Лаборатория электронных приборов. Отчет по работе №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов".Вариант 03.

Цена:
100 руб.

Состав работы

material.view.file_icon CA20DD54-C0EF-4478-A47D-2FAE8C92E4E1.rar [ 24 KB ]
material.view.file_icon мдт-41 физ.осн.эл. лабор.1.doc [ 349 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Лаборатория электронных приборов

Отчет по работе №1
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Вариант 03.
Собираем схему для снятия вольтамперных характеристик диодов при прямом включении .
С диодом D237G.Приводим таблицы с результатами измерений

Д312
UПР, мВ  0 122.4 213.8 292.1 339 374.7 405.9 434.5
IПР, мА  0  0,1  1  5  10  15  20  25



D237G
 
UПР, мВ  0 441.5 521.1 585.3 621.1 647.2 669.4 689.4
IПР, мА  0  0,1  1  5  10  15  20  25

Собираем схему для снятия вольтамперных характеристик диодов при обратном включении
С диодом Д312

С диодом D237G

Похожие материалы

Отчет по работе №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Отчет по работе 2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении. На графике 1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении. На схеме 1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User lebed-e-va : 30 марта 2015
80 руб.
Отчет по лабораторной работе №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) 1.2. Определение типа материала диода. 1.3 . Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА. 2.Обратное включение. 3. Исследование стабилитрона Д814А 4. Исследование
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User ДО Сибгути : 31 января 2013
100 руб.
Лаборатория электронных приборов. Отчет по работе №3 "Исследование статических характеристик полевого транзистора" .Вариант№3.
Лаборатория электронных приборов.Отчет по работе №3 "Исследование статических характеристик полевого транзистора".Вариант№3. По заданию мне нужно исследовать транзистор КР307Е. Приводим схему исследования . Определяем напряжение отсечки U3ИО =-2.148 В Снимаем передаточную характеристику IC=F(U3И). Результаты измерений заносим в таблицу
СибГУТИ Физика и энергетика Работа Лабораторная
User merkuchev : 14 марта 2013
100 руб.
Лаборатория электронных приборов. Отчет по работе №2 "Исследование статических характеристик биполярного транзистора" .Вариант№3.
Лаборатория электронных приборовОтчет по работе №2"Исследование статических характеристик биполярного транзистора".Вариант№3.1. По заданию мне нужно исследовать транзистор КТ371А. Это транзистор со структурой n-p-n. 2. Приводим схемы исследования . Принципиальная схема для исследования входных и выходных характеристик с ОБ.
СибГУТИ Работа Лабораторная Физика. Физика математическая
User merkuchev : 14 марта 2013
100 руб.
Электроника "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Отчет по лабораторной работе №1
Отчет по лабораторной работе №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" По дисциплине: Физические основы электроники Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) 1.1 . Определение типа материала диода. 1.2 . Определение сопроти
СибГУТИ Электроника Работа
User 7059520 : 10 марта 2015
50 руб.
Электроника "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Отчет по лабораторной работе №1
Отчёт по лабораторной работе № 1 «Исследование статических характеристик и параметров полупроводниковых диодов»
Цель работы: Изучить устройство полупроводниковых диодов различных типов, физические процессы, происходящие в них, характеристики и параметры. Схемы исследования полупроводниковых диодов Схема для исследования ВАХ диода при прямом включении Схема для исследования ВАХ диода при обратном включении Схема для исследования ВАХ стабилитрона Схема для исследования однопериодного выпрямителя График 1 – ВАХ Ge и Si диодов Прямая ветвь ВАХ диодов D14 и KD209B График 2 – ВАХ стабилитрона Прямая ветвь В
СибГУТИ Электроника Работа Лабораторная
User ДО Сибгути : 6 февраля 2013
71 руб.
Отчёт по лабораторной работе № 1 «Исследование статических характеристик и параметров полупроводниковых диодов»
Экономика. Вариант №03
Место и роль человека в экономике Содержание Введение 3 1. Место человека в экономике 4 2. Сущность экономического человека 8 Заключение 14 Список использованных источников 15
СибГУТИ Экономика Работа Контрольная
User IT-STUDHELP : 29 декабря 2021
500 руб.
promo
Химия. Вариант №03
Вариант 3 Задания: 3, 13, 23, 33, 43, 53, 63, 73. 3. Какое количество вещества содержится а) в 4,9 г Cu(OH)2; б) в 0,2 кг NaOH ; в) в 0,056 т КОН. 13. Напишите электронные формулы атомов марганца и селена. Распределите электроны этих атомов по квантовым ячейкам. К какому электронному семейству относится каждый из этих элементов? 23. При взаимодействии газообразных сероводорода и диоксида углерода образуются пары воды и сероуглерод СS2(Г). Напишите термохимическое уравнение этой реакции, в
СибГУТИ Химия Работа Контрольная
User IT-STUDHELP : 29 декабря 2021
100 руб.
promo

Другие работы

"Электроника". Вариант №30
Техническое задание. Введение 1. Разработка структурной схемы. 2. Разработка принципиальной схемы. 3. Разработка интегральной микросхемы. 3.1. Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных элементов. 3.2. Разработка топологии. 3.3. Этапы изготовления устройства в виде гибридной интегральной микросхемы. Заключение. Список литературы.
******* Не известно Электроника Работа Курсовая
User ditools1 : 18 января 2022
500 руб.
Насос буровой УНБ-600 Чертеж общего вида-Чертеж-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа
Насос буровой УНБ-600 Чертеж общего вида-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа
Нефтяная промышленность ИНиГ Чертежи
User https://vk.com/aleksey.nakonechnyy27 : 10 июня 2016
400 руб.
Насос буровой УНБ-600 Чертеж общего вида-Чертеж-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа
Практическая работа №3. Вариант №2. Станина
Учебно-методическое пособие А.В.Туркин, Л.В.Туркина Инженерная графика часть 1 Практическая работа 3 вариант 2 Станина Вычертить контур детали по заданию 1. Вычертить окружности по заданным размерам, учитывая расстояния между ними по горизонтали и вертикали. 2. Построить прямые линии, входящие в состав заданного контура. 3. Построить сопряжения между линиями контура в соотвествии с заданным чертежом. Выполнен чертеж в компасе 3D V13 на формате А3.
Чертежи УрГУПС Инженерная графика
User vermux1 : 26 декабря 2017
30 руб.
Практическая работа №3. Вариант №2. Станина
Упор Китай ключ-Чертеж-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа
Упор Китай ключ-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа
Нефтяная промышленность ИНиГ Чертежи
User lelya.nakonechnyy.92@mail.ru : 26 июля 2016
91 руб.
Упор Китай ключ-Чертеж-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа
up Наверх