Контрольная работа по ФОЭ. Вариант №0

Цена:
100 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 9006E57D-0DB6-4EF3-9964-79A87D7E087B.doc
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

4 задачи. 1,2,3 задачи - 0 вариант, 4-я задача - 7вариант
Задача 1: Исходные данные для задачи 1 из таблицы П.1.1 приложения 1.

Таблица 1 – Исходные данные для задачи 1

Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.

Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частотыН21/ h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.

Задача 4: Исходные данные для задачи из таблицы П.1.2 приложения 1.

Дополнительная информация

"Отлично" оценка
Контрольная работа по ФОЭ. Вариант № 9
ЗАДАЧА 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА. ЗАДАЧА 2 Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА. ЗАДАЧА 3 Для данного транзистора на частот
User xtrail : 20 марта 2013
160 руб.
Контрольная работа по ФОЭ. Вариант №1
Приложены файлы для построения графиков ЗАДАЧА 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА. ЗАДАЧА 2 Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА. ЗА
User ДО Сибгути : 26 января 2013
40 руб.
promo
Контрольная работа по ФОЭ. 3 вариант
Специальность ФТОС Образец полупроводника находится в состоянии термодинамического равновесия при Т=300К и характеризуется следующими параметрами: Тип полупроводника n-тип Ge Удельное сопротивление ρ = 10 Ом*см Подвижность электронов μn = 1800 см2/(В*с) Подвижностьм дырок μр = 140 см2/(В*с) Концентрация собственных носителей тока ni = 2,5*1013 см-3 Концентрация основных носителей тока nn = ? Концентрация неосновных носителей тока pn = ? 1)Эффективная плотность уровня NC = 1*1019 см-3 Энергия
User azatmar : 22 января 2012
250 руб.
Контрольная работа по ФОЭ. 4-й вариант
4 задачи. 1,2,3 задачи - 1 вариант, 4-я задача - 1вариант доц. Савиных В. Л. Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА. Выходные статические характеристики транзистора с необходимыми построениями показаны на рисунке 1.1. Нагрузочная линия соответствует графику уравнения IК=(EК-UКЭ)/RН. На семействе выходных характеристик ордината этой прямой
User Aronitue9 : 8 марта 2012
20 руб.
Контрольная работа. ФОЭ
Задача No 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК=60 В, сопротивление нагрузки RН=800 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0=300 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ=200 мкА. Найти: По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявит
User IT : 12 марта 2015
100 руб.
Контрольная работа по ФОЭ. специальность ФТОС. вариант 7
Задача 1 Образец полупроводника находится в состоянии термодинамического равновесия при Т=300К и характеризуется следующими параметрами: Тип полупроводника n-тип InP Удельное сопротивление ρ = 10 Ом*см Подвижность электронов μn = 4600 см2/(В*с) Подвижностьм дырок μр = 150 см2/(В*с) Концентрация собственных носителей тока ni = 3*108 см-3 Концентрация основных носителей тока nn = ? Концентрация неосновных носителей тока pn = ? Эффективная плотность уровня NC = 2,6*1018 см-3 Энергия примесных уров
User azatmar : 22 января 2012
250 руб.
Контрольная работа по ФОЭ (Физические основы электроники). Вариант №15.
Задача 1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом, Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
User Vladimirus : 24 февраля 2016
120 руб.
Контрольная работа по ФОЭ, Вариант №19, Ускоренное обучение 2 курс
Контрольная работа по ФОЭ, Вариант №19 Вопрос 1. Цепь состоит из последовательно включенного диода Д303 и регистра 0,4 Ома.На ВАХ диода построить нагрузочную прямую Uвх=1,2 В. Определить ток, падения напряжения на диоде и нагрузке Т=20С Вопрос 2. Для двух точек( одна на прямой ветви ВАХ при Iпр=2,5 А, другая на обратной Uобр=100 В) определить сопротивление по постоянному току Т=60С. Вопрос 3. Определить пределы изменения входного напряжения схемы стабилизации, если Uст=47 В, Iст min =5 мА, Rн=47
User Twinki : 13 октября 2016
300 руб.
Контрольная работа по ФОЭ, Вариант №19, Ускоренное обучение 2 курс
Производственный менеджмент. Контрольная работа. Вариант №3
Задание на контрольную работу "Технико-экономический проект развития ГТС" Исходные данные: 1.Емкость проектируемой АТС, номеров 8000 2. Количество соединительных линий от проектируемой АТС к другим АТС и УВС (исходящие/входящие): Введение 1.Сравнительный анализ АТС с различным типом коммутационного оборудования 2.Оценка конкурентоспособности АТС с различным типом коммутационного оборудования и различных фирм - изготовителей 3.Способы построения городской телефонной сети 4.Технико-экономическ
User vereney : 16 октября 2012
70 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физика (часть 1). Тема: «Изучение характеристик электростатического поля». Вариант №4
Лабораторная работа № 1 «Изучение характеристик электростатического поля» Исходные данные: Вариант 4 Точка A - (4,9) Точка B - (9,9) Точка C - (15,9) Цель работы: 1) Исследовать электростатическое поле 2) Графически изобразить сечение эквипотенциальных поверхностей и силовые линии для двух конфигураций поля. 3) Оценить величину напряженности электрического поля в трех точках 4) Определить направление силовых линий Контрольные вопросы: 1. Дайте определение электростатического поля. Сформулируй
User IT-STUDHELP : 26 февраля 2019
350 руб.
promo
Контрольная работа по дисциплине: История России. Вариант: 7
Контрольная работа. . История. 1 семестр. Эпоха Петра Великого. Вар. 7 1. Что означают эти понятия? Адмиралтейство, ассамблеи, Берг-коллегия, «великое посольство», «всешутейший и всепьянейший собор», Генерал-прокурор, генералиссимус, Генеральный регламент, Главный магистрат, гражданская азбука, «князь-кесарь», коллегии, Кунсткамера, ландраты, Мануфактур-коллегия, меркантилизм, «местоблюститель патриаршего престола», «навигацкая школа», подушная подать, Преображенский приказ, ратуша, ревизия, рег
User denis74 : 6 октября 2012
120 руб.
Арбитражный процесс
ТЕМА 1. АРБИТРАЖНЫЕ СУДЫ В СИСТЕМЕ ФЕДЕРАЛЬНЫХ ОРГАНОВ СУДЕБНОЙ ВЛАСТИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ЗАДАЧА 1. · Морковкина – 24 лет, с отличием закончившая юридический институт, и работающая юрисконсультом - назначение не соответствует Конституции РФ, так как согласно статьи 119 судьями могут быть граждане Российской Федерации, достигшие 25 лет. · Быстрова, закончившая Подольский юридический техникум, имеющая стаж работы 20 лет – назначение не соответствует Конституции РФ, так как согласно стать
User Elfa254 : 27 февраля 2013
20 руб.
up Наверх