Контрольная работа № 1 по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант № 3

Варианты заданий для последней цифры пароля.
Таблица П.А.1
No вар.  Тип БТ  ЕК, В RН, Ом IБ0, мкА  IБМ, мкА  f, МГц | H|  t К, пc
3  КТ603А  60  1000  250  150  100  2,25  90
Варианты заданий для предпоследней цифры пароля.
Таблица П.А.2
Вариант  Тип ПТ  UСИ0, В  UЗИ0, В
0  КП 903 А  18  8

Содержание задач контрольной работы
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2),

включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность , рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия h.
Исходные данные: транзистор KT603А, напряжение питания ЕК=60 В, сопротивление нагрузки RН = 1000 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 250 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150 мкА, f=100 МГц, | H|=2,25, t К=90пс.
Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты1⁄2 Н211⁄2 / h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.
Задача 4: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.

Оценка зачет