Контрольная работа по ФОЭ. Вариант №1
-
Категории:
СибГУТИ, Электроника физическая, Работа Контрольная
-
Добавлен:
26.01.2013
-
Размер:
967 KB
-
Покупок:
5
-
Добавил:
ДО Сибгути
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
|
|
Задача 1+2+3+4.doc
|
к 3 задаче.xls
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
- Microsoft Excel
Описание
Приложены файлы для построения графиков
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 3
Для данного транзистора на частоте f =100 МГц модуль коэффициента передачи тока H21Э =2 и постоянная времени цепи коллектора tК= 100 пс.
ЗАДАЧА 4
Дано: полевой транзистор типа КП 103 К, UСИ 0= 7В, UЗИ 0=4В.
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 3
Для данного транзистора на частоте f =100 МГц модуль коэффициента передачи тока H21Э =2 и постоянная времени цепи коллектора tК= 100 пс.
ЗАДАЧА 4
Дано: полевой транзистор типа КП 103 К, UСИ 0= 7В, UЗИ 0=4В.
Дополнительная информация
Работа оценена на "Отлично"
Похожие материалы
Контрольная работа. ФОЭ. Вариант №1
sxesxe
: 16 октября 2016
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
Для данного транзистора на частоте f =100
sxesxe
: 16 октября 2016
100 руб.
Контрольная работа по ФОЭ. Вариант № 9
xtrail
: 20 марта 2013
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 3
Для данного транзистора на частот
xtrail
: 20 марта 2013
160 руб.
Контрольная работа по ФОЭ. Вариант №0
ДО Сибгути
: 26 января 2013
4 задачи. 1,2,3 задачи - 0 вариант, 4-я задача - 7вариант
Задача 1: Исходные данные для задачи 1 из таблицы П.1.1 приложения 1.
Таблица 1 – Исходные данные для задачи 1
Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частотыН21/ h21=F(f) для различных схем
ДО Сибгути
: 26 января 2013
100 руб.
Контрольная работа по ФОЭ. 3 вариант
azatmar
: 22 января 2012
Специальность ФТОС
Образец полупроводника находится в состоянии термодинамического равновесия при Т=300К и характеризуется следующими параметрами:
Тип полупроводника n-тип Ge
Удельное сопротивление ρ = 10 Ом*см
Подвижность электронов μn = 1800 см2/(В*с)
Подвижностьм дырок μр = 140 см2/(В*с)
Концентрация собственных носителей тока ni = 2,5*1013 см-3
Концентрация основных носителей тока nn = ?
Концентрация неосновных носителей тока pn = ?
1)Эффективная плотность уровня NC = 1*1019 см-3
Энергия
azatmar
: 22 января 2012
250 руб.
Контрольная работа по ФОЭ. 4-й вариант
Aronitue9
: 8 марта 2012
4 задачи.
1,2,3 задачи - 1 вариант, 4-я задача - 1вариант
доц. Савиных В. Л.
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
Выходные статические характеристики транзистора с необходимыми построениями показаны на рисунке 1.1. Нагрузочная линия соответствует графику уравнения IК=(EК-UКЭ)/RН. На семействе выходных характеристик ордината этой прямой
Aronitue9
: 8 марта 2012
20 руб.
Контрольная работа. ФОЭ
IT
: 12 марта 2015
Задача No 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК=60 В, сопротивление нагрузки RН=800 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0=300 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ=200 мкА.
Найти: По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявит
IT
: 12 марта 2015
100 руб.
Контрольная работа по ФОЭ. специальность ФТОС. вариант 7
azatmar
: 22 января 2012
Задача 1
Образец полупроводника находится в состоянии термодинамического равновесия при Т=300К и характеризуется следующими параметрами:
Тип полупроводника n-тип InP
Удельное сопротивление ρ = 10 Ом*см
Подвижность электронов μn = 4600 см2/(В*с)
Подвижностьм дырок μр = 150 см2/(В*с)
Концентрация собственных носителей тока ni = 3*108 см-3
Концентрация основных носителей тока nn = ?
Концентрация неосновных носителей тока pn = ?
Эффективная плотность уровня NC = 2,6*1018 см-3
Энергия примесных уров
azatmar
: 22 января 2012
250 руб.
Контрольная работа по ФОЭ (Физические основы электроники). Вариант №15.
Vladimirus
: 24 февраля 2016
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом, Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
Vladimirus
: 24 февраля 2016
120 руб.
Другие работы
Болезни цивилизации
Elfa254
: 21 июня 2013
Содержание:
I. Введение
II. Болезни Цивилизации
1)Эпидемии. Бактериальные заболевания и их профилактика:
а) Чума
б) Туберкулез
в) Холера
г) Столбняк
д )Дифтерия
е) Дизентерия
ж) Сальмонеллез
2)Болезни, вызванные вирусами и профилактика их заболеваний:
а) Натуральная оспа
б) Бешенство
в) Грипп
г) Корь
д) Свинка
е) Полиомиелит
ж) Болезнь Боткина или вирусный гепатит
з) СПИД
III. Заключение. Вакцинация (иммунизация) -
создание невосприимчивости человека к заразным заболеваниям.
Введение
Инфекционны
Elfa254
: 21 июня 2013
15 руб.
Реализация цифрового термометра на основе микроконтроллера ATmega 128 (с использовнием термодатчика DS18B20)
Qiwir
: 5 октября 2013
Содержание
1. Теоретическая часть
1.1 Аннотация
1.2 Постановка задачи
1.3 Общие сведения о микроконтроллерах AVR
1.4 Основные параметры AVR
1.5 Программирование микроконтроллера с использованием программы на языке С
1.6 Передача данных на Com-порт
1.7 Вывод значений на ЖКИ
1.8 Описание температурного датчика DS18B20
1.9 Подключение датчика DS18B20 с использованием порта 1-Wire
2. Конструкторская часть
2.1 Общие сведения. Функциональное назначение используемых программ
2.2 Реализация
Qiwir
: 5 октября 2013
10 руб.
Контрольная работа №3 по дисциплине: «Физика». Вариант №8
Roma967
: 1 марта 2015
Колебания и волны
Задача 508
Координата колеблющейся точки массой 0,1 кг изменяется по закону: Х=2cos(4πt+π/4) см. Найти скорость точки и силу, действующую на нее через 0,5 с после начала колебаний. Изобразить на рисунке зависимость F(t).
Задача 518
Максимальная энергия электрического поля колебательного контура равна 0,02 Дж. При этом разность потенциалов на обкладках конденсатора достигает 400. В. Определить индуктивность катушки колебательного контура, если период собственных колебаний его р
Roma967
: 1 марта 2015
700 руб.
Исследование неуправляемых выпрямителей Лабораторная работа №3 по дисциплине Электропитание устройств и систем телекоммуникаций Вариант№03
ramzes14
: 4 марта 2014
1. Цель работы
Исследование установившихся процессов в одно- и трехфазных схемах выпрямления. Экспериментальное определение кпд и выходного сопротивления, снятие внешних характеристик выпрямителей при работе на активную нагрузку. Оценка степени влияния параметров элементов схемы и индуктивности рассеяния трансформатора на качественные показатели трехфазных выпрямителей.
2. Порядок выполнения работы
2.1 Исследование однофазного мостового неуправляемого выпрямителя
Вариант 3
Напряжение U1, В 12
ramzes14
: 4 марта 2014
50 руб.
