Физические основы электроники. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"

Этот материал можно скачать бесплатно

Состав работы

material.view.file_icon 94E05766-6C87-4073-A00E-FC483EE38F84.rar [107 KB]
material.view.file_icon фэо лаба №1.doc [230 KB]

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.

Рис.1 Схема прямого включения

1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)

Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б

Похожие материалы

Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Выполнение работы: а) Снятие вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при условии: Iпр=f(Uпр) б) Определение типа материала диода. в) Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА. г) Исследовани
Электроника Работа Лабораторная
User mirsan : 24 января 2015
55 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) 1.2 . Определение типа материала диода. 1.3 . Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА. 2.Обратное включение. 3. Исследование стабилитрона Д814А 4. Исследовани
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User ДО Сибгути : 26 января 2013
150 руб.
promo
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Все варианты
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Все варианты. 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный перехо
ДО СИБГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User SibGUTI2 : 3 июня 2019
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Все варианты
СибГУТИ. Физические основы электроники. Лабораторная Работа 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов.
Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User Art55555 : 6 августа 2009
100 руб.
СибГУТИ. Физические основы электроники. Лабораторная Работа 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов. Вариант общий.
Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Указания к составлению отчета 5.1 Привести схемы исследования полупроводниковых диодов. 5.2 Привести таблицы с результатами измерений. 5.3 Привести вольтамперные характеристики (график 1) германиевого и кремниевого диодов для прямого включения. 5.4 По характеристикам определить сопротивления постоянному току и дифферен
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User seka : 14 сентября 2018
45 руб.
Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Уважаемый студент, дистанционного обучения, Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники Вид работы: Лабораторная работа 1 Оценка:Зачет Дата оценки: 10.02.2018 Рецензия:Уважаемый замечаний нет.
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User Shamanss : 11 февраля 2018
200 руб.
Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) 1.2 . Определение типа материала диода. 1.3 . Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА. 2.Обратное включение. 3. Исследование стабилитрона Д814А 4. Исследован
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User ДО Сибгути : 22 декабря 2015
50 руб.
Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Отчет по работе 2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении.
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User Lanisto : 17 марта 2015
120 руб.

Другие работы

КГ.04.28.00.00 Самостоятельная работа №4
Все выполнено в программе КОМПАС 3D v16 Вариант 28 КГ.04.28.00.00 Самостоятельная работа №4 - создать 3D модели деталей сборочной единицы; - создать 3D модель сборки; - создать спецификацию; - выполнить сборочный чертеж. В состав работы входят 8 файлов: - 3 3D модели деталей, входящих в сборку, расширение файла *.m3d (для открытия требуется программа компас не ниже 16 версии); - 3D модель сборки из этих деталей, скрепленных стандартными изделиями, расширение файла *.a3d (для откры
СибГАУ Чертежи Инженерная и компьютерная графика
User Чертежи СибГАУ им. Решетнева : 25 октября 2026
250 руб.
КГ.04.28.00.00 Самостоятельная работа №4
Ход восстания 14 декабря 1825 г.
План: заставить Сенат принять и провозгласить Манифест с основ-ными требованиями Конституции, захватить Зимний, Петропавловскую крепость, убить Николая I (Каховский!).
Конспект СГТУ История
User 1809381792 : 16 января 2014
2 руб.
Культурология (кейс) 3 семестр
Задача №3 3. В Древнем Египте живые нередко пытались установить контакт с умершими родственниками посредством писем. В письмах излагались просьбы живых к умершему. Иногда просьбы сопровождались угрозами. Некоторые болезни живых считались следствием злых козней умерших. Это было одной из причин возникновения переписки – конфликт пытались уладить мирно. В чем причина такого поведения?
Задачи Культурология СИБИТ
User alexandr12 : 29 сентября 2019
100 руб.
Культурология (кейс) 3 семестр
Экономический кризис 1920г . и его влияние на хозяйственное развитие ведущих стран мира
Введение Первая мировая война была одним из важнейших событий 20 века. Она повлекла за собой передел политического влияния в мире и целую плеяду экономических кризисов, ведь даже Уинстон Черчилль назвал её «мировым кризисом», т.к. в период с августа 1914 года по ноябрь 1918 года решались судьбы великих держав и зависящих от них стран. Масштаб ее был действительно впечатляющим, ведь в военных действиях из 56 суверенных на тот период стран приняли участие 34. Первая мировая война оказала довольн
Работа Экономика
User alfFRED : 19 ноября 2013
10 руб.
up Наверх