Контрольная работа по дисциплине "Физические основы электроники"
-
Категории:
СибГУТИ, Электроника физическая, Работа Контрольная
-
Добавлен:
23.02.2013
-
Размер:
1 MB
-
Покупок:
1
-
Добавил:
Помощь студентам СибГУТИ ДО
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
78424A82-9F95-4A9F-AD15-DEEFDAB87D99.docx
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Задача 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 3
Для данного транзистора на частоте f =100 МГц модуль коэффициента передачи тока H21Э =2 и постоянная времени цепи коллектора tК= 100 пс.
ЗАДАЧА 4
Дано: полевой транзистор типа КП 103 К, UСИ 0= 7В, UЗИ 0=4В.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 3
Для данного транзистора на частоте f =100 МГц модуль коэффициента передачи тока H21Э =2 и постоянная времени цепи коллектора tК= 100 пс.
ЗАДАЧА 4
Дано: полевой транзистор типа КП 103 К, UСИ 0= 7В, UЗИ 0=4В.
Дополнительная информация
Новосибирск,2011,отлично
Похожие материалы
Контрольная работа по дисциплине физические основы электроники
Иннокентий
: 30 сентября 2019
Описание:
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.
№ вар. Тип БТ ЕК, В
RН, Ом IБ0, мкА IБМ, мкА f, МГц | H| t пc К,
6 КТ605А 15 300 625 375 20 2,5 230
Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или
Иннокентий
: 30 сентября 2019
100 руб.
Контрольная работа По дисциплине: «Физические основы электроники»
andreyan
: 13 декабря 2017
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
andreyan
: 13 декабря 2017
60 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники
sergeyw78
: 23 мая 2013
ЗАДАЧА №1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2),
включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.
ЗАДАЧА №2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
sergeyw78
: 23 мая 2013
75 руб.
Контрольная работа по дисциплине "Физические основы электроники"
RomIN
: 1 июля 2010
СибГути 04 вариант
Задача 1:
Дан биполярный транзистор КТ605А
По статическим характеристикам (рис.1.1 и рис.1.2) заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) ра
RomIN
: 1 июля 2010
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант 09
Учеба "Под ключ"
: 30 июля 2026
Определение параметров и выбор полупроводниковых диодов
Цель работы
a) Научиться рассчитывать параметры диодов.
b) Научиться пользоваться справочной литературой по полупроводниковым диодам.
c) Научиться производить выбор диодов для конкретных радиоэлектронных устройств.
Таблица А1– Исходные данные для заданий 1,2,3
Вариант: 09
Тип диода VD: Д302
R,Ом: 0,4
U,В: 0,4
Рисунок Б27 – ВАХ диода Д302
Задание 1
Цепь состоит из последовательно включенного диода VD и резистора R (см. р
Учеба "Под ключ"
: 30 июля 2026
1300 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант 10
Учеба "Под ключ"
: 30 июля 2026
Контрольная работа по курсу ФОЭ
«Определение параметров и выбор полупроводниковых диодов»
Цель работы
a) Научиться рассчитывать параметры диодов.
b) Научиться пользоваться справочной литературой по полупроводниковым диодам.
c) Научиться производить выбор диодов для конкретных радиоэлектронных устройств.
Таблица А1 – Исходные данные для заданий 1,2,3
Вариант: 10
Тип диода VD: ГД402А
R,Ом: 7,5
U,В: 0,9
Задание 1
Цепь состоит из последовательно включенного диода VD и резистора R
Учеба "Под ключ"
: 30 июля 2026
1300 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант 23
SibGOODy
: 23 августа 2024
Задача 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления п
SibGOODy
: 23 августа 2024
1000 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №15
djo
: 8 сентября 2020
Задача 1.
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления
djo
: 8 сентября 2020
200 руб.
Другие работы
Курсовая работа по акустике. Вариант №15
natali88
: 29 января 2014
Вариант №3
на курсовой проект по теме: “Акустический расчет помещений”.
Провести необходимую планировку (реконструкцию) заданного помещения с целью использования его в качестве
Аудитории
Рассчитать акустическую обработку внутренних поверхностей проектируемого помещения, время реверберации и систему звукоусиления (или озвучения для студий).
Исходные данные
Краткая характеристика имеющегося помещени
natali88
: 29 января 2014
150 руб.
Термодинамика и теплопередача САФУ (Севмашвтуз) 2017 Задача 3 Вариант 2
Z24
: 2 декабря 2025
Газ с начальным давлением р1 и температурой t1 вытекает через суживающееся сопло в среду с давлением р2. Площадь выходного сечения сопла S2. Определить конечную температуру, скорость истечения и массовый расход газа.
Z24
: 2 декабря 2025
180 руб.
Обязательное и добровольное медицинское страхование в России
alfFRED
: 29 августа 2013
Введение
Глава 1. Обязательное медицинское страхование в России
1.1 Правовые и организационные особенности ОМС
1.2 Проблемы развития ОМС в России
Глава II. Добровольное медицинское страхование в России
2.1 Правовые и организационные особенности ДМС
2.2 ДМС и ОМС: проблемы взаимодействия
Заключение
Список нормативных правовых актов и литературы
Введение
Право на охрану здоровья граждан Российской Федерации государством определено Конституцией РФ (статья 39)[1]. Это право имеют все гражд
alfFRED
: 29 августа 2013
10 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Билет №18
Учеба "Под ключ"
: 4 сентября 2022
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1. Определение числовой апертуры.
Раздел Излучатели.
2. Процессы в излучателе на основе моно p-n перехода.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3. Устройство и принцип действия фотодиодов с барьером Шоттки.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4. Устройство и принцип действия оптоэлектронного аналогового ключа.
Учеба "Под ключ"
: 4 сентября 2022
400 руб.
