Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"

Цена:
20 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 6A5A4095-55C2-4BE3-A9CF-2517221D20D4.rar [130 KB]
material.view.file_icon 1.docx [140 KB]

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
доц. Савиных В. Л.

Похожие материалы

Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Уважаемый студент, дистанционного обучения, Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники Вид работы: Лабораторная работа 1 Оценка:Зачет Дата оценки: 10.02.2018 Рецензия:Уважаемый замечаний нет.
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User Shamanss : 11 февраля 2018
200 руб.
Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) 1.2 . Определение типа материала диода. 1.3 . Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА. 2.Обратное включение. 3. Исследование стабилитрона Д814А 4. Исследован
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User ДО Сибгути : 22 декабря 2015
50 руб.
Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Отчет по работе 2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении.
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User Lanisto : 17 марта 2015
120 руб.
Лабораторная работа № 1, Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Отчет по работе № 1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" 1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Отчет по работе 2.1. Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении. На рис. 2.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении. На графике 2.1 приведена вольтампер
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User reanimator00 : 11 марта 2010
35 руб.
Отчет по лабораторной работе №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) 1.2. Определение типа материала диода. 1.3 . Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА. 2.Обратное включение. 3. Исследование стабилитрона Д814А 4. Исследование
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User ДО Сибгути : 31 января 2013
100 руб.
Лабораторная работа №1."Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Вариант №2
1. Схема прямого включения 2. Так как ширина запрещённой зоны для германия ∆W=0,72эВ, а для кремния ∆W=1,12эВ, то можно сделать вывод что, диод выполненный из германия, с менее узкой шириной запрещённой зоны, будет иметь более крутую кривую ВАХ чем диод, выполненный из кремния. Значит диод Д7Ж выполнен из германия, а диод Д220 – из кремниевый. 3. Схема обратного включения 4. Исследование стабилитрона Д814А 5. Исследование однополупериодного выпрямителя: 6. Построим график вольт-амперных характер
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User Антон133 : 3 апреля 2016
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Выполнение работы: а) Снятие вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при условии: Iпр=f(Uпр) б) Определение типа материала диода. в) Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА. г) Исследовани
Электроника Работа Лабораторная
User mirsan : 24 января 2015
55 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. Рис.1 Схема прямого включения 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
СибГУТИ Электроника Работа Лабораторная
User lev12345678 : 17 марта 2013

Другие работы

Предпринимательское право
- ХПМ, 18 заданий по 5 тестовых вопроса Тестовое задание 1. 1. Недобросовестная конкуренция - это: 1) установление монопольно высоких цен; 2) создание искусственного дефицита товаров на рынке; 3) разглашение коммерческой тайны без согласия ее владельца; 4) раздел рынка по объему продаж и закупок; 5) навязывание контрагенту невыгодных условий договора. 2. При каком нормативе положение хозяйствующего субъекта предполагается "доминирующим"? 1) более 35%; 2) более 40%; 3) более 65%; . 4) менее 35%;
Право административное и трудовое Работа
User тантал : 27 июля 2013
100 руб.
Дискретная математика. семестр 3-й. Контрольная работа. Вариант №5
I. Задано универсальное множество и множества Найти результаты действий a) - д) и каждое действие проиллюстрировать с помощью диаграммы Эйлера-Венна. II. Ввести необходимые элементарные высказывания и записать логической формулой следующее предложение. “Если Петр - отец Павла, а Павел - отец Ивана, то Петр - дед Ивана”. III. Для булевой функции найти методом преобразования минимальную ДНФ. По таблице истинности построить СКНФ. По минимальной ДНФ построить релейно-контактную схему. IV. Орграф за
ДО СИБГУТИ Работа Контрольная Дискретная математика
User masnev : 8 октября 2018
50 руб.
Агрегат компрессорный ВШВ-3/100
Назначение Агрегат компрессорный ВШВ-3/100 предназначен для обеспечения сжатым воздухом воздушных выключателей электростанций и подстанций. Настоящие техническое описание и инструкция по эксплуатации содержат сведения о назначении, устройстве, технических и эксплуатационных данных и принципе работы агрегата компрессорного ВШВ-3/100 (далее по тексту агрегат), а также правила эксплуатации, хранения и транспортирования. Техническое описание и инструкция по эксплуатации предназначены для изучения и
Электрооборудование Работа
User Aronitue9 : 7 мая 2012
20 руб.
Зачетная работа по дисциплине: оконечные устройства. Билет №18
Билет №18 1. Радиосигналы бесшнурового телефонного аппарата содержат: a) сигналы управления, несущую; b) несущую, речевой сигнал, сигналы управления; c) речевой сигнал, сигнал управления; d) несущую, речевой сигнал. 2. Где устанавливается схема телефонной передачи с центральной батареей. a) в телефонном аппарате. b) во внешнем источнике питания. c) на автоматической телефонной станции 3. В бесшнуровом телефонном аппарате команду включения реле захвата вырабатывает: a) разговорная схема СБ; b)
СибГУТИ Оконечные устройства Работа Зачетная
User nlv : 8 сентября 2018
60 руб.
up Наверх