Контрольная работа № 1по дисциплине: Физические Основы Электроники. Тема: Энергетические зоны. Свободные носители зарядов: электроны и дырки.

Цена:
115 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon ФОЭ Контрольная работа № 1.doc
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Содержание:
Энергетические зоны. Свободные носители зарядов: электроны и дырки.
Рис. 1.5. Диаграмма, иллюстрирующая энергетический спектр электронов в атоме (модель Бора) и ожидаемый спектр поглощения.
Рис. 1.6. Энергетическое расщепление 1s и 2s уровней для пяти атомов в зависимости от расстояния между ними
Рис. 1.7. Возможная структура энергетических зон, создаваемых валентными электронами в кристаллах
Рис. 1.7. Схематическое представление бездефектного кристалла кремния.
Рис. 1.8. Схема образования гибридной sp3 орбитали и соответственно тетраэдрической структуры кристалла (типа алмаза).
Рис. 1.9. Схема образования зон элементарных полупроводников четвертой группы периодической системы элементов.
Рис. 1.10. Схематическое изображение возникновения электрона и дырки при поглощении света
Рис. 1.11. Энергетическая диаграмма , поясняющая возникновение электрона и дырки в совершенном кристалле.
Рис. 1.12. Схема образования свободного электрона и заряженного донорного атома при легировании Si элементами V группы периодической системы
Рис. 1.13. Схема образования свободной дырки и заряженного акцепторного атома при легировании Si элементами III группы периодической системы

Дополнительная информация

Оценка - "Отлично"
Химия радиоматериалов. Зачет. Как возникают в полупроводнике свободные носители зарядов?
Как возникают в полупроводнике свободные носители зарядов? Собственный полупроводник. Колебательные движения атомов решетки. Процесс образования электронно-дырочных пар. Рекомбинация. Электроны и дырки. Примесный полупроводник. Примеси донорные и акцепторные.
User mirsan : 21 января 2015
45 руб.
Физические основы электроники
Электрические свойства полупроводников (ПП). Собственные и примесные ПП. Их электропроводность 2. Входные и выходные характеристики БТ в схеме с ОБ. Схема для снятия характеристик. Вид характеристик и их объяснение.
User erboollat : 21 июня 2020
130 руб.
Физические основы электроники
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА 1. Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора. Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой и общим эмиттером. 2. Отчет о работе ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА ДЛЯ СХЕМЫ С ОБЩЕЙ БАЗОЙ. На рисунке 1 приведена принципиальная схема для транзистора n-p-n для исследования его входных и выходных характеристик с общей базой.
User erboollat : 21 июня 2020
100 руб.
Физические основы электроники
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Отчет по работе: СНЯТИЕ ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ДИОДОВ Д7Ж И Д220 ПРИ ПРЯМОМ ВКЛЮЧЕНИИ. Схемы для снятия характеристик диодов в прямом направлении приведены на рисунках: 1а и 1б
User erboollat : 21 июня 2020
100 руб.
Физические основы электроники
Задача 1 По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора; в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
User erboollat : 21 июня 2020
120 руб.
Физические основы электроники
Контрольная работа По дисциплине: Физические основы электроники Выполнил: Титова Ю.В. Группа: Т-61в Вариант: №01 Проверил: Савиных Валерий Леонидович Задача 1 По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, опреде
User Yuliyatitova : 1 апреля 2020
300 руб.
« Физические основы электроники »
Комплексное задание по дисциплине « Физические основы электроники » . 1. Содержание задач комплексного задания Задача №1. Согласно номера варианта и статических характеристик биполярного транзистора выполнить графоаналитические расчеты для усилительного каскада по схеме с общим эмиттером (ОЭ) : а) записать исходные данные: марка транзистора ________ тип транзистора ___________ напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =____В; активное сопротивление нагрузки RН = ______ Ом; постоянн
User Фрося : 25 февраля 2020
900 руб.
Физические основы электроники
Согласно номера варианта и статических характеристик биполярного транзистора выполнить графоаналитические расчеты для усилительного каскада по схеме с общим эмиттером (ОЭ) : а) записать исходные данные: марка транзистора КТ819 тип транзистора Биполярный напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =9 В; активное сопротивление нагрузки RН = 1,2 Ом; постоянная составляющая тока базы IБ0 =120мА; амплитудное значение переменной составляющей тока ( амплитуда усиливаемого сигнала) IБm = 100
User Фрося : 25 февраля 2020
1000 руб.
СибГУТИ | Культурология | 3 семестр| | Зачёт | Тема: Понятие символа и его роль в культуре.
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения, Оценена Ваша работа по предмету: Культурология* Вид работы: Зачет Оценка:Зачет Дата оценки: 11.11.2014 Рецензия:,Ваша работа зачтена. Сторожева Светлана Петровна
User Arsikk : 4 марта 2015
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физико-математические основы мультимедийных технологий. Вариант №1
Тема: «Виды компьютерной графики» Оглавление Введение 3 1. Основные этапы развития компьютерной графики 4 2. Виды компьютерной графики 9 2.1 Растровая графика 10 2.2 Векторная графика 12 2.3 Трехмерная графика 14 2.4 Фрактальная графика 16 2.4.1 Геометрические фракталы 18 2.4.2 Алгебраические фракталы 19 2.4.3 Стохастические фракталы 19 3. Сравнительная таблица рассмотренных видов компьютерной графики 21 Заключение 22 Список используемых источников 23
500 руб.
Техническая термодинамика и теплотехника УГНТУ Задача 5 Вариант 93
Водяной пар, имея начальные параметры р1=2 МПа и степень сухости х1=0,9, нагревается при постоянном давлении до температуры t2 (процесс 1-2), затем дросселируется до давления p2 (процесс 2-3). При давлении p2 пар попадает в сопло Лаваля, где расширяется до давления р3=0,05 МПа (процесс 3-4). Определить, используя h-s — диаграмму водяного пара (приложение Д, рисунок Д1): — количество теплоты, подведенной к пару в процессе 1-2; — изменение внутренней энергии и конечную температуру дроссел
User Z24 : 16 декабря 2025
200 руб.
Техническая термодинамика и теплотехника УГНТУ Задача 5 Вариант 93
Реконструкция участка по ремонту сельскохозяйственной техники в ОАО «Надежда» Кармаскалинского района с разработкой КОНСТРУКЦИИ УСТАНОВКИ ДЛЯ НАПЛАВКИ НЕЗАВИСИМОЙ
РЕФЕРАТ Дипломный проект содержит 81 с., 25 таблиц, 3 рисунка, 18 источников, 9 листов формата А1 графического материала. УЧАСТОК РЕМОНТНОЙ МАСТЕРСКОЙ, УСТАНОВКА ДЛЯ НАПЛАВ-КИ, ВОССТАНОВЛЕНИЕ И УПРОЧНЕНИЕ ДЕТАЛЕЙ, ЛАПА КУЛЬТИ-ВАТОРНАЯ, ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКИЕ ПОКАЗАТЕЛИ Объектом дипломного проектирования является участок по ремонту сельскохозяйственной техники в центральной ремонтной мастерской ОАО «Надежда». Проведён анализ производственной деятельности предприятия. В про-цессе работы выпол
User Рики-Тики-Та : 28 февраля 2017
825 руб.
up Наверх