Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет № 17 (3-й семестр)
-
Категории:
СибГУТИ, Электроника, Работа Зачетная
-
Добавлен:
30.03.2013
-
Размер:
440 KB
-
Покупок:
7
-
Добавил:
Jack
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
35DFA6A5-EB08-49DF-B1BE-F7DAF794B01F.doc
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Билет № 17
Вопрос №1: Устройство и принцип работы биполярного транзистора (БТ).
Вопрос №2: Определение дифференциальных параметров ПТ по характеристикам.
Вопрос №1: Устройство и принцип работы биполярного транзистора (БТ).
Вопрос №2: Определение дифференциальных параметров ПТ по характеристикам.
Дополнительная информация
Специальность МТС(бывш. МЭС)
Зачтено
Преподаватель: Савиных В.Л.
Зачтено
Преподаватель: Савиных В.Л.
Похожие материалы
Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №17.
freelancer
: 23 апреля 2016
Вопрос №1: Устройство и принцип работы биполярного транзистора (БТ).
Вопрос №2: Определение дифференциальных параметров ПТ по характеристикам.
freelancer
: 23 апреля 2016
100 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №17
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 12 апреля 2014
Вопрос №1: Устройство и принцип работы биполярного транзистора (БТ).
Вопрос №2: Определение дифференциальных параметров ПТ по характеристикам.
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 12 апреля 2014
130 руб.
Зачетная работа. Физические основы электроники. 3-й семестр. Билет № 17
SybNet
: 22 сентября 2012
Зачетная работа Физические основы электроники, 3 семестр, билет №17
Дистанционное обучение СибГУТИ
Вопрос №1: Устройство и принцип работы биполярного транзистора (БТ).
Вопрос №2: Определение дифференциальных параметров ПТ по характеристикам.
SybNet
: 22 сентября 2012
100 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники. 3-й семестр. Билет №12
58197
: 22 сентября 2013
Билет № 12
1. Стабилитрон. ВАХ. Основные параметры. Применение. Схема включения.
Стабилитрон - это полупроводниковый диод, предназначенный для стабилизации напряжения.
Напряжение стабилизации - значение напряжения на стабилитроне при прохождении заданного тока стабилизации.
Температурный коэффициент напряжения стабилизации - величина, определяемая отношением относительного изменения температуры окружающей среды при постоянном токе стабилизации.
2. Зависимость Н-параметров БТ от частоты.
В си
58197
: 22 сентября 2013
60 руб.
Зачетная работа по дисциплине "Физические основы электроники"
te86
: 9 сентября 2012
1. Влияние температуры на передаточные, выходные характеристики ПТ
и рабочую область
Полупроводниковые приборы, усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемым электрическим полем называются полевые транзисторы
Полевой транзистор содержит три полупроводниковые области ...
2. Аналитический расчет параметров усилительного режима.
Расчет усилителей на транзисторах включает следующие основные этапы:
1. Выбор транзистора и элем
te86
: 9 сентября 2012
80 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №8
SibGOODy
: 23 августа 2024
Билет № 8
1. Характеристики ПП диодов из германия и кремния. Влияние температуры.
2. Основные режимы работы БТ и схемы включения.
SibGOODy
: 23 августа 2024
300 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет 14
SibGOODy
: 23 августа 2024
Билет № 14
1. Емкости p-n перехода: барьерная и диффузионная. Их зависимости от режима работы.
2. Работа БТ в усилительном режиме гармонического сигнала. Принцип работы. Графический метод определения параметров усиления.
SibGOODy
: 23 августа 2024
300 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №3
djo
: 8 сентября 2020
1. Электронно-дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода.
2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
djo
: 8 сентября 2020
190 руб.
Другие работы
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». ДО. 4-й семестр
user888
: 21 апреля 2013
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Применение генераторов тока в ОУ.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
user888
: 21 апреля 2013
120 руб.
Лабораторная работа №2 по дисциплине: Схемотехника телекоммуникационных устройств. Вариант 1
Учеба "Под ключ"
: 15 мая 2019
Тема: «Исследование резисторного каскада широкополосного усилителя на полевом транзисторе»
Цель работы:
Исследовать влияние элементов схемы каскада широкополосного усиления на полевом транзисторе с общим истоком на его показатели (коэффициент усиления, частотные и переходные характеристики).
Описание схемы исследуемого усилителя
Исходные данные для предварительного расчета:
Варианты значений выходной разделительной емкости (С2) и емкости нагрузки С4, указанные в таблице 2, выбираются по пос
Учеба "Под ключ"
: 15 мая 2019
500 руб.
Механика жидкости и газа СПбГАСУ 2014 Задача 6 Вариант 30
Z24
: 27 декабря 2025
Ось горизонтального участка трубы диаметром d1 расположена на высоте h1 = (0,25 + 0,05·y) м над уровнем воды в резервуаре II. Ось горизонтального участка трубы диаметром d2 лежит ниже уровня воды в резервуаре II на величину h2 = (0,5 + 0,05·z) м. Длины участков: l1 = (10 + 0,1·y) м; l2 = (20 + 0,1·z) м; l3 = (10 + 0,1·y) м. Напор в резервуаре I H = (1,0 + 0,1·z) м, коэффициенты поворотов ζ30 = 0,7, ζ120 = 1,44.
Определить расход воды в трубопроводе и построить напорную и пьезометрическую лини
Z24
: 27 декабря 2025
400 руб.
Асинхронные двигатели
123478
: 10 февраля 2012
СОДЕРЖАНИЕ
Введение 1
1. Задание на курсовую работу 2
2. Подготовка данных обмера магнитопровода 5
3. Выбор типа обмотки 7
4. Расчет обмоточных данных 8
5. Расчет т оптимального чис
123478
: 10 февраля 2012
