100

Физические основы электроники. Контрольная работа. Вариант 14.

ID: 66209
Дата закачки: 20 Марта 2012
Продавец: sibgutido (Напишите, если есть вопросы)
    Посмотреть другие работы этого продавца

Тип работы: Работа Контрольная
Форматы файлов: Microsoft Office
Сдано в учебном заведении: СибГУТИ

Описание:
Физические основы электроники. Контрольная работа.

выбор варианта: Исходные данные к решаемым задачам определяются из таблиц приложения А для задач 1, 2, 3 по последней цифре пароля, для задачи 4 по предпоследней цифре пароля (в моем случае вариант 14, то есть задачи 1,2,3 по цифре 4, задача 4 - по цифре 1).

Задача 1.
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность , рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия .
Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания ЕК = 12 В, сопротивление нагрузки RН = 240 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы I Б0 = 500 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ= 250 мкА .

Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.

Задача 3.
Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты | Н21|/ h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.

Задача 4.
По входным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Дано:
Полевой транзистор КП103K, Uсио=6В, Uзио=4В.



Комментарии: 2011, СибГУТИ, зачет, без замечаний

Размер файла: 1,4 Мбайт
Фаил: (.doc)
-------------------
Обратите внимание, что преподаватели часто переставляют варианты и меняют исходные данные!
Если вы хотите, чтобы работа точно соответствовала, смотрите исходные данные. Если их нет, обратитесь к продавцу или к нам в тех. поддержку.
Имейте ввиду, что согласно гарантии возврата средств, мы не возвращаем деньги если вариант окажется не тот.
-------------------

Скачать

Добавить в корзину

Занесено в корзину

    Скачано: 9         Коментариев: 0

Есть вопросы? Посмотри часто задаваемые вопросы и ответы на них.
Опять не то? Мы можем помочь сделать!

Некоторые похожие работы:

СИНЕРГИЯ Правовые основы цифровизации государственного управления Тест 90 баллов 2023 год
Зачет по дисциплине: Общее управление качеством. Вариант №6
Совершенствование технологии изготовления вала фланцевого ИСРК-12.003.0024 трансмиссии кормораздатчика ИСРК-12 в условиях УП "КТИ СМА"
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Все варианты
Общее управление качеством. Зачет. Экзаменационный тест
Физические основы электроники. Лабораторная работа №3. "Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов". Все варианты
Контрольная работа по предмету: Физические основы электроники. Вариант № 0 и 5
Ещё искать по базе с такими же ключевыми словами.