Экзамен по дисциплине "Электроника".

Цена:
150 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 5CC47AB4-931D-437E-AB65-3DE2611B2AC4.rar [ 172 KB ]
material.view.file_icon Экзамен.doc [ 1 MB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

1.Дифференциальные Y-параметры полевых транзисторов.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
2.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

Оценка: отлично. Игнатов А.Н.

Похожие материалы

Экзамен по дисциплине: Электроника
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажи
******* Не известно Электроника Работа Экзаменационная
User oksana111 : 24 июля 2014
300 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника
Экзаменационные вопросы: 1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характери-стики (ОУ). 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Ekaterina-Arbanakova : 11 февраля 2013
250 руб.
Экзамен по дисциплине: электроника.
Экзамен. По дисциплине: электроника. 1.Работа биполярных и полевых транзисторов с нагрузкой. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики Принципиальная схема базового элемента ДТЛ микросхемы. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User женя68 : 10 мая 2011
56 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника. СИБГУТИ. ДО
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встрое
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Rufus : 26 мая 2016
200 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника. СИБГУТИ. ДО
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Параметры полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером. Приведите в
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User dubhe : 7 марта 2015
300 руб.
promo
Экзамен по дисциплине: Электроника. Билет №1
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Принцип действия полевого транзистора с р-n переходом. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом p-типа. Приведите передаточ
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User IT-STUDHELP : 6 ноября 2019
200 руб.
promo
Экзамен По дисциплине: Электроника. Вариант №9
Вопрос №1 Аналоговые ключи на транзисторах. Вопрос №2: Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. Вопрос №3: Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите вхо
ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные
User Андрей124 : 31 августа 2019
20 руб.
Экзамен По дисциплине: Электроника. вариант №9
Вопрос №1: Аналоговые ключи на транзисторах. Вопрос №2: Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. Вопрос №3: Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите вх
ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Электроника
User Андрей124 : 11 марта 2019
45 руб.

Другие работы

Общественно-политическая характеристика Китая
ВВЕДЕНИЕ………………………………………………………….3 1 ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА ХОЗЯЙСТВА………………….4 1.1 Географическое положение…………………………………….4 1.2 Административная система…………………………………….5 1.3 Характеристика населения……………………………………..6 1.4 Язык……………………………………………………………...8 1.5 Религия…………………………………………………………..9 2 ЭКОНОМИЧЕСКОЕ РАЗВИТИЕ……………………………….11 3 ПОЛИТИЧЕСКОЕ РАЗВИТИЕ………………………………….17 3.1 Тип государственного устройства…………………………….17 3.2 Форма правления. Тип избирательной системы……………...18 3.3 Национальная б
Политология Работа
User evelin : 16 января 2014
15 руб.
Контрольная работа. основы телекоммуникаций. системы транкинговой связи. вариант 6.
ВВЕДЕНИЕ ОПРЕДЕЛЕНИЕ И ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРАНКИНГОВОЙ РАДИОСВЯЗИ ПРИНЦИПЫ ПОСТРОЕНИЯ ТРАНКИНГОВЫХ СИСТЕМ ПРОТОКОЛЫ И СТАНДАРТЫ ТРАНКИНГОВЫХ СИСТЕМ ЗАКЛЮЧЕНИЕ СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
Основы телекоммуникаций ДО СИБГУТИ Работа Контрольная
User Ирина36 : 16 сентября 2022
200 руб.
Ковши. Навесное оборудование строительной технике.
Ковши. Навесное оборудование строительной технике.
Строительные машины и оборудование Чертежи
User DiKey : 21 февраля 2020
50 руб.
Ковши. Навесное оборудование строительной технике.
Разработка базы данных "Компьютерные игры"
Введение 1. Цель курсовой работы 2. Структура базы данных 2.1 Таблицы 2.1.1 Таблица "Игры" 2.1.2 Таблица "Награды" 2.1.3 Таблица "Фирма-разработчик" 2.1.4 Таблица "Фирма-издатель" 2.1.5 Таблица "Телефоны фирм-разработчиков" 3. Схема данных 4. Формы 5. Запросы 6. Отчеты Вывод по проделанной работе Список используемой литературы Введение Автоматизированные банки данных уже давно стали неотъемлемой частью практически всех компьютерных систем управления на любом уровне - от отрасли д
Информатика Работа
User Elfa254 : 8 октября 2013
11 руб.
up Наверх