Контрольная работа по ФОЭ. Вариант №1

Цена:
40 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon
material.view.file_icon
material.view.file_icon Задача 1+2+3+4.doc
material.view.file_icon к 3 задаче.xls
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word
  • Microsoft Excel

Описание

Приложены файлы для построения графиков
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 3
Для данного транзистора на частоте f =100 МГц модуль коэффициента передачи тока H21Э =2 и постоянная времени цепи коллектора tК= 100 пс.
ЗАДАЧА 4
Дано: полевой транзистор типа КП 103 К, UСИ 0= 7В, UЗИ 0=4В.

Дополнительная информация

Работа оценена на "Отлично"
Контрольная работа. ФОЭ. Вариант №1
ЗАДАЧА 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА. ЗАДАЧА 2 Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА. Для данного транзистора на частоте f =100
User sxesxe : 16 октября 2016
100 руб.
Контрольная работа по ФОЭ. Вариант № 9
ЗАДАЧА 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА. ЗАДАЧА 2 Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА. ЗАДАЧА 3 Для данного транзистора на частот
User xtrail : 20 марта 2013
160 руб.
Контрольная работа по ФОЭ. Вариант №0
4 задачи. 1,2,3 задачи - 0 вариант, 4-я задача - 7вариант Задача 1: Исходные данные для задачи 1 из таблицы П.1.1 приложения 1. Таблица 1 – Исходные данные для задачи 1 Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1. Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частотыН21/ h21=F(f) для различных схем
User ДО Сибгути : 26 января 2013
100 руб.
promo
Контрольная работа по ФОЭ. 3 вариант
Специальность ФТОС Образец полупроводника находится в состоянии термодинамического равновесия при Т=300К и характеризуется следующими параметрами: Тип полупроводника n-тип Ge Удельное сопротивление ρ = 10 Ом*см Подвижность электронов μn = 1800 см2/(В*с) Подвижностьм дырок μр = 140 см2/(В*с) Концентрация собственных носителей тока ni = 2,5*1013 см-3 Концентрация основных носителей тока nn = ? Концентрация неосновных носителей тока pn = ? 1)Эффективная плотность уровня NC = 1*1019 см-3 Энергия
User azatmar : 22 января 2012
250 руб.
Контрольная работа по ФОЭ. 4-й вариант
4 задачи. 1,2,3 задачи - 1 вариант, 4-я задача - 1вариант доц. Савиных В. Л. Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА. Выходные статические характеристики транзистора с необходимыми построениями показаны на рисунке 1.1. Нагрузочная линия соответствует графику уравнения IК=(EК-UКЭ)/RН. На семействе выходных характеристик ордината этой прямой
User Aronitue9 : 8 марта 2012
20 руб.
Контрольная работа. ФОЭ
Задача No 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК=60 В, сопротивление нагрузки RН=800 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0=300 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ=200 мкА. Найти: По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявит
User IT : 12 марта 2015
100 руб.
Контрольная работа по ФОЭ. специальность ФТОС. вариант 7
Задача 1 Образец полупроводника находится в состоянии термодинамического равновесия при Т=300К и характеризуется следующими параметрами: Тип полупроводника n-тип InP Удельное сопротивление ρ = 10 Ом*см Подвижность электронов μn = 4600 см2/(В*с) Подвижностьм дырок μр = 150 см2/(В*с) Концентрация собственных носителей тока ni = 3*108 см-3 Концентрация основных носителей тока nn = ? Концентрация неосновных носителей тока pn = ? Эффективная плотность уровня NC = 2,6*1018 см-3 Энергия примесных уров
User azatmar : 22 января 2012
250 руб.
Контрольная работа по ФОЭ (Физические основы электроники). Вариант №15.
Задача 1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом, Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
User Vladimirus : 24 февраля 2016
120 руб.
Волоконно-оптические системы передачи. 7 семестр. Лабораторная работа 2. Вариант 3.
Тема: Изучение характеристик, принципа действия и конструкций фотодетекторов. Цель работы. Целью работы является построение и исследование семейства вольт – амперных характеристик, спектральной характеристики фотодиода (p-i-n фотодиода, фотодиода с барьером Шоттки, ЛФД), а так же определение широкополосности фотодиода и величины фототока короткого замыкания Iк.з. 1. Постройте спектральную характеристику чувствительности одного фотодиода (на ваш выбор). Определите широкополосность фотодиода (или
User skaser : 17 сентября 2012
60 руб.
Проектирование лопастного насоса
Расчёт проточной части колеса Профилирование канала колеса в меридианном сечении Профилирование поверхности лопасти Расчёт проточной части отвода Расчёт утечек в щелевом уплотнении и сальниках Динамический расчёт насоса Лист 1 - План скоростей (ф. А1) Лист 2 - Профилирование проточной части РК, отвода и лопастного колеса (ф. А1) Лист 3 - Разрез гидромашины (ф. А1) Лист 4 - Общий вид гидромашины (ф. A1) КОМПАС-3D V13SP2 В архиве пояснительная записка и 4 чертежа (общий вид гидромашины, разрез
User evelin : 24 июля 2015
42 руб.
Факторы формирования социально-психологического климата в строительных бригадах
Содержание ВВЕДЕНИЕ ГЛАВА 1. Понятие социально-психологического климата 1.1 Социально-психологический климат в коллективе 1.2 Формирование климата в рабочем коллективе 1.3 Стиль поведения в конфликте как фактор формирования СПК 1.4 Гендерная специфика деятельности строительных бригад ГЛАВА 2. Исследование гендерной специфики социально-психологического климата в строительных бригадах 2.1 Процедура исследования психологического климата в коллективе 2.2 Результаты исследования и их интерпр
User alfFRED : 18 октября 2013
10 руб.
Теория массового обслуживания. Билет №2
Задание 2 В цехе работают три станка, которые ломаются с интенсивностями 1, 2, 3 (в сутки) соответственно. В штате состоят два наладчика, устраняющие поломки станков с интенсивностями 1, 2 (в сутки) соответственно. Требуется построить граф этой системы массового обслуживания и найти долю времени, когда оба наладчика заняты работой.
User worknecro : 9 сентября 2015
150 руб.
up Наверх