Контрольная работа по ФОЭ. Вариант №1

Цена:
40 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 44FBF5BA-3D14-4FC4-B1B4-11EE7838B5F3.rar [ 967 KB ]
material.view.file_icon контрольная работа ФОЭ
material.view.file_icon графики ФОЭ.zip [ 127 KB ]
material.view.file_icon Задача 1+2+3+4.doc [ 1 MB ]
material.view.file_icon к 3 задаче.xls [ 35 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word
  • Microsoft Excel

Описание

Приложены файлы для построения графиков
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 3
Для данного транзистора на частоте f =100 МГц модуль коэффициента передачи тока H21Э =2 и постоянная времени цепи коллектора tК= 100 пс.
ЗАДАЧА 4
Дано: полевой транзистор типа КП 103 К, UСИ 0= 7В, UЗИ 0=4В.

Дополнительная информация

Работа оценена на "Отлично"

Похожие материалы

Контрольная работа. ФОЭ. Вариант №1
ЗАДАЧА 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА. ЗАДАЧА 2 Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА. Для данного транзистора на частоте f =100
******* Не известно Физические основы электроники Работа Контрольная
User sxesxe : 16 октября 2016
100 руб.
Контрольная работа по ФОЭ. Вариант № 9
ЗАДАЧА 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА. ЗАДАЧА 2 Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА. ЗАДАЧА 3 Для данного транзистора на частот
СибГУТИ Электроника Работа Контрольная
User xtrail : 20 марта 2013
160 руб.
Контрольная работа по ФОЭ. Вариант №0
4 задачи. 1,2,3 задачи - 0 вариант, 4-я задача - 7вариант Задача 1: Исходные данные для задачи 1 из таблицы П.1.1 приложения 1. Таблица 1 – Исходные данные для задачи 1 Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1. Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частотыН21/ h21=F(f) для различных схем
СибГУТИ Электроника физическая Работа Контрольная
User ДО Сибгути : 26 января 2013
100 руб.
promo
Контрольная работа по ФОЭ. 3 вариант
Специальность ФТОС Образец полупроводника находится в состоянии термодинамического равновесия при Т=300К и характеризуется следующими параметрами: Тип полупроводника n-тип Ge Удельное сопротивление ρ = 10 Ом*см Подвижность электронов μn = 1800 см2/(В*с) Подвижностьм дырок μр = 140 см2/(В*с) Концентрация собственных носителей тока ni = 2,5*1013 см-3 Концентрация основных носителей тока nn = ? Концентрация неосновных носителей тока pn = ? 1)Эффективная плотность уровня NC = 1*1019 см-3 Энергия
******* Не известно Электроника физическая Работа Контрольная
User azatmar : 22 января 2012
250 руб.
Контрольная работа по ФОЭ. 4-й вариант
4 задачи. 1,2,3 задачи - 1 вариант, 4-я задача - 1вариант доц. Савиных В. Л. Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА. Выходные статические характеристики транзистора с необходимыми построениями показаны на рисунке 1.1. Нагрузочная линия соответствует графику уравнения IК=(EК-UКЭ)/RН. На семействе выходных характеристик ордината этой прямой
Коммуникац.оборудование, системы и сети Работа Контрольная
User Aronitue9 : 8 марта 2012
20 руб.
Контрольная работа. ФОЭ
Задача No 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК=60 В, сопротивление нагрузки RН=800 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0=300 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ=200 мкА. Найти: По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявит
******* Не известно Электроника Работа Контрольная
User IT : 12 марта 2015
100 руб.
Контрольная работа по ФОЭ. специальность ФТОС. вариант 7
Задача 1 Образец полупроводника находится в состоянии термодинамического равновесия при Т=300К и характеризуется следующими параметрами: Тип полупроводника n-тип InP Удельное сопротивление ρ = 10 Ом*см Подвижность электронов μn = 4600 см2/(В*с) Подвижностьм дырок μр = 150 см2/(В*с) Концентрация собственных носителей тока ni = 3*108 см-3 Концентрация основных носителей тока nn = ? Концентрация неосновных носителей тока pn = ? Эффективная плотность уровня NC = 2,6*1018 см-3 Энергия примесных уров
БашГУ Электроника физическая Работа Контрольная
User azatmar : 22 января 2012
250 руб.
Контрольная работа по ФОЭ (Физические основы электроники). Вариант №15.
Задача 1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом, Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
СибГУТИ Физические основы электроники Работа Контрольная
User Vladimirus : 24 февраля 2016
120 руб.

Другие работы

Экзамен "Направляющие среды электросвязи". Билет №8
1. Дополнительные (кабельные) затухания. 2. Оптические вентили.
Направляющие системы электросвязи ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User svh : 4 октября 2016
220 руб.
Обязательный аудит
Содержание. Введение 3 1. Понятие и виды аудита. 4 2. Экономические субъекты, подлежащие обязательному
Бухгалтерский учет и аудит Работа Курсовая
User Aronitue9 : 8 января 2012
20 руб.
Проектирование цифрового сглаживающего фильтра
Введение В наши дни, развитие цифровых устройств происходит гигантскими шагами. Очевидно и преимущество применения цифровой обработки сигнала наряду с аналоговым: улучшается помехозащищенность канала связи, бесконечные возможности кодирования информации. Применение микропроцессоров в радиотехнических системах существенно улучшает их массогабаритные, технические и экономические показатели, открывает широкие возможности реализации сложных алгоритмов цифровой обработки сигналов. Микропроцессоры нах
Цифровые сети и системы Работа
User ostah : 6 декабря 2012
5 руб.
Ответы на тест. Финансовый контроль и контроллинг на предприятии Синергия
100 БАЛЛОВ Элективные дисциплины 5 семестр Финансовый контроль и контроллинг на предприятии.фмен_бак Занятие 1 Занятие 2 Занятие 3
Финансы МТИ МосТех МосАП МФПУ Синергия Тесты
User ann1111 : 20 ноября 2023
250 руб.
up Наверх