Контрольная работа № 1по дисциплине: Физические Основы Электроники. Тема: Энергетические зоны. Свободные носители зарядов: электроны и дырки.
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Содержание:
Энергетические зоны. Свободные носители зарядов: электроны и дырки.
Рис. 1.5. Диаграмма, иллюстрирующая энергетический спектр электронов в атоме (модель Бора) и ожидаемый спектр поглощения.
Рис. 1.6. Энергетическое расщепление 1s и 2s уровней для пяти атомов в зависимости от расстояния между ними
Рис. 1.7. Возможная структура энергетических зон, создаваемых валентными электронами в кристаллах
Рис. 1.7. Схематическое представление бездефектного кристалла кремния.
Рис. 1.8. Схема образования гибридной sp3 орбитали и соответственно тетраэдрической структуры кристалла (типа алмаза).
Рис. 1.9. Схема образования зон элементарных полупроводников четвертой группы периодической системы элементов.
Рис. 1.10. Схематическое изображение возникновения электрона и дырки при поглощении света
Рис. 1.11. Энергетическая диаграмма , поясняющая возникновение электрона и дырки в совершенном кристалле.
Рис. 1.12. Схема образования свободного электрона и заряженного донорного атома при легировании Si элементами V группы периодической системы
Рис. 1.13. Схема образования свободной дырки и заряженного акцепторного атома при легировании Si элементами III группы периодической системы
Энергетические зоны. Свободные носители зарядов: электроны и дырки.
Рис. 1.5. Диаграмма, иллюстрирующая энергетический спектр электронов в атоме (модель Бора) и ожидаемый спектр поглощения.
Рис. 1.6. Энергетическое расщепление 1s и 2s уровней для пяти атомов в зависимости от расстояния между ними
Рис. 1.7. Возможная структура энергетических зон, создаваемых валентными электронами в кристаллах
Рис. 1.7. Схематическое представление бездефектного кристалла кремния.
Рис. 1.8. Схема образования гибридной sp3 орбитали и соответственно тетраэдрической структуры кристалла (типа алмаза).
Рис. 1.9. Схема образования зон элементарных полупроводников четвертой группы периодической системы элементов.
Рис. 1.10. Схематическое изображение возникновения электрона и дырки при поглощении света
Рис. 1.11. Энергетическая диаграмма , поясняющая возникновение электрона и дырки в совершенном кристалле.
Рис. 1.12. Схема образования свободного электрона и заряженного донорного атома при легировании Si элементами V группы периодической системы
Рис. 1.13. Схема образования свободной дырки и заряженного акцепторного атома при легировании Si элементами III группы периодической системы
Дополнительная информация
Оценка - "Отлично"
Похожие материалы
Химия радиоматериалов. Зачет. Как возникают в полупроводнике свободные носители зарядов?
mirsan
: 21 января 2015
Как возникают в полупроводнике свободные носители зарядов?
Собственный полупроводник.
Колебательные движения атомов решетки.
Процесс образования электронно-дырочных пар.
Рекомбинация.
Электроны и дырки.
Примесный полупроводник.
Примеси донорные и акцепторные.
45 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Электрические свойства полупроводников (ПП). Собственные и примесные ПП. Их электропроводность
2. Входные и выходные характеристики БТ в схеме с ОБ. Схема для снятия характеристик. Вид характеристик и их объяснение.
130 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
1. Цель работы:
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора. Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой и общим эмиттером.
2. Отчет о работе
ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
ДЛЯ СХЕМЫ С ОБЩЕЙ БАЗОЙ.
На рисунке 1 приведена принципиальная схема для транзистора n-p-n для исследования его входных и выходных характеристик с общей базой.
100 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Отчет по работе:
СНЯТИЕ ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ДИОДОВ Д7Ж И Д220 ПРИ ПРЯМОМ ВКЛЮЧЕНИИ.
Схемы для снятия характеристик диодов в прямом направлении приведены на рисунках: 1а и 1б
100 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
120 руб.
Физические основы электроники
Yuliyatitova
: 1 апреля 2020
Контрольная работа
По дисциплине: Физические основы электроники
Выполнил: Титова Ю.В.
Группа: Т-61в
Вариант: №01
Проверил: Савиных Валерий Леонидович
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, опреде
300 руб.
« Физические основы электроники »
Фрося
: 25 февраля 2020
Комплексное задание по дисциплине « Физические основы
электроники »
.
1. Содержание задач комплексного задания
Задача №1. Согласно номера варианта и статических характеристик биполярного транзистора выполнить графоаналитические расчеты для усилительного каскада по схеме с общим эмиттером (ОЭ) :
а) записать исходные данные:
марка транзистора ________ тип транзистора ___________
напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =____В;
активное сопротивление нагрузки RН = ______ Ом;
постоянн
900 руб.
Физические основы электроники
Фрося
: 25 февраля 2020
Согласно номера варианта и статических характеристик биполярного транзистора выполнить графоаналитические расчеты для усилительного каскада по схеме с общим эмиттером (ОЭ) :
а) записать исходные данные:
марка транзистора КТ819 тип транзистора Биполярный
напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =9 В;
активное сопротивление нагрузки RН = 1,2 Ом;
постоянная составляющая тока базы IБ0 =120мА;
амплитудное значение переменной
составляющей тока ( амплитуда усиливаемого сигнала) IБm = 100
1000 руб.
Другие работы
СибГУТИ | Культурология | 3 семестр| | Зачёт | Тема: Понятие символа и его роль в культуре.
Arsikk
: 4 марта 2015
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Культурология*
Вид работы: Зачет
Оценка:Зачет
Дата оценки: 11.11.2014
Рецензия:,Ваша работа зачтена.
Сторожева Светлана Петровна
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физико-математические основы мультимедийных технологий. Вариант №1
Учеба "Под ключ"
: 2 мая 2020
Тема: «Виды компьютерной графики»
Оглавление
Введение 3
1. Основные этапы развития компьютерной графики 4
2. Виды компьютерной графики 9
2.1 Растровая графика 10
2.2 Векторная графика 12
2.3 Трехмерная графика 14
2.4 Фрактальная графика 16
2.4.1 Геометрические фракталы 18
2.4.2 Алгебраические фракталы 19
2.4.3 Стохастические фракталы 19
3. Сравнительная таблица рассмотренных видов компьютерной графики 21
Заключение 22
Список используемых источников 23
500 руб.
Техническая термодинамика и теплотехника УГНТУ Задача 5 Вариант 93
Z24
: 16 декабря 2025
Водяной пар, имея начальные параметры р1=2 МПа и степень сухости х1=0,9, нагревается при постоянном давлении до температуры t2 (процесс 1-2), затем дросселируется до давления p2 (процесс 2-3).
При давлении p2 пар попадает в сопло Лаваля, где расширяется до давления р3=0,05 МПа (процесс 3-4). Определить, используя h-s — диаграмму водяного пара (приложение Д, рисунок Д1):
— количество теплоты, подведенной к пару в процессе 1-2;
— изменение внутренней энергии и конечную температуру дроссел
200 руб.
Реконструкция участка по ремонту сельскохозяйственной техники в ОАО «Надежда» Кармаскалинского района с разработкой КОНСТРУКЦИИ УСТАНОВКИ ДЛЯ НАПЛАВКИ НЕЗАВИСИМОЙ
Рики-Тики-Та
: 28 февраля 2017
РЕФЕРАТ
Дипломный проект содержит 81 с., 25 таблиц, 3 рисунка, 18 источников, 9 листов формата А1 графического материала.
УЧАСТОК РЕМОНТНОЙ МАСТЕРСКОЙ, УСТАНОВКА ДЛЯ НАПЛАВ-КИ, ВОССТАНОВЛЕНИЕ И УПРОЧНЕНИЕ ДЕТАЛЕЙ, ЛАПА КУЛЬТИ-ВАТОРНАЯ, ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКИЕ ПОКАЗАТЕЛИ
Объектом дипломного проектирования является участок по ремонту сельскохозяйственной техники в центральной ремонтной мастерской ОАО «Надежда».
Проведён анализ производственной деятельности предприятия. В про-цессе работы выпол
825 руб.