Физические основы электроники. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Электроника физическая
-
Добавлен:
26.01.2013
-
Размер:
120 KB
-
Покупок:
10
-
Добавил:
ДО Сибгути
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Лабораторная работа №1.doc
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
1.2 . Определение типа материала диода.
1.3 . Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА.
2.Обратное включение.
3. Исследование стабилитрона Д814А
4. Исследование однополупериодного выпрямителя
5. Выводы
1.Прямое включение.
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
1.2 . Определение типа материала диода.
1.3 . Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА.
2.Обратное включение.
3. Исследование стабилитрона Д814А
4. Исследование однополупериодного выпрямителя
5. Выводы
Дополнительная информация
"Зачет"
Похожие материалы
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
mirsan
: 24 января 2015
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Выполнение работы:
а) Снятие вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при условии: Iпр=f(Uпр)
б) Определение типа материала диода.
в) Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА.
г) Исследовани
mirsan
: 24 января 2015
55 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
lev12345678
: 17 марта 2013
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
Рис.1 Схема прямого включения
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
lev12345678
: 17 марта 2013
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Все варианты
SibGUTI2
: 3 июня 2019
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Все варианты.
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный перехо
SibGUTI2
: 3 июня 2019
50 руб.
СибГУТИ. Физические основы электроники. Лабораторная Работа 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов.
Art55555
: 6 августа 2009
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Art55555
: 6 августа 2009
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов. Вариант общий.
seka
: 14 сентября 2018
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Указания к составлению отчета
5.1 Привести схемы исследования полупроводниковых диодов.
5.2 Привести таблицы с результатами измерений.
5.3 Привести вольтамперные характеристики (график 1) германиевого и кремниевого диодов для прямого включения.
5.4 По характеристикам определить сопротивления постоянному току и дифферен
seka
: 14 сентября 2018
45 руб.
Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Shamanss
: 11 февраля 2018
Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 10.02.2018
Рецензия:Уважаемый
замечаний нет.
Shamanss
: 11 февраля 2018
200 руб.
Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
ДО Сибгути
: 22 декабря 2015
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
1.2 . Определение типа материала диода.
1.3 . Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА.
2.Обратное включение.
3. Исследование стабилитрона Д814А
4. Исследован
ДО Сибгути
: 22 декабря 2015
50 руб.
Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Lanisto
: 17 марта 2015
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Отчет по работе
2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении.
Lanisto
: 17 марта 2015
120 руб.
Другие работы
Гидравлика Задача 7.95 Вариант 39
Z24
: 29 декабря 2026
Определить предельную высоту расположения оси центробежного насоса над уровнем воды в водоисточнике h, если расход воды из насоса Q, диаметр всасывающей трубы d. Вакуумметрическое давление, создаваемое во всасывающем патрубке рв, потери напора во всасывающей линии 1 м.
Z24
: 29 декабря 2026
150 руб.
Разработка автоматизированной системы управления тепличным комбинатом
GrantForse
: 27 января 2013
Содержание
Введение
1. Общая и иерархическая структуры тепличного комбинатов.
2. Смесительное устройство
2.1. Математическая модель смесительного устройства
2.2. Синтез замкнутой системы управления смесительным устройством
2.2.1. Настройка и моделирование отдельных контуров системы
2.2.1 Исследование взаимного влияния контуров
2.3. Учет влияния возмущений
2.4. Разработка функциональной схемы
2.5. Выбор исполнительных устройств
2.6. Выбор датчиков
2.7. Выбор микроконтроллера
2.8. Разработка принц
GrantForse
: 27 января 2013
50 руб.
Физико-географические особенности Крыма
evelin
: 27 сентября 2013
Введение
I. Физико-географические особенности Крыма
1.1 Рельеф и речная сеть
1.2 Климат
1.2.1 Географические факторы климата
1.2.2 Атмосферная циркуляция
1.2.3 Характеристика метеорологических элементов
1.3 Почвенно-растительный покров
II. Экологические проблемы Крыма
Заключение
Список используемой литературы
Приложение
Введение
Автономная Республика Крым расположена в границах нескольких физико-географических регионов, включающих около 50 ландшафтов. На севере полуострова лежит Кры
evelin
: 27 сентября 2013
10 руб.
Гидромеханика РГУ нефти и газа им. Губкина Гидродинамика Задача 1 Вариант 4
Z24
: 6 декабря 2025
Насос подает жидкость из подземной ёмкости с избыточным давлением газа на поверхности жидкости. На всасывающей линии (длина l, диаметр d, трубы сварные, бывшие в эксплуатации) имеются местные сопротивления: приёмная коробка с клапаном и сеткой, колено и кран с коэффициентом сопротивления ξкр. Показание вакуумметра на входе в насос равно рv, расход жидкости Q, температура t°C.
Определить рабочую высоту всасывания насоса hвс и предельную высоту из условия отсутствия кавитации на входе в насос.
Z24
: 6 декабря 2025
200 руб.
