Контрольная работа № 1по дисциплине: Физические Основы Электроники. Тема: Энергетические зоны. Свободные носители зарядов: электроны и дырки.

Цена:
115 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon ФОЭ Контрольная работа № 1.doc
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Содержание:
Энергетические зоны. Свободные носители зарядов: электроны и дырки.
Рис. 1.5. Диаграмма, иллюстрирующая энергетический спектр электронов в атоме (модель Бора) и ожидаемый спектр поглощения.
Рис. 1.6. Энергетическое расщепление 1s и 2s уровней для пяти атомов в зависимости от расстояния между ними
Рис. 1.7. Возможная структура энергетических зон, создаваемых валентными электронами в кристаллах
Рис. 1.7. Схематическое представление бездефектного кристалла кремния.
Рис. 1.8. Схема образования гибридной sp3 орбитали и соответственно тетраэдрической структуры кристалла (типа алмаза).
Рис. 1.9. Схема образования зон элементарных полупроводников четвертой группы периодической системы элементов.
Рис. 1.10. Схематическое изображение возникновения электрона и дырки при поглощении света
Рис. 1.11. Энергетическая диаграмма , поясняющая возникновение электрона и дырки в совершенном кристалле.
Рис. 1.12. Схема образования свободного электрона и заряженного донорного атома при легировании Si элементами V группы периодической системы
Рис. 1.13. Схема образования свободной дырки и заряженного акцепторного атома при легировании Si элементами III группы периодической системы

Дополнительная информация

Оценка - "Отлично"
Химия радиоматериалов. Зачет. Как возникают в полупроводнике свободные носители зарядов?
Как возникают в полупроводнике свободные носители зарядов? Собственный полупроводник. Колебательные движения атомов решетки. Процесс образования электронно-дырочных пар. Рекомбинация. Электроны и дырки. Примесный полупроводник. Примеси донорные и акцепторные.
User mirsan : 21 января 2015
45 руб.
Физические основы электроники
Электрические свойства полупроводников (ПП). Собственные и примесные ПП. Их электропроводность 2. Входные и выходные характеристики БТ в схеме с ОБ. Схема для снятия характеристик. Вид характеристик и их объяснение.
User erboollat : 21 июня 2020
130 руб.
Физические основы электроники
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Отчет по работе: СНЯТИЕ ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ДИОДОВ Д7Ж И Д220 ПРИ ПРЯМОМ ВКЛЮЧЕНИИ. Схемы для снятия характеристик диодов в прямом направлении приведены на рисунках: 1а и 1б
User erboollat : 21 июня 2020
100 руб.
Физические основы электроники
Задача 1 По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора; в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
User erboollat : 21 июня 2020
120 руб.
Физические основы электроники
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА 1. Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора. Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой и общим эмиттером. 2. Отчет о работе ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА ДЛЯ СХЕМЫ С ОБЩЕЙ БАЗОЙ. На рисунке 1 приведена принципиальная схема для транзистора n-p-n для исследования его входных и выходных характеристик с общей базой.
User erboollat : 21 июня 2020
100 руб.
Физические основы электроники
Контрольная работа По дисциплине: Физические основы электроники Выполнил: Титова Ю.В. Группа: Т-61в Вариант: №01 Проверил: Савиных Валерий Леонидович Задача 1 По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, опреде
User Yuliyatitova : 1 апреля 2020
300 руб.
« Физические основы электроники »
Комплексное задание по дисциплине « Физические основы электроники » . 1. Содержание задач комплексного задания Задача №1. Согласно номера варианта и статических характеристик биполярного транзистора выполнить графоаналитические расчеты для усилительного каскада по схеме с общим эмиттером (ОЭ) : а) записать исходные данные: марка транзистора ________ тип транзистора ___________ напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =____В; активное сопротивление нагрузки RН = ______ Ом; постоянн
User Фрося : 25 февраля 2020
900 руб.
Физические основы электроники
Согласно номера варианта и статических характеристик биполярного транзистора выполнить графоаналитические расчеты для усилительного каскада по схеме с общим эмиттером (ОЭ) : а) записать исходные данные: марка транзистора КТ819 тип транзистора Биполярный напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =9 В; активное сопротивление нагрузки RН = 1,2 Ом; постоянная составляющая тока базы IБ0 =120мА; амплитудное значение переменной составляющей тока ( амплитуда усиливаемого сигнала) IБm = 100
User Фрося : 25 февраля 2020
1000 руб.
Гидравлика УГЛТУ Задача 8 Вариант 5
Определить диаметр отверстия дросселя, установленного на сливе из гидроцилиндра, если шток движется под действием внешней нагрузки Р со скоростью V. Диаметры: цилиндра D, штока d, коэффициент расхода дросселя μ = 0,62, плотность жидкости ρ = 860 кг/м³, давление на сливе рс.
User Z24 : 8 декабря 2025
150 руб.
Гидравлика УГЛТУ Задача 8 Вариант 5
Двухсторонняя очаговая пневмония, острое течение, тяжелой степени тяжести.
Академическая история болезни Клинический диагноз: Основное заболевание: Двухсторонняя очаговая пневмония, острое течение, тяжелой степени тяжести. Осложнения: ДН I-II ст. Инфекционный токсикоз. Инфекционно-токсическая нефропатия. Сопутствующие заболевания: Нормосомия. Куратор: студентка V курса----------------------------------- г. Пенза, 2007 год I. Паспортная часть 1. Ф.И.О. ребёнка: ---------------------------- 2. Место и дата рождения: г. Пенза, 23.11.06 г. (11 мес.) 3.
User evelin : 27 января 2013
О некоторых особенностях роста кристаллов NaCl
АННОТАЦИЯ В докладе рассказывается об образовании и росте нового типа плавающих кристаллов NaCI и сопутствующих этому явлению эффектах, как-то: образование соляных колец при высыхании капель раствора NaCI, рост дендритов по горизонтальной и вертикальной плоскостям. ВВЕДЕНИЕ Проблемой образования колец при высыхании капель растворов солей занимались ещё в 19 веке. В 1882 Лизеганг обнаружил, что при высыхании капли 20% раствора AgNО3 на поверхности, покрытой слоем смеси желатина и К2Сr2О7 образует
User Elfa254 : 15 августа 2013
Дискретная математика. Билет №1
1. Проверить, является ли тавтологией формула 2. Применяя равносильные преобразования привести булеву функцию к минимальной KНФ. 3. Построить конечный детерминированный автомат, минимизировать его, записать канонические уравнения.
User Alexey8 : 2 июня 2015
60 руб.
Дискретная математика. Билет №1
up Наверх