Лабораторная работа №1 по дисциплине: "Физические основы электроники"
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Электроника физическая
-
Добавлен:
03.12.2013
-
Размер:
105 KB
-
Покупок:
2
-
Добавил:
wowan1190
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
1.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Тема: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 3
Оценка:Зачет
Дата оценки: 22.01.2013
Рецензия:Ваша работа зачтена
Савиных Валерий Леонидович
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 3
Оценка:Зачет
Дата оценки: 22.01.2013
Рецензия:Ваша работа зачтена
Савиных Валерий Леонидович
Похожие материалы
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические Основы Электроники
ZhmurovaUlia
: 20 ноября 2016
Лабораторная работа №1
По дисциплине: Физические Основы Электроники
ZhmurovaUlia
: 20 ноября 2016
130 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №06
Alexbur1971
: 9 декабря 2021
Лабораторная работа 1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Работа выполняется в лаборатории с удаленным доступом.
1 Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2 Подготовка к работе
3 Схемы исследования
На рисунке 1.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении. При измерении обратного тока (рисунок
Alexbur1971
: 9 декабря 2021
100 руб.
Лабораторная работа №1. По дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №12
Колька
: 1 марта 2017
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИСТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ.
1. Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Обратное включение.
Рис. 3. Схема обратного включения
Таблица 2
Uобр, В
Iобр, мкА
Для определения дифференциального сопротивления диода при обратном включении на рисунке
3. Исследование стабилитрона Д814А
На Рис. * приведена схема
Колька
: 1 марта 2017
50 руб.
Лабораторная работа № 1 по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант № 5
sec1or
: 15 мая 2012
Лабораторная работа №1
по дисциплине: Физические основы электроники
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Выводы по работе
В ходе проведенной работы мною изучены схемы для получения вольтамперных характеристик полупроводниковых приборов, на экспериментальной установке получены графики этих характеристик. По полученным графикам рассчитаны дифференциальные с
sec1or
: 15 мая 2012
200 руб.
Лабораторные работы № № 1-2 по дисциплине: Физические основы электроники
JuliaRass
: 23 января 2013
Лаб. работа №1.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включен
JuliaRass
: 23 января 2013
150 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
erboollat
: 21 июня 2020
120 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Отчет по работе:
СНЯТИЕ ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ДИОДОВ Д7Ж И Д220 ПРИ ПРЯМОМ ВКЛЮЧЕНИИ.
Схемы для снятия характеристик диодов в прямом направлении приведены на рисунках: 1а и 1б
erboollat
: 21 июня 2020
100 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Электрические свойства полупроводников (ПП). Собственные и примесные ПП. Их электропроводность
2. Входные и выходные характеристики БТ в схеме с ОБ. Схема для снятия характеристик. Вид характеристик и их объяснение.
erboollat
: 21 июня 2020
130 руб.
Другие работы
Лицензирование и сертификация на АТ
Александр205
: 9 октября 2014
Контрольная работа по созданию заявки по лицензированию услуг автосервисного предприятия (Заявка, Анкета, перчень выполняемых работ и их описание, Приложение (выдержки из литературы источников материала (Автомануалы)))
Александр205
: 9 октября 2014
45 руб.
Московский Кремль
evelin
: 26 августа 2013
Московский Кремль является древнейшим ядром Москвы и представляет собой великолепный архитектурный ансамбль, складывавшийся на протяжении нескольких веков, причем в постройках различных времен творчески развивалась ранее существовавшая композиция. В архитектуре Кремля ярко отразились многие этапы исторического развития русского народа и русского государства и нашли блестящее выражение характерные черты национальной культуры. Свободное расположение зданий и живописность всего ансамбля строго зак
evelin
: 26 августа 2013
10 руб.
Расчет двухколодочного тормоза-Двухколодочный тормоз-Чертеж-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
as.nakonechnyy.92@mail.ru
: 17 января 2018
Двухколодочный тормоз используется в грузоподъемных установках, двигателях, автомобилях. Представленный тормоз устанавливается на станках качалках для обеспечения безопасности при его остановке, при ремонте, аварии и т.д.
Состав: Двухколодочный тормоз (СБ), Спецификация, Расчет тормоза Язык документа
Софт: КОМПАС-3D V12-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
as.nakonechnyy.92@mail.ru
: 17 января 2018
485 руб.
Устройства приёма-обработки сигналов УПОС
GnobYTEL
: 1 ноября 2012
Программа работы.
Введение ………………………………………………………………………...3
Анализ технического задания……...…………………………………………3
Разработка структурной схемы приемника…………………………………4
Разработка и расчет принципиальной схемы приемника……………….6
Выбор промежуточной частоты (обоснование)……………………………9
Расчёт входных параметров микросхемы………………………………….9
Сопряжение настроек Входных и Гетеродинных контуров...…………..15
Выбор керамического фильтра………………………………..…………...18
Параметры Микросхемы К174ХА2………………………………………….19
Расчётная
GnobYTEL
: 1 ноября 2012
15 руб.
