Физические основы электроники. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
-
Категории:
СибГУТИ, Электроника, Работа Лабораторная
-
Добавлен:
17.03.2013
-
Размер:
107 KB
-
Закачек:
196
-
Добавил:
lev12345678
Написать сообщение
Войти и скачать
Состав работы
|
фэо лаба №1.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
Рис.1 Схема прямого включения
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
1.Прямое включение.
Рис.1 Схема прямого включения
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
Похожие материалы
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
mirsan
: 24 января 2015
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Выполнение работы:
а) Снятие вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при условии: Iпр=f(Uпр)
б) Определение типа материала диода.
в) Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА.
г) Исследовани
mirsan
: 24 января 2015
55 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
ДО Сибгути
: 26 января 2013
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
1.2 . Определение типа материала диода.
1.3 . Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА.
2.Обратное включение.
3. Исследование стабилитрона Д814А
4. Исследовани
ДО Сибгути
: 26 января 2013
150 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Все варианты
SibGUTI2
: 3 июня 2019
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Все варианты.
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный перехо
SibGUTI2
: 3 июня 2019
50 руб.
СибГУТИ. Физические основы электроники. Лабораторная Работа 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов.
Art55555
: 6 августа 2009
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Art55555
: 6 августа 2009
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов. Вариант общий.
seka
: 14 сентября 2018
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Указания к составлению отчета
5.1 Привести схемы исследования полупроводниковых диодов.
5.2 Привести таблицы с результатами измерений.
5.3 Привести вольтамперные характеристики (график 1) германиевого и кремниевого диодов для прямого включения.
5.4 По характеристикам определить сопротивления постоянному току и дифферен
seka
: 14 сентября 2018
45 руб.
Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Shamanss
: 11 февраля 2018
Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 10.02.2018
Рецензия:Уважаемый
замечаний нет.
Shamanss
: 11 февраля 2018
200 руб.
Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
ДО Сибгути
: 22 декабря 2015
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
1.2 . Определение типа материала диода.
1.3 . Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА.
2.Обратное включение.
3. Исследование стабилитрона Д814А
4. Исследован
ДО Сибгути
: 22 декабря 2015
50 руб.
Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Lanisto
: 17 марта 2015
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Отчет по работе
2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении.
Lanisto
: 17 марта 2015
120 руб.
Другие работы
Общая теория связи.Курсовая работа.. Вариант 1.Вид сигнала ДАМ.Способ приема НКГ. n 9
Teuserer
: 11 марта 2012
Оглавление
1. Оглавление…..………………………………………………..………………......2
1.1. Введение………....…...………………………………………..……………...4
1.2. Задание…………..…………………………………………….……………...5
1.3. Исходные данные……….....………………………….…...........………...... 6
1.3.1. Структурная схема систем связи……………….....…................................7
1.3.2. Структурная схема приемника…………………….……….................….. 11
1.3.3. Принятие решения приемником по одному отсчету……….…………....13
1.3.4. Вероятность ошибки на выходе приемника……..……………………..
Teuserer
: 11 марта 2012
250 руб.
Цилиндрическая зубчатая передача. Вариант 10
lepris
: 13 августа 2022
Цилиндрическая зубчатая передача. Вариант 10
Выполнить чертеж цилиндрической зубчатой передачи.
Большое колесо вычерчивается ниже малого.
m=5
Z1=13
Z2=25
Dв1=25
Dв2=32
Чертеж выполнен на формате А3 (все на скриншотах показано и присутствует в архиве) выполнены в компасе 3D v13, возможно открыть в 14,15,16,17,18,19,20,21,22 и выше версиях компаса.
Также открывать и просматривать, печатать чертежи и 3D-модели, выполненные в КОМПАСЕ можно просмоторщиком КОМПАС-3D Viewer.
Просьба по всем вопрос
lepris
: 13 августа 2022
100 руб.
Схемотехника телекоммуникационных устройств
Сергейds
: 13 сентября 2013
Выбрать тип усилительных элементов и режим работы, рассчитать принципиальную схему.
1. Техническое задание
2. Выбор и обоснование схемы ВКУ
3. Выбор режима транзистора ВКУ
4. Расчет необходимой стабилизации режима работы транзистора ВКУ
5. Расчет оконечного усилителя по переменному току
6. Построение сквозной динамической характеристики и оценка нелинейных искажений в ВКУ
7. Выбор ОУ
8. Выбор режима работы ОУ
9. Спецификация элементов принципиальной схемы
Сергейds
: 13 сентября 2013
49 руб.
Вычислительный эксперимент
Elfa254
: 10 августа 2013
Содержание
1. Введение.
2. Вычислительный эксперимент.
3. Основные этапы вычислительного эксперимента.
4. Сферы применения вычислительного эксперимента и математического моделирования.
5. Результаты расчёта последствий ядерного конфликта.
6. Пакеты прикладных программ.
7. Заключение.
8. Список использованной литературы.
1. Введение.
Ни одно техническое достижение не повлияло так на интеллектуальную деятельность человека, как электронно-вычислительные машины. Увеличив в деся
Elfa254
: 10 августа 2013
