Зачетная работа по дисциплине "Физические основы электроники"
Состав работы
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
1. Влияние температуры на передаточные, выходные характеристики ПТ
и рабочую область
Полупроводниковые приборы, усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемым электрическим полем называются полевые транзисторы
Полевой транзистор содержит три полупроводниковые области ...
2. Аналитический расчет параметров усилительного режима.
Расчет усилителей на транзисторах включает следующие основные этапы:
1. Выбор транзистора и элементной базы.
2. Расчет статического режима (т.е. расчет транзистора по постоянному току).
3. Расчет динамического режима (т.е. расчет транзистора по переменному току)...
и рабочую область
Полупроводниковые приборы, усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемым электрическим полем называются полевые транзисторы
Полевой транзистор содержит три полупроводниковые области ...
2. Аналитический расчет параметров усилительного режима.
Расчет усилителей на транзисторах включает следующие основные этапы:
1. Выбор транзистора и элементной базы.
2. Расчет статического режима (т.е. расчет транзистора по постоянному току).
3. Расчет динамического режима (т.е. расчет транзистора по переменному току)...
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Зачет
Оценка:Зачет
Дата оценки: 08.09.2012
Рецензия:..., зачет по ФОЭ Вами получен.
Савиных Валерий Леонидович
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Зачет
Оценка:Зачет
Дата оценки: 08.09.2012
Рецензия:..., зачет по ФОЭ Вами получен.
Савиных Валерий Леонидович
Похожие материалы
Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет 14
SibGOODy
: 23 августа 2024
Билет № 14
1. Емкости p-n перехода: барьерная и диффузионная. Их зависимости от режима работы.
2. Работа БТ в усилительном режиме гармонического сигнала. Принцип работы. Графический метод определения параметров усиления.
300 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №8
SibGOODy
: 23 августа 2024
Билет № 8
1. Характеристики ПП диодов из германия и кремния. Влияние температуры.
2. Основные режимы работы БТ и схемы включения.
300 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №3
djo
: 8 сентября 2020
1. Электронно-дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода.
2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
190 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №17.
freelancer
: 23 апреля 2016
Вопрос №1: Устройство и принцип работы биполярного транзистора (БТ).
Вопрос №2: Определение дифференциальных параметров ПТ по характеристикам.
100 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Физические Основы Электроники. Билет №10.
ДО Сибгути
: 5 февраля 2016
1. Высокочастотные диоды. Особенности конструкции. ВАХ. Основные параметры.
2. Определение H - параметров по характеристикам БТ.
40 руб.
Зачетная работа по дисциплине: физические основы электроники. Билет №2
Dimasik142
: 2 февраля 2016
Билет № 2
1 Диффузионные и дрейфовые токи в полупроводнике.
2. Входные и выходные характеристики БТ в схеме с ОЭ. Схема для снятия характеристик. Вид характеристик и их объяснение
100 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №3
Roma967
: 7 декабря 2015
Билет №3
1. Электронно-дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. p-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода.
2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
250 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №1
Roma967
: 30 мая 2015
Билет №1
1. Электрические свойства полупроводников (ПП). Собственные и примесные ПП. Их электропроводность.
2. Входные и выходные характеристики БТ в схеме с ОБ. Схема для снятия характеристик. Вид характеристик и их объяснение.
150 руб.
Другие работы
Разработка и стандартизация программного обеспечения. Вариант №2.
studypro2
: 19 ноября 2016
1. Разработать общее описание системы в соответствии с РД 50-34.698-90 для приложения «Калькулятор». Представить преподавателю разработанный документ
2. Разработать план управления качеством SQAP при разработке приложения «Калькулятор». Представить преподавателю разработанный план
900 руб.
Лабораторная работа №3 ''Программное обеспечение цифровых систем коммутации''
molotov
: 12 февраля 2015
«ПРОГРАММНАЯ РЕАЛИЗАЦИЯ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ И ВЫДАЧИ
ПЕРИФЕРИЙНЫХ КОМАНД»
Цель работы
1. Изучение принципов формирования и выдачи периферийных команд (ПК) в автоматических системах коммутации (АСК) с программным управлением.
2. Изучение состава данных, используемых программами формирования и выдачи ПК.
3. Изучение принципов взаимодействия программ подключения комплекта приема знаков номера (КПН), формирования ПК, выдачи ПК, проверки выполнения ПК.
4. Моделирование с помощью персональной ЭВМ
99 руб.
Анализ работы технологии "Тандем" на Покамасовском месторождении НГДУ "Лангепаснефть"
GnobYTEL
: 3 сентября 2012
Юрские пласты нефтяных залежей месторождений Западной Сибири создают множество проблем при разработке и эксплуатации. Повышенный газовый фактор, низкая продуктивность пластов, существенная не стационарность процессов фильтрации, тяжелый вывод скважин на режим после глушения и другие осложнения значительно затрудняют работу серийного насосного погружного оборудования для добычи нефти. Примером таких месторождений может служить Покамасовское месторождение НГДУ Лангепаснефть.
Многие скважины Покама
20 руб.
Некетотическая гиперосмолярная кома
OstVER
: 6 февраля 2013
Введение
Некетотическая гиперосмолярная кома (НКГОК) является четко определяемым клиническим синдромом, характеризующимся тяжелой гипергликемией, гиперосмолярностью и дегидратацией, но не кетоацидозом. Это метаболическое нарушение наблюдается почти исключительно у диабетиков, однако при определенных обстоятельствах его возникновение возможно и у лиц без диабета. Синдром был впервые описан в 1886 году, однако всеобщее признание он получил лишь в 1957 году, когда Sament и Schwartz дали его совреме
5 руб.