Эпитаксиальный рост Ge на поверхности Si(100)

Введение

Обзор литературы

Ge-Si гетероструктуры с квантовыми точками

Фундаментальные предпосылки

Рост и особенности упорядочения ансамблей Ge нанокластеров. Поверхность кремния (100)

Морфологические перестройки

Эффекты самоорганизации

Размеры и плотность островков: возможности управления

Контроль in situ

Описание экспериментальной установки

Установка молекулярно-лучевой эпитаксии "Катунь"

Электронно-лучевой испаритель

Дифрактометр быстрых электронов

Кварцевый измеритель толщины

Подготовка образцов

Результаты эксперимента

Обсуждение результатов

Сравнение диаграммы с данными имеющимися в литературе

Температурное поведение характерных тощин

Выводы

Благодарности

Cписок литературы

Введение

С физикой тонких пленок связаны достижения и перспективы дальнейшего развития микроэлектроники, оптики, приборостроения и других отраслей новой техники. Успехи микроминиатюризации электронной аппаратуры стали возможны благодаря использованию управляемого эпитаксиального выращивания тонких слоев полупроводников, металлов и диэлектриков в вакууме из различных сред.

Сейчас очень трудно представить современную физику твердого тела без полупроводниковых гетероструктур. Если возможность управления типом проводимости полупроводника с помощью легирования различными примесями и идея инжекции неравновесных носителей заряда были теми семенами, из которых выросла полупроводниковая электроника, то гетероструктуры дают возможность решить значительно более общую проблему управления фундаментальными параметрами в полупроводниковых кристаллах и приборах: шириной запрещенной зоны, эффективными массами носителей и их подвижностями, показателем преломления, электронным энергетическим спектром и т. д.

Полупроводниковые гетероструктуры и, особенно, двойные гетероструктуры, включая квантовые ямы, проволоки (КП) и точки (КТ), являются сегодня предметом исследований 2/3 исследовательских групп в области физики полупроводников. Наиболее многообещающим методом формирования упорядоченных массивов КП и КТ является метод, использующий явление самоорганизации на кристаллических поверхностях. Релаксация упругих напряжений, в случаях роста на рассогласованных по параметру решетки материалах, может приводить к формированию упорядоченных массивов КТ.