Расчет полевого транзистора с изолированным затвором

ID: 99547
Дата закачки: 27 Июня 2013
Продавец: Помощь студентам СибГУТИ ДО (Напишите, если есть вопросы)
Посмотреть другие работы этого продавца

Тип работы: Работа Расчетная
Форматы файлов: Microsoft Word
Сдано в учебном заведении: ТУСУР

Описание:
Расчет полевого транзистора с изолированным затвором
Технические требования: полупроводник- кремний; материал затвора- алюминий; подзатворный диэлектрик-диоксид кремния; канал индуцированный p-типа электропроводности; толщина подзатворного диэлектрика d=0,1 мкм; ширина канала Z= 100 мкм; длина канала L=10 мкм; концентрация акцепторной примеси N_а=8∙〖10〗^15 〖см〗^(-3); концентрация донорной примеси N_д=8∙〖10〗^15 〖см〗^(-3);плотность поверхностных зарядов N_пов=8∙〖10〗^11 〖см〗^(-2); подвижность электронов в канале μ_n=〖1,9 см〗^2/B∙c;контактная разность потенциалов МДП-структуры φ_мдп=-0,95 В; относительная диэлектрическая проницаемость диоксида кремния ε_д=4; рабочая температура Т=300К.

Комментарии: Год сдачи 2012.Работа зачтена

Размер файла: 168,7 Кбайт
Фаил: