Физические основы электроники. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
-
Категории:
СибГУТИ, Электроника, Работа Лабораторная
-
Добавлен:
17.03.2013
-
Размер:
107 KB
-
Закачек:
196
-
Добавил:
lev12345678
Написать сообщение
Войти и скачать
Состав работы
|
фэо лаба №1.doc
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
Рис.1 Схема прямого включения
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
1.Прямое включение.
Рис.1 Схема прямого включения
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
Похожие материалы
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
mirsan
: 24 января 2015
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Выполнение работы:
а) Снятие вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при условии: Iпр=f(Uпр)
б) Определение типа материала диода.
в) Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА.
г) Исследовани
mirsan
: 24 января 2015
55 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
ДО Сибгути
: 26 января 2013
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
1.2 . Определение типа материала диода.
1.3 . Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА.
2.Обратное включение.
3. Исследование стабилитрона Д814А
4. Исследовани
ДО Сибгути
: 26 января 2013
150 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Все варианты
SibGUTI2
: 3 июня 2019
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Все варианты.
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный перехо
SibGUTI2
: 3 июня 2019
50 руб.
СибГУТИ. Физические основы электроники. Лабораторная Работа 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов.
Art55555
: 6 августа 2009
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Art55555
: 6 августа 2009
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов. Вариант общий.
seka
: 14 сентября 2018
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Указания к составлению отчета
5.1 Привести схемы исследования полупроводниковых диодов.
5.2 Привести таблицы с результатами измерений.
5.3 Привести вольтамперные характеристики (график 1) германиевого и кремниевого диодов для прямого включения.
5.4 По характеристикам определить сопротивления постоянному току и дифферен
seka
: 14 сентября 2018
45 руб.
Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Shamanss
: 11 февраля 2018
Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 10.02.2018
Рецензия:Уважаемый
замечаний нет.
Shamanss
: 11 февраля 2018
200 руб.
Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
ДО Сибгути
: 22 декабря 2015
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
1.2 . Определение типа материала диода.
1.3 . Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА.
2.Обратное включение.
3. Исследование стабилитрона Д814А
4. Исследован
ДО Сибгути
: 22 декабря 2015
50 руб.
Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Lanisto
: 17 марта 2015
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Отчет по работе
2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении.
Lanisto
: 17 марта 2015
120 руб.
Другие работы
Высшая математика (часть 2). Контрольная работа. Вариант №1
Damovoy
: 3 августа 2020
1.Однородная пластина имеет форму четырехугольника (см. рису-
нок). Указаны координаты вершин. С помощью двойного интеграла
вычислить координаты центра масс пластины.
2.Дифференциальные уравнения
Задание к разделу 7, п. 7.2.
Найти общее решение дифференциального уравнения.
3. Степенные ряды
Найти область сходимости степенного ряда.
4. Приближенные вычисления с
помощью разложения функции в ряд
Вычислить с точностью до 0,001 значение определенного интеграла, разлагая подынтегральную функцию в с
Damovoy
: 3 августа 2020
50 руб.
Сборник курсовых работ по операционным системам (СибГУТИ)
Lost
: 28 февраля 2012
Задание на курсовую работу (общее для всех вариантов):
Необходимо написать программу, реализующую параллельную работу нескольких процессов. Каждый процесс может состоять из одного или нескольких потоков. Любой из потоков, работающих в составе этих процессов, может быть приостановлен и вновь запущен некоторой определенной клавишей (можно использовать буквенные или цифровые клавиши). Нажатия клавиш обрабатывать с помощью прерывания от клавиатуры (по материалам лаб. работы №1).
Окончание работы пр
Lost
: 28 февраля 2012
Теплотехника РГАУ-МСХА 2018 Задача 4 Вариант 58
Z24
: 26 января 2026
По трубе внутренним диаметром d, мм и длиной L, м протекает вода со скоростью ω, м/с (рис. 2.3). Средняя температура воды – t, °С , а внутренней стенки трубы – tс, °С. Определите коэффициент теплоотдачи от воды к стенке трубы и передаваемый тепловой поток.
Ответить на вопросы:
1. Дайте определение конвективному теплообмену, вынужденной конвекции.
2. Что изучает теория подобия, каково ее назначение?
3. Какие наблюдаются режимы течения жидкости (газа) в трубах? При каких условиях они воз
Z24
: 26 января 2026
200 руб.
Складання технологічної схеми розбирання регулюючого клапана 6с-9-1 з розробкою технологічної карти на відновлення шпинделя
GnobYTEL
: 27 сентября 2014
1.Тема проекту: Складання технологічної схеми розбирання регулюючого клапана 6с-9-1 з розробкою технологічної карти на відновлення шпинделя
3.Вихідні дані проекту:
Назва установки Парова котельня
Назва вузла Регулюючий клапан
Назва деталі Шпиндель
4.3міст розрахунково-пояснювальної записки (перелік тих питань ,що
підлягають розробці)
1 . Вступ
1. Теплова схема котельні
2. Розробка технологічного процесу розбирання клапана 6с-9-1
3. Технологічний процес відновлення шпинделя
4. Промислова саніта
GnobYTEL
: 27 сентября 2014
250 руб.
