Контрольная работа по дисциплине «Физические основы электроники». Вариант №3
-
Категории:
СибГУТИ, Физика и энергетика, Работа Контрольная
-
Добавлен:
07.12.2012
-
Размер:
834 KB
-
Покупок:
6
-
Добавил:
2pqp
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Foe_KR_3.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
СибГУТИ, 3 семестр, контрольная по ФОЭ, 3 вариант
Задача 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК=60В, сопротивление нагрузки RН=1000 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0=250мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ=150 мкА.
Задача 2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3
Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты для различных схем включения транзисторов.
Задача 4
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Задача 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК=60В, сопротивление нагрузки RН=1000 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0=250мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ=150 мкА.
Задача 2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3
Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты для различных схем включения транзисторов.
Задача 4
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Дополнительная информация
Зачтено Савиных.
Похожие материалы
Контрольная работа по дисциплине Физические основы электроники. Вариант №3
snrudenko
: 31 января 2017
Варианты заданий для последней цифры пароля.
Таблица П.А.1
№ вар. Тип БТ ЕК, В RН, Ом IБ0, мкА IБМ, мкА f, МГц | H| t К, пc
3 КТ603А 60 1000 250 150 100 2.25 90
Варианты заданий для предпоследней цифры пароля.
Таблица П.А.2
Вариант Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0, В
0 КП 903 А 18 8
snrudenko
: 31 января 2017
100 руб.
Вариант №3. Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники
MK
: 3 октября 2016
Задача 1. Исходные данные для задачи берем из таблицы 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора КТ603А, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линей
MK
: 3 октября 2016
157 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические Основы Электроники. Вариант 3.
ДО Сибгути
: 5 февраля 2016
ЗАДАЧА No1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2),
включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллекто
ДО Сибгути
: 5 февраля 2016
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине: "Физические основы электроники". Вариант №3
wowan1190
: 3 декабря 2013
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2),
включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:а) построить линию нагрузки;б).....
Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные па
wowan1190
: 3 декабря 2013
65 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №3
julacha1507
: 21 ноября 2013
ЗАДАЧА No1
. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2),
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезн
julacha1507
: 21 ноября 2013
200 руб.
Контрольная работа по дисциплине «Физические основы электроники». Вариант № 3
xtrail
: 3 мая 2013
Задача 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК=60В, сопротивление нагрузки RН=1000 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0=250мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ=150 мкА.
Задача 2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3
Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты д
xtrail
: 3 мая 2013
370 руб.
Контрольная работа по дисциплине физические основы электроники
Иннокентий
: 30 сентября 2019
Описание:
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.
№ вар. Тип БТ ЕК, В
RН, Ом IБ0, мкА IБМ, мкА f, МГц | H| t пc К,
6 КТ605А 15 300 625 375 20 2,5 230
Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или
Иннокентий
: 30 сентября 2019
100 руб.
Контрольная работа По дисциплине: «Физические основы электроники»
andreyan
: 13 декабря 2017
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
andreyan
: 13 декабря 2017
60 руб.
Другие работы
Конструирование и расчет рекуперативного теплообменника
Trias
: 12 июня 2016
Курсовая работа состоит из пояснительной записки и чертежа в формате AutoCAD.
Курсовая работа на тему "Конструирование и расчет рекуперативного теплообменника.
Вариант табличных данных №13.
Содержание:
1. Теплотехнический расчет рекуперативного теплообменника.
1.1. Исходные данные к расчету рекуперативного теплообменника.
2.2. Конструктивный расчет рекуператора.
2.2.1.Оценка площади поверхности теплообмена
и сечений для движения теплоносителей.
2.2.2. Определение геометрии поперечного сечения
Trias
: 12 июня 2016
500 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: "Волоконно-оптические системы передачи". Билет № 6
shpion1987
: 3 октября 2012
Билет №6
1. Конструкции, принцип действия и характеристики полупроводниковых лазеров: многомодовый полосковый и одномодовый типа РОС.
2. Принципы формирования линейных сигналов 1В2В (CMI, MCMI, BI-L). Основные характеристики. Достоинства и недостатки кодирования 1В2В.
Задача: Определить число спектральных каналов, которые можно создать в диапазоне волн 1300-1340нм. Интервал частот между оптическими несущими составляет 100ГГц.
shpion1987
: 3 октября 2012
50 руб.
Организация работы комплекса ремонтных участков технической службы АТП
igoradmin
: 17 февраля 2012
Содержание
Задание на курсовую работу
1 Введение
2 Расчётно-технологическая часть
2.1 Исходные данные для расчёта
2.2 Выбор и корректирование исходных нормативов по техническому обслуживанию и ремонту
2.3 Определение проектного коэффициента технической готовности и коэффициента выпуска
2.4 Годовой пробег всех автомобилей
2.5 Расчёт количества ТО и КР на весь парк за год
2.6 Определение суточных программ по ТО
2.7 Определение трудоёмкости ТО, ТР и количества основных и вспомогательных рабочих
2.
igoradmin
: 17 февраля 2012
Контрольная работа по телекоммуникационным сетям по методичке Фокина (вариант 07)
vostok87
: 14 января 2012
Содержание
1. Определения и архитектуры телекоммуникационных сетей (18 вопросов)
Задача 1
2. Транспортные сети (30 вопросов)
Задача 2
3. Тактовая сетевая синхронизация (20 вопросов)
Задача 3
4. Управление транспортными сетями (17 вопросов)
Задача 4
5. Сети доступа (30 вопросов)
Задача 5
6. Цифровые сети с интеграцией служб (узкополосные) (10 вопросов)
Задача 6
7. Широкополосные цифровые сети с интеграцией услуг (9 вопросов)
Задача 7
8. Компьютерные сети (10 вопросов)
Задача 8
vostok87
: 14 января 2012
190 руб.
