Исследование физико-химических процессов фотолитографии
Состав работы
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Содержание
Введение……………………………………………...………..............................3
1. Механизм процесса фотолитографии …...........................................................4
2. Анализ известных видов литографии, их технологических возможностей.……………………….................................................................8
2.1. Рентгеновская литография.......................................................................8
2.2. Электронно-лучевая литография...........................................................11
3. Факторы, влияющие на разрешающую способность различных видов литографии ………….....................................................................................15
3.1. Анализ факторов, влияющих на разрешающую способность контактной фотолитографии……………….…............................................…15
3.2. Анализ факторов, влияющих на разрешающую способность электронной литографии ………………….…................................................17
4. Анализ факторов, определяющих параметры и свойства фоторезисторов..............................................................................................22
Заключение…………………………………………………………………….....25
Список используемых источников…………………………………………......27
Разработка темы «Исследование физико-химических процессов фотолитографии» в настоящее время является весьма актуальной. Фотолитография, являясь на сегодняшний день одной из наиболее часто и широко используемых в микроэлектронике операций, открывает широкие возможности для получения защитных масок с элементами субмикронного размера и в то же время представляет собой один из наиболее сложных, противоречивых процессов в производстве микроэлектронных компонентов. Несомненно, в связи с бурным развитием технологии вообще, и особенно с приближением к ее физическим границам, фотолитография претерпела значительные изменения, и многие исходные утверждения подверглись значительным корректировкам. Также необходимо отметить, что на данный момент только литография обеспечивает возможность массового производства ИС с минимальными критическими размерами.
Данная цель предполагает постановку и решение следующих задач:
1. описать механизм процесса фотолитографии;
2. рассмотреть наиболее известные виды литографии, их технологические возможности ;
3. охарактеризовать факторы, влияющие на разрешающую способность различных видов литографии;
4. провести анализ факторов, определяющих параметры и свойства фоторезисторов .
Предметом исследования выступают физико-химические процессы фотолитографии.
При изучении и написании данной работы, была использована информация, собранная из специальной литературы, экономические консультации справочных систем. Использовались журналы, методические пособия, научные статьи.
Введение……………………………………………...………..............................3
1. Механизм процесса фотолитографии …...........................................................4
2. Анализ известных видов литографии, их технологических возможностей.……………………….................................................................8
2.1. Рентгеновская литография.......................................................................8
2.2. Электронно-лучевая литография...........................................................11
3. Факторы, влияющие на разрешающую способность различных видов литографии ………….....................................................................................15
3.1. Анализ факторов, влияющих на разрешающую способность контактной фотолитографии……………….…............................................…15
3.2. Анализ факторов, влияющих на разрешающую способность электронной литографии ………………….…................................................17
4. Анализ факторов, определяющих параметры и свойства фоторезисторов..............................................................................................22
Заключение…………………………………………………………………….....25
Список используемых источников…………………………………………......27
Разработка темы «Исследование физико-химических процессов фотолитографии» в настоящее время является весьма актуальной. Фотолитография, являясь на сегодняшний день одной из наиболее часто и широко используемых в микроэлектронике операций, открывает широкие возможности для получения защитных масок с элементами субмикронного размера и в то же время представляет собой один из наиболее сложных, противоречивых процессов в производстве микроэлектронных компонентов. Несомненно, в связи с бурным развитием технологии вообще, и особенно с приближением к ее физическим границам, фотолитография претерпела значительные изменения, и многие исходные утверждения подверглись значительным корректировкам. Также необходимо отметить, что на данный момент только литография обеспечивает возможность массового производства ИС с минимальными критическими размерами.
Данная цель предполагает постановку и решение следующих задач:
1. описать механизм процесса фотолитографии;
2. рассмотреть наиболее известные виды литографии, их технологические возможности ;
3. охарактеризовать факторы, влияющие на разрешающую способность различных видов литографии;
4. провести анализ факторов, определяющих параметры и свойства фоторезисторов .
Предметом исследования выступают физико-химические процессы фотолитографии.
При изучении и написании данной работы, была использована информация, собранная из специальной литературы, экономические консультации справочных систем. Использовались журналы, методические пособия, научные статьи.
Дополнительная информация
Работа сдана в 2012 году.Зачтено
Похожие материалы
Физико-химические методы исследования бетонных образцов
Elfa254
: 28 сентября 2013
Оглавление
Введение
1. Что такое бетон
2. Причины коррозии бетона
3. Основные процессы коррозии бетона
4. Объемная защита. Модификация добавками
5. Характер действия добавок, их виды и возможность комплексной модификации
5.1 Пластифицирующие добавки
5.2 Гидрофобизирующие добавки
5.3 Добавки, регулирующие структуру и сроки схватывания-твердения
6. Поверхностная защита бетона
6.1 Очистка и защита замасленных поверхностей
6.2 Защита очистных соо
Исследования коэффициента деятельностного развития студентов 3-4 курсов физико-математической специальности
Qiwir
: 23 марта 2013
Учёт возрастных особенностей при работе учителя с учащимся - один из основополагающих педагогических принципов. Опираясь на него, учителя регламентируют педагогическую нагрузку, устанавливают обоснованные объёмы занятости различными видами труда, определяют наиболее благоприятный для развития распорядок дня, режим труда и отдыха. Возрастные особенности обязывают правильно решать вопросы отбора и реализации учебных предметов и учебного материала в каждом предмете. Они обусловливают также выбор фо
Другие работы
Расчет шестишпиндельной сверлильной головки
Маккс
: 4 мая 2010
Контрольная работа содержит:
1. пояснительную записку (в том числе с расчетом режимов резания, позиционированием и прочим)
2. один чертеж в программе "КОМПАС" (шестишпиндельная сверлильная головка)
Зачетная работа по дисциплине: Общая теория систем
DENREM
: 18 октября 2017
Билет 9
1. Синтетические свойства систем. Эмерджентность. Неразделимость на части.
2. Реализация улучшающего вмешательства. Определение предположений и рисков. Меры для повышения качества улучшающего вмешательства. Роль этики в системном анализе.
200 руб.
Стандартософия
DocentMark
: 15 ноября 2012
Содержание:
1.Деятельность по стандартизации..............................................4
2.Главный принцип стандартософии - стандартизации.............6
3.Описание фундаментальной модели «ОКО ЗЕМНОЕ»...........9
4.Функции стандартизации.........................................................10
5.Цели стандартософии и стандартизации.................................11
6.Актуальные задачи стандартизации.......................................12
7.Формула стандартософии как науки..........
Задачи по гидрогазодинамике ТвГТУ 2020 Задача 2 Вариант 17
Z24
: 27 июня 2026
Определить величину силы F гидростатического давления воды на плоскую прямоугольную стенку, наклоненную под углом α к горизонту и координату УD центра давления D. Глубина воды в сосуде h, ширина стенки b. На поверхность воды действует атмосферное давление. Решить задачу аналитическим и графоаналитическим методами. Сравнить результаты расчетов.
300 руб.