Физические основы электроники. Лабараторная работы №1,2,3
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Электроника физическая
-
Добавлен:
25.01.2015
-
Размер:
2 MB
-
Покупок:
75
-
Добавил:
Алексей119
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
|
|
|
|
|
|
|
Описание
Работа №1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Работа № 2 Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Работа № 3 Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов
Работа № 2 Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Работа № 3 Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов
Дополнительная информация
Год: 2015
Все лабораторные работы зачтены
Преподаватель: Савиных В.Л.
Все лабораторные работы зачтены
Преподаватель: Савиных В.Л.
Похожие материалы
Физические основы электроники, Вариант для всех один, Лабараторные работы № 1, 2, 3.
artinjeti
: 20 июня 2018
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №1
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №2
1. Цель работы:
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора. Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой и общим эмиттером.
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №3
Цель работы:
Изучить принцип действия, характеристики и параметры п
artinjeti
: 20 июня 2018
50 руб.
Физические основы электроники. Лабараторная работа №1, №2, №3. вариант 4
Leprous
: 22 сентября 2015
Все лабораторные по физическим основам электроники
Лабораторная работа № 1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Лабораторная работа № 2
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ).
Leprous
: 22 сентября 2015
100 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Электрические свойства полупроводников (ПП). Собственные и примесные ПП. Их электропроводность
2. Входные и выходные характеристики БТ в схеме с ОБ. Схема для снятия характеристик. Вид характеристик и их объяснение.
erboollat
: 21 июня 2020
130 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
1. Цель работы:
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора. Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой и общим эмиттером.
2. Отчет о работе
ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
ДЛЯ СХЕМЫ С ОБЩЕЙ БАЗОЙ.
На рисунке 1 приведена принципиальная схема для транзистора n-p-n для исследования его входных и выходных характеристик с общей базой.
erboollat
: 21 июня 2020
100 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Отчет по работе:
СНЯТИЕ ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ДИОДОВ Д7Ж И Д220 ПРИ ПРЯМОМ ВКЛЮЧЕНИИ.
Схемы для снятия характеристик диодов в прямом направлении приведены на рисунках: 1а и 1б
erboollat
: 21 июня 2020
100 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
erboollat
: 21 июня 2020
120 руб.
Физические основы электроники
Yuliyatitova
: 1 апреля 2020
Контрольная работа
По дисциплине: Физические основы электроники
Выполнил: Титова Ю.В.
Группа: Т-61в
Вариант: №01
Проверил: Савиных Валерий Леонидович
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, опреде
Yuliyatitova
: 1 апреля 2020
300 руб.
« Физические основы электроники »
Фрося
: 25 февраля 2020
Комплексное задание по дисциплине « Физические основы
электроники »
.
1. Содержание задач комплексного задания
Задача №1. Согласно номера варианта и статических характеристик биполярного транзистора выполнить графоаналитические расчеты для усилительного каскада по схеме с общим эмиттером (ОЭ) :
а) записать исходные данные:
марка транзистора ________ тип транзистора ___________
напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =____В;
активное сопротивление нагрузки RН = ______ Ом;
постоянн
Фрося
: 25 февраля 2020
900 руб.
Другие работы
Инженерная и компьютерная графика. Вариант №6
IT-STUDHELP
: 15 ноября 2021
ДИАГРАММЫ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ ЗАВИСИМОСТЕЙ
Вариант 6
Построить диаграмму зависимости тока коллектора Iк от тока базы Iб для биполярного транзистора 2Т911А при фиксированном напряжении Uкэ. Iк=∫(Iб), Uкэ=const.
Iб, мкА 600 900 1200 1500
Iк,мА Uкэ=13В 9.67 14.86 20.27 25.92
Uкэ=29В 10.15 15.58 21.23 27.12
Вариант 6
Схема электрическая принципиальная
Наименование изделия: Система тактовой синхронизации (фрагмент)
Буквенно-позиционное обозначение на варианте схемы Наименование, тип элемент
IT-STUDHELP
: 15 ноября 2021
800 руб.
Курсовая работа по Основы построения телекоммуникационных систем и сетей. (Вариант 03)
Sim831
: 4 февраля 2015
ЗадачаNo1
Вычислить вероятность ошибки при регистрации методом стробирования, в соответствии с приложением 1.
N=3
N 3
m 47
S 15
A N+1
Задача No 2
Коэффициент нестабильности задающего генератора устройства синхронизации и передатчика К=10-6 . Исправляющая способность приемника m =40%. Краевые искажения отсутствуют. Постройте зависимость времени нормальной работы (без ошибок) приемника от скорости телеграфирования после выхода из строя фазового детектора устройства синхронизации. Будут ли возника
Sim831
: 4 февраля 2015
200 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Инженерная и компьютерная графика. Вариант 10
Roma967
: 17 марта 2023
Варианты заданий Листа 1 «Диаграммы функциональных
зависимостей»
Вариант 10
Построить диаграмму зависимости тока коллектора Iк от тока базы Iб
для биполярного транзистора 2Т911А при различных значениях Uкэ.
Iк = f (Iб); Uкэ =const.
Варианты заданий к Листу 2 «Плоские сечения»
Варианты заданий к Листу 3 «Проекционное черчение» (Контактодержатель)
Варианты заданий к Листу 4 «Схема электрическая принципиальная» (Входной каскад импульсного стабилизатора)
Roma967
: 17 марта 2023
1300 руб.
Химия радиоматериалов. Вариант 41, КАК ИЗМЕНЯЕТСЯ УДЕЛЬНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ У МЕТАЛЛОВ ПРИ ПЛАВЛЕНИИ
Leprous
: 3 октября 2014
Удельное электрическое сопротивление вещества -электросопротивление изготовленного из него куба со сторонами, равными единице 1 метр, когда ток идёт перпендикулярно двум его противоположным граням, площадью 1 квадратный метр каждая.
Удельное сопротивление характеризует способность вещества проводить электрический ток и не зависит от формы и размеров вещества, но меняется, при отличии его температуры от 20 °C (то есть, от комнатной, при которой определялись табличные значения для справочников).
Leprous
: 3 октября 2014
40 руб.
