Устройство оптоэлектроники. Контрольная работа. 4-й семестр, 10-й вариант
Состав работы
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Номер варианта для решения первой и третьей задачи должен соответствовать последней цифре пароля, номер варианта при решении второй и четвертой задач должен соответствовать предпоследней цифре пароля.
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Фотодиод на основе р-n перехода
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней l гр.
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности (таб.3).
Задача № 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные Вашего варианта указаны в табл. 4.
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Фотодиод на основе р-n перехода
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней l гр.
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности (таб.3).
Задача № 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные Вашего варианта указаны в табл. 4.
Дополнительная информация
выполнена - 2012,преподаватель - Резван Иван Иванович, зачет.
Работа выполнена полностью самостоятельно.
Работа выполнена полностью самостоятельно.
Похожие материалы
Устройства оптоэлектроники. 4-й семестр. Контрольная работа. 10-й вариант
NataFka
: 2 сентября 2014
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА
По дисциплине: «Устройства оптоэлектроники»
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней l гр.
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Опис
49 руб.
Устройства оптоэлектроники, 4-й семестр, 8-й вариант, Контрольная работа №1
Decoy2k
: 6 октября 2014
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
В соответствии с вариантом в качестве фотоприемника рассматриваем фототиристор.
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора.
100 руб.
Устройства оптоэлектроники. 3-й семестр. Контрольная работа. Вариант 04
Ирина16
: 21 ноября 2017
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
4 Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Таблица 2.
70 руб.
2-й семестр ДО. «Устройства оптоэлектроники». Контрольная работа. В3
Мария60
: 1 февраля 2019
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
3 Фотодиод с гетероструктурой
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Таблица 2.
100 руб.
Контрольная работа №1 по дисциплине: Устройства оптоэлектроники . 4-й семестр. Вариант №14.
58197
: 8 октября 2013
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Заданный тип - Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Исходные данные Варианты и данные фотоприемников
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность, η Ширина запрещенной зоны ΔW, эВ
1 Si 0
95 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант № 16. 3-й семестр.
vindemia
: 3 июня 2015
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант No 6. Составной фототранзистор
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней l гр.
Вариант No 1. Тип ПП материала – Si. Квантовая эффективность, n – 0,7. Ширина запрещенной зоны Δ W, эВ – 1,12.
Задача No3
Изоб
200 руб.
Контрольная работа по дисциплине: устройства оптоэлектроники. Вариант №5. (4-й семестр).
ua9zct
: 17 марта 2015
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
По условию задания, в соответствии с номером варианта (05), задан фотодиод- транзистор.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
По условию данные в задаче соответствуют варианту No0.
Тип ПП материала Ge
50 руб.
Устройство оптоэлектроники. Контрольная работа. 2-й вариант
sd80
: 5 октября 2013
Задача 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Исходные данные: тип фотоприемника – фотодиод с барьером Шоттки
Задача 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные
Тип материала – Ge;
Квантовая эффективность = 0,2;
Ширина запрещенной зоны W = 0,6 эВ.
Зад
250 руб.
Другие работы
Корпус. Вариант 17
lepris
: 28 августа 2022
Корпус. Вариант 17
МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ВЫПОЛНЕНИЮ ЗАДАНИЯ
Задание. Сложные разрезы
Чертеж выполняется с использованием сложного разреза (положение секущих плоскостей приведено в задании, см. скриншот 1). На месте соответствующего вида выполнить указанный сложный разрез. При необходимости (для выявления форм всех элементов предмета) использовать местные или простые разрезы.
3d модель и чертеж выполнен на формате А3 (все на скриншотах показано и присутствует в архиве) выполнены в компасе 3
120 руб.
Монопольне становище та конкуренція на ринку мобільного зв’язку в Україні
evelin
: 31 октября 2013
ВСТУП
1 Поняття та ознаки монопольного становища
2 Особливості конкуренції на ринку мобільного зв’язку
3 Зловживання монопольним становищем на ринку мобільного зв’язку
4 Способи припинення зловживання монопольним становищем на ринку мобільного зв’язку
5. Напрямки вдосконалення державної конкурентної політики на ринку мобільного зв’язку
ВИСНОВКИ
СПИСОК ВИКОРИСТАНОЇ ЛІТЕРАТУРИ
Вступ
Головною ознакою монопольного утворення (монополії) є заняття монопольного положення. Останнє визначаєть
5 руб.
Схемотехника телекоммуникационных устройств. Курсовой проект. Вариант 05.
rmn77
: 17 января 2020
Схемотехника телекоммуникационных устройств. Контрольная работа. Вариант 05.
Задание.
Необходимо выбрать тип усилительных элементов и режим работы, рассчитать принципиальную схему. Принципиальная схема группового усилителя приведена на рисунке 1.
Исходные данные приведены в таблице 1.
Количество каналов, ТЧ 198
Максимальная температура грунта 36
Уровень передачи УП, дБ 14,9
Требуемое затухание нелинейности АГ02, дБ 75
АГ03, дБ 77
Питание усилителя, В 23
Допустимый коэффициент частотных иска
130 руб.
Технологическая карта процесса срезания тормозных накладок (чертеж)
AgroDiplom
: 18 июня 2023
Содержание
3. Технологическая часть…
3.1. Конструкторско-технологические особенности тормозной системы автомобиля ВАЗ-2107
3.2. Основные неисправности тормозной системы и способы их устранения…
3.3. Разработка технологии ремонта тормозных колодок…
3.2. Основные неисправности тормозной системы и способы их устранения
К основным неисправностям тормозных систем относятся: неэффективное действие тормозов, заедание тормозных колодок, плохое растормаживание, неравномерное действи
490 руб.