Контрольная работа по дисциплине: ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ. Задача №1
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 1) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Похожие материалы
Контрольная работа по дисциплине физические основы электроники
Иннокентий
: 30 сентября 2019
Описание:
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.
№ вар. Тип БТ ЕК, В
RН, Ом IБ0, мкА IБМ, мкА f, МГц | H| t пc К,
6 КТ605А 15 300 625 375 20 2,5 230
Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или
100 руб.
Контрольная работа По дисциплине: «Физические основы электроники»
andreyan
: 13 декабря 2017
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
60 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники
sergeyw78
: 23 мая 2013
ЗАДАЧА №1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2),
включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.
ЗАДАЧА №2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
75 руб.
Контрольная работа по дисциплине "Физические основы электроники"
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 23 февраля 2013
Задача 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 3
Для данного транзистора на частот
300 руб.
Контрольная работа по дисциплине "Физические основы электроники"
RomIN
: 1 июля 2010
СибГути 04 вариант
Задача 1:
Дан биполярный транзистор КТ605А
По статическим характеристикам (рис.1.1 и рис.1.2) заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) ра
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант 23
SibGOODy
: 23 августа 2024
Задача 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления п
1000 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №15
djo
: 8 сентября 2020
Задача 1.
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления
200 руб.
Контрольная работа По дисциплине: Физические основы электроники. Вариант 12.
mdmatrix
: 28 августа 2020
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора
120 руб.
Другие работы
Алгоритмы трассировки
elementpio
: 30 сентября 2013
Введение
В настоящее время используются различные варианты волнового алгоритма, в частности, лучевой и маршрутные.
Простейшим видом волнового алгоритма является волновой алгоритм нахождения кратчайшего пути без пересечения множества занятых и запрещенных элементов (участков печатной платы). Его целесообразно использовать при трассировке соединений в одной плоскости, когда недопустимо выходить из пределов этой плоскости. Определяются начальная
5 руб.
Временная коммутация в ЦСК. Вариант №5
albanec174
: 28 марта 2014
Контрольные вопросы:
1. Какие преобразования сигналов осуществляются при импульсно-кодовой модуляции?
2. Какие виды каналов применяются в аппаратуре ИКМ 30/32?
3. Чему равна частота дискретизации в аппаратуре ИКМ 30/32?
4. Чему равен период дискретизации в аппаратуре ИКМ 30/32?
5. Число уровней квантования при очень хорошем качестве речи?
6. Разрядность кодового слова при хорошем качестве речи?
7. Величина временного канального интервала (мкс)?
8. Укажите верхнюю границу диапазона частот телефон
60 руб.
Курсовой проект по дисциплине: Основы проектирования, строительства и эксплуатации сетей связи Проект РАТС на базе цифровой АТС типа EWSD. Вариант №10
Amor
: 11 октября 2015
Содержание
Введение 4
1. Разработка структурной схемы ГТС и нумерации АЛ 6
1.1 Структурная схема ГТС 6
1.2 Разработка системы нумерации АЛ на ГТС 7
2.1 Определение количества и емкости DLU 9
2.2 Распределение источников нагрузки по DLU 9
2.3 Структурная схема проектируемой РАТС 10
3.1 Расчет исходящей нагрузки от DLU 12
3.2 Расчет интенсивностей нагрузок между существующими и проектируемой РАТС 14
3.3 Определение межстанционных нагрузок 15
3.4 Расчет входящей нагрузки 16
3.5 Схема распределения
500 руб.
Системы водоснабжения и водоотведения города
kostak
: 12 апреля 2012
Содержание
Введение. 2
1. Местоположение и природно-климатические условия района. 4
1.1.Местоположение 4
1.2. Рельеф и геологическое строение. 4
1.3. Климат местности. 4
1.4. Растительный и животный мир. 5
1.5. Гидрологические условия. 5
1.6. Почвенные условия. 7
2. Выбор системы и схемы канализации 8
3. Определение расчетных расходов сточных вод. 9
3.1. Определение расчетных расходов сточных вод от промышленных предприятий. 10
3.2. Определение расчетных расходов сточных вод от коммунально-быто
100 руб.