Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант № 9
-
Категории:
СибГУТИ, Электроника, Работа Контрольная
-
Добавлен:
09.11.2012
-
Размер:
387 KB
-
Покупок:
6
-
Добавил:
alexkrt
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
К раб.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача 1:
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 75В, сопротивление нагрузки RН=1500 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 250 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150 мкА.
Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты |Н21| / h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.
Задача 4:
Исходные данные для задачи: Полевой транзистор КП903А, , . Выходные характеристики:
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 75В, сопротивление нагрузки RН=1500 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 250 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150 мкА.
Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты |Н21| / h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.
Задача 4:
Исходные данные для задачи: Полевой транзистор КП903А, , . Выходные характеристики:
Дополнительная информация
2011
Похожие материалы
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №9
Учеба "Под ключ"
: 6 ноября 2016
Задача 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления п
Учеба "Под ключ"
: 6 ноября 2016
600 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №9.
Rufus
: 26 мая 2016
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
Rufus
: 26 мая 2016
200 руб.
Контрольная работа по дисциплине физические основы электроники
Иннокентий
: 30 сентября 2019
Описание:
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.
№ вар. Тип БТ ЕК, В
RН, Ом IБ0, мкА IБМ, мкА f, МГц | H| t пc К,
6 КТ605А 15 300 625 375 20 2,5 230
Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или
Иннокентий
: 30 сентября 2019
100 руб.
Контрольная работа По дисциплине: «Физические основы электроники»
andreyan
: 13 декабря 2017
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
andreyan
: 13 декабря 2017
60 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники
sergeyw78
: 23 мая 2013
ЗАДАЧА №1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2),
включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.
ЗАДАЧА №2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
sergeyw78
: 23 мая 2013
75 руб.
Контрольная работа по дисциплине "Физические основы электроники"
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 23 февраля 2013
Задача 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 3
Для данного транзистора на частот
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 23 февраля 2013
300 руб.
Контрольная работа по дисциплине "Физические основы электроники"
RomIN
: 1 июля 2010
СибГути 04 вариант
Задача 1:
Дан биполярный транзистор КТ605А
По статическим характеристикам (рис.1.1 и рис.1.2) заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) ра
RomIN
: 1 июля 2010
100 руб.
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА № 1 по дисциплине: «Физические основы электроники». Вариант №9
ДО Сибгути
: 10 февраля 2016
Задача 1:
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 75В, сопротивление нагрузки RН=1500 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 250 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150 мкА.
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.
Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить налич
ДО Сибгути
: 10 февраля 2016
150 руб.
Другие работы
Память.
mio4422
: 18 января 2013
Введение.
1. Память.
1.1 Память и ее значение
1.2 Ассоциации
1.3 История изучения памяти
2. Структура памяти.
3. Виды памяти.
4. Факторы забывания и нарушения памяти.
Заключение.
Литература.
Па́мять — одна из психических функций и видов умственной деятельности, предназначенная сохранять, накапливать и воспроизводить информацию. Спо-собность длительно хранить информацию о событиях внешнего мира и реакциях организма и многократно использовать её в сфере сознания для организации последующей
mio4422
: 18 января 2013
ЦСАУ. Контрольная работа. Вариант №7
stserg31
: 20 мая 2014
Контрольная работа № 1
по дисциплине
«Цифровые системы автоматического управления»
Вариант №7
1. Сигнал поступает на идеальный квантователь с периодом квантования Т. Определить период квантования, при котором ошибка восстановленного с помощью фиксатора нулевого порядка сигнала не превысит от максимального значения сигнала.
2. Сигнал пропущенный через идеальный квантователь с периодом квантования Т, поступает на линейный экстраполятор. Определить максимальную ошибку восстановления сигнала
stserg31
: 20 мая 2014
10 руб.
Контрольные работы по гидростатике и гидродинамике ИжГТУ К.р. 1 Задача 3 Вариант 14
Z24
: 11 декабря 2025
Определить давление в гидросистеме и вес груза G, лежащего на поршне 2, если для его подъема к поршню 1 приложена сила F. Диметры поршней: D, d. Разностью высот пренебречь.
Z24
: 11 декабря 2025
150 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. ЛР №3
Vladislaw
: 5 июня 2021
1. Расчет и испытание транзисторного ключа
1.2 Расчёт и испытание транзисторного ключа на p-n-p транзисторе
2. Исследование входной и передаточной характеристик транзисторного ключа
2.2 Исследование входной и передаточной характеристик транзисторного ключа на p-n-p транзисторе
2.3 Передаточные характеристики (графические зависимости) транзисторных ключей.
Vladislaw
: 5 июня 2021
200 руб.
