Лабораторные работы №1, №2, №3 по физическим основам электроники
Состав работы
|
|
|
|
|
|
|
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Лабораторная работа №1. Исследование статических характеристик
полупроводниковых диодов
Цель работы: Изучить устройства полупроводникового диода,
физические процессы,
происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение
полупроводниковых диодов.
Лабораторная работа №2. Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ).
Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ)
Лабораторная работа №3. Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов
Цель: изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ)
полупроводниковых диодов
Цель работы: Изучить устройства полупроводникового диода,
физические процессы,
происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение
полупроводниковых диодов.
Лабораторная работа №2. Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ).
Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ)
Лабораторная работа №3. Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов
Цель: изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ)
Дополнительная информация
Зачет, 2011г. Проверил Савиных В.Л.
Похожие материалы
Лабораторные работы №1-3 физические основы электроники
qawsedrftgyhujik
: 16 декабря 2010
.2семестр 2вариант.
ЛР1.
"Исследование статических характеристик
полупроводниковых диодов"
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
ЛР2.
"Исследование статических характеристик
биполярного транзистора"
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общ
200 руб.
Лабораторные работы №№1-3 по предмету Физические основы электроники
ZhmurovaUlia
: 27 января 2017
Лабораторная работа 1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Лабораторная работа 2
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах вкл
130 руб.
Лабораторная работа №№1, 2, 3. Физические основы электроники
FreeForMe
: 10 апреля 2015
Отчет по работе №1
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Отчет по работе №2
«Исследование статических характеристик биполярного транзистора»
Отчет по работе №3
«Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов»
145 руб.
Лабораторная работа №3 по физическим основам электроники
ramzes14
: 9 ноября 2012
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
1. Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
2. Отчет о работе
2.1. Снять передаточную характеристику IC = F(U3И) (график 2.1). Результаты измерений занести в таблицу 2.1. Определить напряжение отсечки U3ИО (определить напряжение U3И, при котором ток стока снизится примерно до 10 мкА) На рис. 2.1 приведена схема для снятия статических передаточных характеристик полевого т
70 руб.
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №1-3 по дисциплине: «Физические основы электроники» . Все варианты
Jerryamantipe03
: 23 июня 2021
Тема: «Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов»
Тема: «Исследование статических характеристик биполярного транзистора»
Тема: «ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ»
500 руб.
Лабораторные работы №№1-3. Физические основы электроники. Вариант 10
nasiknice
: 2 декабря 2020
ЛР 1- Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
ЛР 2- Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
ЛР 3-Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
800 руб.
Лабораторные работы №1-3 по дисциплине: Физические основы электроники (ВСЕ варианты)
Елена22
: 7 октября 2015
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники Тема: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Выполнение лабораторной работы.
1. Прямое включение.
1.2. Определение материала диода.
1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом то
800 руб.
Лабораторные работы №1-3 по дисциплине: Физические основы электроники. (Для всех вариантов)
Roma967
: 29 мая 2015
Лабораторная работа №1. Тема: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов".
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Выполнение работы:
1. Прямое включение.
1.1. Снятие вольтамперных характеристик диодов при прямом включении.
1.2. Определение материала диода.
1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления
800 руб.
Другие работы
Гидравлика ИжГТУ 2007 Задача 3.3 Вариант 23
Z24
: 18 октября 2025
Найти расход Q воды (ν=10-6 м²/c), вытесняемой из бака А в бак B за счет избыточного давления роизб и протекающей по трубопроводу длиной L, диаметром d.
Принять коэффициент сопротивления вентиля равным 5. Вид трубы взять из табл.3.1 на с.24.
Задачу решить графоаналитическим способом.
Найденный расход выразить в м³/c и л/c.
350 руб.
Базы данных в телекоммуникациях. Билет №13
dralex
: 20 сентября 2021
Экзамен по дисциплине: Базы данных в телекоммуникациях билет № 13
1. Основные понятия реляционной модели данных: отношение, домен, кортеж, атрибут, ключ, суперключ.
2. Написать запрос, вычисляющий средние баллы студентов по каждой дисциплине.
Студент Группа Дисциплина Дата занятия Время занятия Балл
3. База данных «Общепит» должна содержать следующие сведения:
Меню на каждый день, рецепты приготовления и состав блюд, список поставщиков продуктов.
Построить ЕR-диаграмму.
350 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Распространение радиоволн и антенно-фидерные устройства в телерадиовещании. Вариант №2
IT-STUDHELP
: 9 декабря 2022
Задание
Искусственный спутник Земли, находящийся на стационарной орбите, предназначен для ретрансляции телевизионных сигналов на линии Земля - ИСЗ - Земля. Спроектировать передающую антенну, установленную на борту спутника.
Предпоследняя цифра пароля 0
Номер варианта (по выбору варианта в методических указаниях) 8
Исходные данные для проектирования:
fo, ГГц G2, дБ Р1, Вт Р2, дБВт Облучатель Фидерный тракт
4 45 41 -110 пирамидальный рупорный прямоугольный волновод
Проектируемая антенна включа
800 руб.
Курсовая работа По дисциплине: Управление сетями связи. Вариант №1.
freelancer
: 30 августа 2016
Задание:
Расшифровать сообщения управляющего протокола, в соответствии с поставленными вопросами.
1. Фирму-поставщика оборудования сетевых интерфейсов
2. MAC-адреса источника и назначения
3. Тип протокола, обслуживаемого данным Ethernet-кадром
4. Версию протокола сетевого уровня
5. Приоритет сетевого уровня для данной дейтаграммы
6. Длину пакета сетевого уровня (в байтах)
7. Время жизни данной дейтаграммы
8. Протокол транспортного уровня (Dec’код и название)
9. Сетевой адрес отправител
80 руб.