Физические основы электроники. Лабараторная работы №1,2,3
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Электроника физическая
-
Добавлен:
25.01.2015
-
Размер:
2 MB
-
Покупок:
75
-
Добавил:
Алексей119
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
|
|
|
|
|
|
|
Описание
Работа №1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Работа № 2 Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Работа № 3 Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов
Работа № 2 Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Работа № 3 Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов
Дополнительная информация
Год: 2015
Все лабораторные работы зачтены
Преподаватель: Савиных В.Л.
Все лабораторные работы зачтены
Преподаватель: Савиных В.Л.
Похожие материалы
Физические основы электроники, Вариант для всех один, Лабараторные работы № 1, 2, 3.
artinjeti
: 20 июня 2018
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №1
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №2
1. Цель работы:
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора. Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой и общим эмиттером.
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №3
Цель работы:
Изучить принцип действия, характеристики и параметры п
artinjeti
: 20 июня 2018
50 руб.
Физические основы электроники. Лабараторная работа №1, №2, №3. вариант 4
Leprous
: 22 сентября 2015
Все лабораторные по физическим основам электроники
Лабораторная работа № 1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Лабораторная работа № 2
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ).
Leprous
: 22 сентября 2015
100 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Отчет по работе:
СНЯТИЕ ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ДИОДОВ Д7Ж И Д220 ПРИ ПРЯМОМ ВКЛЮЧЕНИИ.
Схемы для снятия характеристик диодов в прямом направлении приведены на рисунках: 1а и 1б
erboollat
: 21 июня 2020
100 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
erboollat
: 21 июня 2020
120 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Электрические свойства полупроводников (ПП). Собственные и примесные ПП. Их электропроводность
2. Входные и выходные характеристики БТ в схеме с ОБ. Схема для снятия характеристик. Вид характеристик и их объяснение.
erboollat
: 21 июня 2020
130 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
1. Цель работы:
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора. Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой и общим эмиттером.
2. Отчет о работе
ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
ДЛЯ СХЕМЫ С ОБЩЕЙ БАЗОЙ.
На рисунке 1 приведена принципиальная схема для транзистора n-p-n для исследования его входных и выходных характеристик с общей базой.
erboollat
: 21 июня 2020
100 руб.
Физические основы электроники
Yuliyatitova
: 1 апреля 2020
Контрольная работа
По дисциплине: Физические основы электроники
Выполнил: Титова Ю.В.
Группа: Т-61в
Вариант: №01
Проверил: Савиных Валерий Леонидович
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, опреде
Yuliyatitova
: 1 апреля 2020
300 руб.
« Физические основы электроники »
Фрося
: 25 февраля 2020
Комплексное задание по дисциплине « Физические основы
электроники »
.
1. Содержание задач комплексного задания
Задача №1. Согласно номера варианта и статических характеристик биполярного транзистора выполнить графоаналитические расчеты для усилительного каскада по схеме с общим эмиттером (ОЭ) :
а) записать исходные данные:
марка транзистора ________ тип транзистора ___________
напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =____В;
активное сопротивление нагрузки RН = ______ Ом;
постоянн
Фрося
: 25 февраля 2020
900 руб.
Другие работы
Термодинамика и теплопередача СамГУПС 2012 Задача 12 Вариант 2
Z24
: 9 ноября 2025
Влажный водяной пар массой 1 кг изотермически расширяется от состояния с параметрами р1 и х1 до давления р2. Определить конечные параметры (υ2, i2, s2), а также изменения внутренней энергии, энтропии, количество подведенной теплоты и работу пара в процессе. Решение задачи иллюстрировать i-s — диаграммой.
Z24
: 9 ноября 2025
180 руб.
Отчёт по лабораторной работе №4 по курсу: Радиоприёмные устройства. Вариант №1
te86
: 13 декабря 2013
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №4
Исследование детекторов амплитудно-модулированных сигналов
1. Цель работы: изучение основных особенностей работы и характеристик амплитудных детекторов. Экспериментальное исследование схем диодного и транзисторного детекторов.
2. Расчетная часть
1. Рассчитать величину сопротивления нагрузки Rн диодного детектора из условия отсутствия искажений вследствие различия сопротивлений нагрузки постоянному и переменному току.
2. Рассчитать коэффициент передачи напряжения диодного д
te86
: 13 декабря 2013
60 руб.
Физика. Задача 1.1.
anderwerty
: 11 января 2015
Задача 1.1.
Рассчитать концентрации электронов и дырок в собственном полупроводнике (материал полупроводника – InAs) при температурах 200(в 1013 см-3), 300(в 1015 см-3) и 500(в 1017 см-3) К.
Задача 2.1
Как записывается соотношение неопределённости Гейзенберга?
Здесь Δx; Δy и Δz – неопределённости координат; Δpx; Δpy и Δpz – неопределённости составляющих импульса частицы, h – постоянная Планка.
anderwerty
: 11 января 2015
5 руб.
Контрольная работа по микроэкономике. Вариант № 0
Zarchikov
: 17 января 2013
1. Спрос и предложение могут быть использованы для объяснения координирующей роли цены:
2. Сообщалось, что перекрестная ценовая эластичность спроса на рис и топливо в Индонезии была равна 0,14. Что вы могли бы предсказать о том, что случится, если цена на топливо в Индонезии возрастет на 10%:
3. Если однопроцентное сокращение цены на товар приводит к двухпроцентному увеличению объема спроса на него, то этот спрос:
Верно/неверно
1. Эластичность спроса по доходу на золотые час высокая
Zarchikov
: 17 января 2013
50 руб.
