Физические основы электроники. Контрольная работа. Вариант №20
-
Категории:
СибГУТИ, Физические основы электроники, Работа Контрольная
-
Добавлен:
12.04.2016
-
Размер:
808 KB
-
Покупок:
6
-
Добавил:
bataynya
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Рецензия.docx
|
|
КР ФОЭ.docx
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача 1: По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (Таблица 1), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность , рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия .
Таблица 1
No вар. Тип БТ ЕК, В RН, Ом IБ0, мкА IБМ, мкА f, МГц |H| tК, пc
0 КТ605А 15 200 750 375 20 3,0 210
Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты Н21 / h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.
Задача 4: По выходным характеристикам полевого транзистора (Таблица 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Таблица 2
Вариант Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0, В
2 КП 903 А 10 8
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность , рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия .
Таблица 1
No вар. Тип БТ ЕК, В RН, Ом IБ0, мкА IБМ, мкА f, МГц |H| tК, пc
0 КТ605А 15 200 750 375 20 3,0 210
Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты Н21 / h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.
Задача 4: По выходным характеристикам полевого транзистора (Таблица 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Таблица 2
Вариант Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0, В
2 КП 903 А 10 8
Дополнительная информация
Работа сдана в СибГУТИ в ноябре 2015г. Зачтена без замечаний. Оценка - зачет. Преподаватель: Савиных Валерий Леонидович
Похожие материалы
Контрольная работа по дисциплине: "Физические основы электроники". Вариант № 20
xtrail
: 3 мая 2013
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания ЕК = 15 В, сопротивление нагрузки RН = 200 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 750 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 375 мкА.
Выходные статические характеристики транзистора с необходимыми построениями показаны на рисунке 1.1. Нагрузочная линия соответствует графику уравнения IК = (EК-UКЭ)/RН. На семействе выходных характеристик ордината этой прямой при UКЭ = 0 соответствует точке IК = EК/RН. Абсцисса при IК=0 соо
xtrail
: 3 мая 2013
370 руб.
Физические Основы Электроники Контрольная работа
S4M
: 16 июня 2022
Контрольная работа по дисциплине Физические Основы Электроники для факультета ЗО. Вариант № 9
S4M
: 16 июня 2022
400 руб.
Контрольная работа по физическим основам электроники
Богарт
: 5 апреля 2017
Задача 1: Исходные данные для задачи надо взять из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, надо рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока
Богарт
: 5 апреля 2017
199 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники.
Игуана
: 10 декабря 2012
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 3
Для данного транзистора на частот
Игуана
: 10 декабря 2012
120 руб.
Контрольные работы по физическим основам электроники
Aronitue9
: 3 сентября 2011
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 3
Для данного транзистора на част
Aronitue9
: 3 сентября 2011
50 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа
Seregos
: 4 января 2010
КР Вариант №3 ФОЭ СибГУТИ
Задача 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК=60В, сопротивление нагрузки RН=1000 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0=250мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ=150 мкА.
Seregos
: 4 января 2010
Контрольная работа: Физические основы электроники
Лесник
: 17 ноября 2009
Биполярный транзистор.
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллектор
Лесник
: 17 ноября 2009
70 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа.
madamm
: 17 декабря 2008
Содержание задач контрольной работы
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1.
Вариант No2.
Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания ЕК = 12 В, сопротивление нагрузки RН = 200 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы I Б0 = 625 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ= 375 мкА .
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать пар
madamm
: 17 декабря 2008
220 руб.
Другие работы
Математическая логика и теория алгоритмов. контрольная работа. вариант №8
Максим102
: 15 июля 2014
Владивостокский государственный университет
экономики и сервиса
____________________________________________________
А.А. СТЕПАНОВА
Т.Ю. ПЛЕШКОВА
Е.Г. ГУСЕВ
МАТЕМАТИЧЕСКАЯ ЛОГИКА И ТЕОРИЯ АЛГОРИТМОВ
Практикум
1. ПЕРЕЧЕНЬ ТЕМ
Тема 1. «Совершенные дизъюнктивные нормальные формы (СДНФ) и совершенные конъюнктивные нормальные формы (СКНФ) в алгебре высказываний (АВ)». Формулы АВ. Эквивалент-ность формул АВ. Понятия дизъюнктивной нормальной формы (ДНФ), конъюнктивной нормальной формы (КНФ), СДНФ,
Максим102
: 15 июля 2014
400 руб.
Теплотехника РГАЗУ 2012 Задача 3 Вариант 9
Z24
: 29 декабря 2026
Определить потери теплоты за 1 час с 1 м длины горизонтально расположенной цилиндрической трубы, охлаждаемой свободным потоком воздуха, если известны наружный диаметр d трубы, температура стенки трубы tст и температура воздуха tв в помещении. При расчете коэффициента теплоотдачи учесть лучистую составляющую. Данные для расчетов взять из таблицы 3.3.
Контрольный вопрос. Какими основными безразмерными числами (критериями) подобия определяется конвективная теплоотдача и каков физический смысл эт
Z24
: 29 декабря 2026
200 руб.
Проектирование склада для хранения зерна
GnobYTEL
: 12 декабря 2011
Проектируемое здание зерносклада - прямоугольное в плане, состоит из двух пожарных отсеков. Категория каждого отсека по пожарной опасности - В1. Категория здания - В. Пожарные отсеки здания разделены противопожарной стеной 1-го типа. Уровень ответственности здания - II. Здание каркасное, выполнено в легких металлоконструкциях. Наружные стены здания выполнены из сэндвич-панелей с утеплителем из пенополистирольных плит. Толщина наружных стен здания - 120мм. Предел огнестойкости сэндвич-панелей до
GnobYTEL
: 12 декабря 2011
20 руб.
Совершенствование технологии холодного пластического деформирования шлицовых профелей на карданных валах автомобилей УАЗ в условиях "Автодеталь-Сервис" г. Улияновск
Рики-Тики-Та
: 9 декабря 2015
СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ……………………………………………………………..5
1 ОБЗОР И АНАЛИЗ СПОСОБОВ ПОЛУЧЕНИЯ ПРЯМОБОЧ-
НЫХ ШЛИЦЕВЫХ ПРОФИЛЕЙ НА ВАЛАХ МЕТОДОМ ПЛАСТИ-
ЧЕСКОГО ДЕФОРМИРОВАНИЯ………………………….………………..7
1.1 Накатывание профилей на валах многороликовой
головкой…………………………………………………………………….….7
1.2 Формообразование прямобочных профилей на валах
радиальной штамповкой…………………………………………………..…..9
1.3 Формообразование профилей на валах методом ударного
накатывания роликовыми головка-ми…………………………………………10
1.4 Накатывание зубьев н
Рики-Тики-Та
: 9 декабря 2015
825 руб.
