Контрольная работа № 1по дисциплине: Физические Основы Электроники. Тема: Энергетические зоны. Свободные носители зарядов: электроны и дырки.
Состав работы
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Содержание:
Энергетические зоны. Свободные носители зарядов: электроны и дырки.
Рис. 1.5. Диаграмма, иллюстрирующая энергетический спектр электронов в атоме (модель Бора) и ожидаемый спектр поглощения.
Рис. 1.6. Энергетическое расщепление 1s и 2s уровней для пяти атомов в зависимости от расстояния между ними
Рис. 1.7. Возможная структура энергетических зон, создаваемых валентными электронами в кристаллах
Рис. 1.7. Схематическое представление бездефектного кристалла кремния.
Рис. 1.8. Схема образования гибридной sp3 орбитали и соответственно тетраэдрической структуры кристалла (типа алмаза).
Рис. 1.9. Схема образования зон элементарных полупроводников четвертой группы периодической системы элементов.
Рис. 1.10. Схематическое изображение возникновения электрона и дырки при поглощении света
Рис. 1.11. Энергетическая диаграмма , поясняющая возникновение электрона и дырки в совершенном кристалле.
Рис. 1.12. Схема образования свободного электрона и заряженного донорного атома при легировании Si элементами V группы периодической системы
Рис. 1.13. Схема образования свободной дырки и заряженного акцепторного атома при легировании Si элементами III группы периодической системы
Энергетические зоны. Свободные носители зарядов: электроны и дырки.
Рис. 1.5. Диаграмма, иллюстрирующая энергетический спектр электронов в атоме (модель Бора) и ожидаемый спектр поглощения.
Рис. 1.6. Энергетическое расщепление 1s и 2s уровней для пяти атомов в зависимости от расстояния между ними
Рис. 1.7. Возможная структура энергетических зон, создаваемых валентными электронами в кристаллах
Рис. 1.7. Схематическое представление бездефектного кристалла кремния.
Рис. 1.8. Схема образования гибридной sp3 орбитали и соответственно тетраэдрической структуры кристалла (типа алмаза).
Рис. 1.9. Схема образования зон элементарных полупроводников четвертой группы периодической системы элементов.
Рис. 1.10. Схематическое изображение возникновения электрона и дырки при поглощении света
Рис. 1.11. Энергетическая диаграмма , поясняющая возникновение электрона и дырки в совершенном кристалле.
Рис. 1.12. Схема образования свободного электрона и заряженного донорного атома при легировании Si элементами V группы периодической системы
Рис. 1.13. Схема образования свободной дырки и заряженного акцепторного атома при легировании Si элементами III группы периодической системы
Дополнительная информация
Оценка - "Отлично"
Похожие материалы
Химия радиоматериалов. Зачет. Как возникают в полупроводнике свободные носители зарядов?
mirsan
: 21 января 2015
Как возникают в полупроводнике свободные носители зарядов?
Собственный полупроводник.
Колебательные движения атомов решетки.
Процесс образования электронно-дырочных пар.
Рекомбинация.
Электроны и дырки.
Примесный полупроводник.
Примеси донорные и акцепторные.
45 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
120 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Отчет по работе:
СНЯТИЕ ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ДИОДОВ Д7Ж И Д220 ПРИ ПРЯМОМ ВКЛЮЧЕНИИ.
Схемы для снятия характеристик диодов в прямом направлении приведены на рисунках: 1а и 1б
100 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Электрические свойства полупроводников (ПП). Собственные и примесные ПП. Их электропроводность
2. Входные и выходные характеристики БТ в схеме с ОБ. Схема для снятия характеристик. Вид характеристик и их объяснение.
130 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
1. Цель работы:
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора. Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой и общим эмиттером.
2. Отчет о работе
ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
ДЛЯ СХЕМЫ С ОБЩЕЙ БАЗОЙ.
На рисунке 1 приведена принципиальная схема для транзистора n-p-n для исследования его входных и выходных характеристик с общей базой.
100 руб.
Физические основы электроники
Yuliyatitova
: 1 апреля 2020
Контрольная работа
По дисциплине: Физические основы электроники
Выполнил: Титова Ю.В.
Группа: Т-61в
Вариант: №01
Проверил: Савиных Валерий Леонидович
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, опреде
300 руб.
Физические основы электроники
Фрося
: 25 февраля 2020
Согласно номера варианта и статических характеристик биполярного транзистора выполнить графоаналитические расчеты для усилительного каскада по схеме с общим эмиттером (ОЭ) :
а) записать исходные данные:
марка транзистора КТ819 тип транзистора Биполярный
напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =9 В;
активное сопротивление нагрузки RН = 1,2 Ом;
постоянная составляющая тока базы IБ0 =120мА;
амплитудное значение переменной
составляющей тока ( амплитуда усиливаемого сигнала) IБm = 100
1000 руб.
« Физические основы электроники »
Фрося
: 25 февраля 2020
Комплексное задание по дисциплине « Физические основы
электроники »
.
1. Содержание задач комплексного задания
Задача №1. Согласно номера варианта и статических характеристик биполярного транзистора выполнить графоаналитические расчеты для усилительного каскада по схеме с общим эмиттером (ОЭ) :
а) записать исходные данные:
марка транзистора ________ тип транзистора ___________
напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =____В;
активное сопротивление нагрузки RН = ______ Ом;
постоянн
900 руб.
Другие работы
Теплотехника КНИТУ Задача ТД-4 Вариант 30
Z24
: 16 января 2026
Водяной пар при давлении р1 и температуре t1, дросселируется до давления p2. Определить неизвестные параметры пара h, υ, s в начале и в конце дросселирования и потерю работоспособности Dh=T0·Δs.
Принять температуру окружающей среды равной t0. Изобразить процессы на hs — диаграмме.
150 руб.
Теплотехника Часть 1 Теплопередача Задача 4 Вариант 3
Z24
: 12 октября 2025
Теплопровод покрыт двумя слоями изоляции, имеющими одинаковую толщину δ. Средний диаметр второго слоя dm2 в n раз больше среднего диаметра первого слоя dm1, а коэффициент теплопроводности изоляции второго слоя в раз меньше коэффициента теплопроводности первого слоя. На сколько процентов изменится потеря тепла (линейная плотность теплового потока q, Вт/пог.м), если при неизменных температурах наружной и внутренней поверхностей слои изоляции поменять местами.
150 руб.
Суров Г.Я. Гидравлика и гидропривод в примерах и задачах Задача 2.47
Z24
: 14 ноября 2025
Определить избыточное давление на поверхности воды в резервуаре (рис. 2.27), если высота подъема ртути в трубке h2=0,7 м (ρрт=13600 кг/м³), а высота h1=0,25 м.
150 руб.
Станок качалка СКБ 6-2,5-2800 (СБ)-Чертеж-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
https://vk.com/aleksey.nakonechnyy27
: 7 июня 2016
Станок качалка СКБ 6-2,5-2800 (СБ)-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
500 руб.