариант №2
Антон133
: 3 апреля 2016
1. Схема прямого включения
2. Так как ширина запрещённой зоны для германия ∆W=0,72эВ, а для кремния ∆W=1,12эВ, то можно сделать вывод что, диод выполненный из германия, с менее узкой шириной запрещённой зоны, будет иметь более крутую кривую ВАХ чем диод, выполненный из кремния. Значит диод Д7Ж выполнен из германия, а диод Д220 – из кремниевый.
3. Схема обратного включения
4. Исследование стабилитрона Д814А
5. Исследование однополупериодного выпрямителя:
6. Построим график вольт-амперных характер
Антон133
: 3 апреля 2016
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
mirsan
: 24 января 2015
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Выполнение работы:
а) Снятие вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при условии: Iпр=f(Uпр)
б) Определение типа материала диода.
в) Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА.
г) Исследовани
mirsan
: 24 января 2015
55 руб.
Другие работы
Электромагнитные поля и волны. Зачетная. Билет №3
Vodoley
: 18 октября 2020
Типы световодов, их параметры. Структура поля симметричных и гибридных волн. Особенности критического режима.
Задача 1
В волноводе прямоугольного сечения а = 48 мм, b = 22 мм распространяется основной тип волны. Амплитуда напряженности электрического поля на оси волновода равна Em = 60 В/м. Стенки волновода выполнены из меди, удельная проводимость меди σ = 5,7⋅"1" "0" ^7Сим/м.
Требуется:
1.Определить частотные границы одноволнового режима.
Vodoley
: 18 октября 2020
50 руб.
Основы оптической связи 1 вариант экзамен
Иннокентий
: 1 июля 2022
Основы оптической связи. Тест. Билет 1.
.………………………………………………………………………………….
ПК-1
1. Почему применяют диапазона волн 0,4 - 1,8 мкм в технике оптической связи?
2. Как воспроизводится определение волоконно-оптической системы передачи?
3. На сколько отличаются по величине затухания отражения прямой и угловой физические контакты коннекторе?
4. Назвать требования к источнику оптического излучения ВОСП.
5. Объяснить понятие оптической модуляции.
6. Назвать виды фотодетекторов для оптических систем п
Иннокентий
: 1 июля 2022
500 руб.
Комплект рабочих чертежей єлектрической части системы загрузки доменной печи №5
Sunlight612
: 13 апреля 2012
В данной работе предоставлены принципиальные схемы системы загрузки доменной печи №5 ЕМЗ.
Схемы электроснабжения, схемы силовых цепей тиристорных преобразователей , принципиальные схемы управления главным подъемником( ДПТ с КТЭ) , вращающимся распределителем, лебедки зондов, лебедки конусов и т.д
Sunlight612
: 13 апреля 2012
Исследование эксплуатационных характеристик станков с ЧПУ
FOXYS
: 27 августа 2017
Цель работы – закрепление теоретических знаний студентов по изучению точностных характеристик станков с программным управлением. Ознакомится с методикой и средствами проверки основных эксплуатационных характеристик токарного станка с оперативным программным управлением SAMAT-400SC «Вектор». Оценить технологические возможности станка.
FOXYS
: 27 августа 2017
30 руб.
