Экзамен по дисциплине "Электроника".

Категории: СибГУТИ, Электроника, Работа Экзаменационная
Добавлен: 21.02.2013
Размер: 172 KB
Покупок: 3
Добавил:
corner

Написать сообщение

Все работы пользователя

Цена:

150 руб.

Скачать

5CC47AB4-931D-437E-AB65-3DE2611B2AC4.rar [172 KB]

Экзамен.doc [Office 2010, 8 стр., 1 MB]

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:

Microsoft Word

Что делать, если файл не открывается

Описание

1.Дифференциальные Y-параметры полевых транзисторов.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
2.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

Оценка: отлично. Игнатов А.Н.

Экзамен по дисциплине: Электроника

1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажи

******* Не известно Электроника Работа Экзаменационная

oksana111 : 24 июля 2014

300 руб.

Экзамен по дисциплине: Электроника

Экзаменационные вопросы: 1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характери-стики (ОУ). 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите

СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная

Ekaterina-Arbanakova : 11 февраля 2013

250 руб.

Экзамен по дисциплине: электроника.

Экзамен. По дисциплине: электроника. 1.Работа биполярных и полевых транзисторов с нагрузкой. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики Принципиальная схема базового элемента ДТЛ микросхемы. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа

СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная

женя68 : 10 мая 2011

56 руб.

Экзамен по дисциплине: Электроника. СИБГУТИ. ДО

Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встрое

ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная

Rufus : 26 мая 2016

200 руб.

Экзамен по дисциплине: Электроника. СИБГУТИ. ДО

Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Параметры полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером. Приведите в

СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная

dubhe : 7 марта 2015

300 руб.

Экзамен по дисциплине: Электроника. Билет №1

Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Принцип действия полевого транзистора с р-n переходом. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом p-типа. Приведите передаточ

СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная

IT-STUDHELP : 6 ноября 2019

200 руб.

Экзамен По дисциплине: Электроника. Вариант №9

Вопрос №1 Аналоговые ключи на транзисторах. Вопрос №2: Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. Вопрос №3: Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите вхо

ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные

Андрей124 : 31 августа 2019

20 руб.

Экзамен По дисциплине: Электроника. вариант №9

Вопрос №1: Аналоговые ключи на транзисторах. Вопрос №2: Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. Вопрос №3: Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите вх

ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Электроника

Андрей124 : 11 марта 2019

45 руб.

Алгебра и геометрия. Контрольная работа. Вариант №3.

1. Решить систему уравнений методом Крамера и методом Гаусса 2. Для данной матрицы найти обратную матрицу 3. Даны векторы Найти: a) угол между векторами и ; b) проекцию вектора на вектор ; c) векторное произведение ; d) площадь треугольника, построенного на векторах . 4. Даны координаты вершин треугольника a) составить уравнение стороны АВ b) составить уравнение высоты АD c) найти длину медианы ВЕ d) найти точку пересечения высот треугольника АВС. 5. Даны координа

СибГУТИ Алгебра и геометрия Работа Контрольная

SibGUTI2 : 27 января 2016

50 руб.

Контрольная работа №2 вариант 02 по дисциплине Приборы СВЧ и ОД

Тема: “Выбор диодов СВЧ для конкретного применения” Выполнить: 1. Указать выбранные типы, обеспечивающие лучшее качество работы, и указать название, автора и страницы справочника. 2. Указать функциональное назначение выбранных типов диодов. 3. Привести параметры: а) характеризующие качество работы; б) номинальные электрические; в) предельные эксплуатационные данные; г) параметры эквивалентной схемы. 4. Привести вид и размеры корпуса. Вариант выбрать из таблицы 1 по номеру пароля. Таблица 1 n-по

Приборы и системы. Измерительная техника СибГУТИ Работа Контрольная

marucya : 9 апреля 2015

40 руб.

Колесо - МЧ00.31.00.00 СБ

С.К. Боголюбов. Чтение и деталирование сборочных чертежей. Альбом. 1986 г. Задание 31. Колесо. Деталирование. Сборочный чертеж. Модели. Колесо используется в тележке, предназначенной для транспортировки заготовок и готовых изделий в механическом цехе. В двух отверстиях кронштейна крепится ось поз. 3. В корпусе поз. 2 запрессованы два шарикоподшипника поз. 14, которые зажимаются крышкой поз. 4 и распорной втулкой поз. 6. В крышках поз. 4, 5 имеются выточки под уплотнительные кольца поз. 12, 13,

Чертежи Инженерная и компьютерная графика

.Инженер. : 17 марта 2023

170 руб.