Стабилитроны
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Содержание.
1. Введение и постановка задачи
2. Классификация стабилитронов
3. Физические основы работы полупроводникового стабилитрона
4. Исследование характеристик стабилитрона
5. Применение стабилитрона в электронике
6. Заключение
7. Литература
Усложнение радиоэлектронной аппаратуры, расширение выполняемых ею функций вызывает появление новых типов полупроводниковых приборов. Совершенствование технологии производства приводит к изменению количества типономиналов и значении параметров уже освоенных промышленностью приборов. Соответственно изменяется система нормативно-технической документации.
Началу развития полупроводниковых приборов положил кристаллик детектора — это, пожалуй, самый первый полупроводник, нашедший широкое практическое применение.
В ту пору, когда появились первые детекторы, они были еще очень несовершенны. Подчас больших трудов стоило найти чувствительную точку.
Много изобретательности приложили инженеры, чтобы улучшить детектор.
Теперь посмотрим, как же «родился» полупроводниковый диод. Важными явились работы немецкого физика К.Ф. Брауна по исследованию проводимости целого ряда полупроводников, сернистого цинка, перекиси свинца, карборунда и других, проведенные в течении 1906 г. В результате исследований была обнаружена односторонняя проводимость полупроводников.
На некоторое время кристаллический детектор уступил свое место в радиоприемнике электронной лампе. Двухэлектродная лампа, используемая для преобразования токов высокой частоты в токи звуковой (низкой) частоты, в радиоприемной и измерительной аппаратуре носит название диод-детектор.
Широкое внедрение в радиотехнику электронных ламп не остановило исследований по совершенствованию кристаллических детекторов.
Прошло более 30 лет, прежде чем кристаллический детектор вернулся на свое место. За это время были выяснены принципы работы полупроводников и наложено их производство. Сейчас промышленность выпускает большой ассортимент кристаллических детекторов, по современной классификации они носят название полупроводниковых точечных диодов. При их изготовлении используют метод электрической формовки, т.е. мощные кратковременные импульсы токов пропускают через точечный контакт. При этом контакт разогревается, о кончик иглы сплавляется с полупроводником, обеспечивая механическую прочность. В области контакта образуется маленький полусферический р-п переход. Такие диоды имеют устойчивые электрические параметры.
1. Введение и постановка задачи
2. Классификация стабилитронов
3. Физические основы работы полупроводникового стабилитрона
4. Исследование характеристик стабилитрона
5. Применение стабилитрона в электронике
6. Заключение
7. Литература
Усложнение радиоэлектронной аппаратуры, расширение выполняемых ею функций вызывает появление новых типов полупроводниковых приборов. Совершенствование технологии производства приводит к изменению количества типономиналов и значении параметров уже освоенных промышленностью приборов. Соответственно изменяется система нормативно-технической документации.
Началу развития полупроводниковых приборов положил кристаллик детектора — это, пожалуй, самый первый полупроводник, нашедший широкое практическое применение.
В ту пору, когда появились первые детекторы, они были еще очень несовершенны. Подчас больших трудов стоило найти чувствительную точку.
Много изобретательности приложили инженеры, чтобы улучшить детектор.
Теперь посмотрим, как же «родился» полупроводниковый диод. Важными явились работы немецкого физика К.Ф. Брауна по исследованию проводимости целого ряда полупроводников, сернистого цинка, перекиси свинца, карборунда и других, проведенные в течении 1906 г. В результате исследований была обнаружена односторонняя проводимость полупроводников.
На некоторое время кристаллический детектор уступил свое место в радиоприемнике электронной лампе. Двухэлектродная лампа, используемая для преобразования токов высокой частоты в токи звуковой (низкой) частоты, в радиоприемной и измерительной аппаратуре носит название диод-детектор.
Широкое внедрение в радиотехнику электронных ламп не остановило исследований по совершенствованию кристаллических детекторов.
Прошло более 30 лет, прежде чем кристаллический детектор вернулся на свое место. За это время были выяснены принципы работы полупроводников и наложено их производство. Сейчас промышленность выпускает большой ассортимент кристаллических детекторов, по современной классификации они носят название полупроводниковых точечных диодов. При их изготовлении используют метод электрической формовки, т.е. мощные кратковременные импульсы токов пропускают через точечный контакт. При этом контакт разогревается, о кончик иглы сплавляется с полупроводником, обеспечивая механическую прочность. В области контакта образуется маленький полусферический р-п переход. Такие диоды имеют устойчивые электрические параметры.
Дополнительная информация
Год сдачи: 2009. Оценка: зачет.
Похожие материалы
Исследование полупроводникового стабилитрона
elementpio
: 13 ноября 2012
Лабораторная работа
Тема. Исследование полупроводникового стабилитрона.
Цель. Экспериментальное исследование характеристик полупроводникового стабилитрона.
Порядок выполнения работы:
Приступая к выполнения лабораторной работы необходимо запустить программу Electronics Workbench.
Для работы необходимо нарисовать схемы.
15 руб.
Исследование полупроводниковых диодов и стабилитронов
Юлия118
: 23 октября 2020
Тема: Исследование полупроводниковых устройств
Цель:
1. Изучить характерные свойства электро-дырочного перехода, определяющие характеристики выпрямительного диода и стабилитрона
2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а так же по обработке и оформлению полученных результатов.
2.2 Исследование прямой ветви ВАХ стабилитрона
300 руб.
СТАБИЛИТРОНЫ. Отчет по лабораторной работе по дисциплине: Физические основы электроники
ДО Сибгути
: 31 января 2013
Цель лабораторной работы:
1. Построение обратной ветви вольтамперной характеристики стабилитрона и определение напряжения стабилизации.
2. Вычисление тока и мощности, рассеиваемой стабилитроном.
3. Определение дифференциального сопротивления стабилитрона по вольтамперной характеристике.
4. Исследование изменения напряжения стабилитрона при изменении входного напряжения в схеме параметрического стабилизатора.
5. Исследование изменения напряжения на стабилитроне при изменении сопротивления в схем
85 руб.
В данной лабораторной работе был проанализирован стабилитрон 1N4733 а также построена его ВАХ.
reshaladz2
: 22 февраля 2026
: В данной лабораторной работе был проанализирован стабилитрон 1N4733 а также построена его ВАХ. Составлена таблица данных, путем изменения переменного сопротивления добивались изменения обратного напряжения а так же тока которые внесены в таблицу. По ВАХ определены токи и напряжения стабилизации а также максимальные значения тока и напряжения стабилизации для данного типа стабилитрона. Хочется отметить что данная данная радиодеталь подойдет для маломощных схем для уверенной стабилизации напряже
200 руб.
Выпускная квалификационная работа. Разработка Импульсного источника питания для измерителя параметров стабилитронов.
const30
: 16 сентября 2019
Разработка Импульсного источника питания для измерителя параметров стабилитронов.
Выпускная квалификационная работа.
Объём работы - 67 страниц, на которых размещены 25 рисунков и 4 таблицы. При написании работы использовалось 8 источников.
Ключевые слова: Импульсный блок питания, трансформатор, Широтно-импульсная модуляция
Основные результаты: В ходе выполнения данного дипломного проекта были разработаны принципиальные схемы Импульсного источника питания для измерителя параметров стабилитронов.
350 руб.
Лабораторная работа №1. Схемотехника. Тема Выпрямители и стабилизаторы на кремниевых диодах и стабилитронах. ЛЭТИ
DiKey
: 10 апреля 2023
Лабораторная работа №1. Схемотехника. Тема Выпрямители и стабилизаторы на кремниевых диодах и стабилитронах.
Цель работы состоит в ознакомлении с принципами построения выпрямителей и параметрических стабилизаторов, реализуемых на кремниевых диодах и стабилитронах, и в экспериментальном исследовании их основных технических характеристик с использованием учебной лабораторной станции виртуальных приборов NI ELVIS.
1.1. Основные характеристики кремниевых диодов и стабилитронов
1.1.1. Общая часть
150 руб.
Изучение принципа действия стабилитрона, освоение методики расчета схемы параметрического стабилизатора напряжения
GnobYTEL
: 13 ноября 2012
Цель работы: изучение принципа действия стабилитрона, освоение методики расчета схемы параметрического стабилизатора напряжения.
1 КРАТКИЕ ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ
1.1 Кремниевые стабилитроны
Стабилитрон — полупроводниковый диод, напряжение на котором в области электрического пробоя при обратном смешении слабо зависит от тока в заданном его диапазоне. Стабилитроны предназначены для стабилизации напряжения.
В полупроводниковых стабилитронах используется свойство незначительного изменения обра
5 руб.
Другие работы
Сетевое программное обеспечение. Курсовая работа. Вариант №10. Экзаменационная работа. Билет 5.
Bodibilder
: 26 июня 2019
Курсовая работа.
Вариант 10
Написать программу взаимодействия двух машин в режиме “клиент-сервер”. В исходном состоянии машины ждут ввода с клавиатуры команды запроса – cd имя_директории. Окончание ввода команды и ее отправка определяется клавишей <Enter>. На приемной стороне в ответ на принятую команду производится смена текущей директории на директорию, указанную в команде. Формируется и отправляется в канал текстовое сообщение с полным именем новой текущей директории. Передающая сторона прини
243 руб.
Гидравлика Задача 3.74
Z24
: 20 ноября 2025
Определить горизонтальную силу, действующую на плотину длиной 1 км, если высота уровня воды в верхнем бьефе 100 м, а в нижнем бьефе 10 м.
Ответ: Р=4,856·1010 Н.
150 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Программно-конфигурируемые сети. Билет 6
Roma967
: 11 марта 2024
Билет 6.
1. Таблицы OpenFlow-коммутатора.
2. Безопасность SDN.
(Общий объем ответов на вопросы - 9 страниц)
600 руб.
Техническая термодинамика и теплопередача ГАУСЗ (ТГСХА) Задача 5 Вариант 28
Z24
: 25 декабря 2025
Плоская стальная стенка толщиной δс омывается с одной стороны горячими газами с температурой tl, с другой стороны водой с температурой t2. Определить коэффициент теплопередачи К от газов к воде, удельный тепловой поток q и температуры обеих поверхностей стенки, если известны коэффициенты теплопередачи от газа к стенке α1 и от стенки к воде α2; коэффициент теплопроводности стали λс=58 Вт/(м·К). Определить также все указанные выше величины, если стенка со стороны воды покрыта слоем накипи толщиной
180 руб.