100

Физические основы электроники. Контрольная работа. Вариант №20

ID: 165219
Дата закачки: 12 Апреля 2016
Продавец: bataynya (Напишите, если есть вопросы)
    Посмотреть другие работы этого продавца

Тип работы: Работа Контрольная
Форматы файлов: Microsoft Office, Microsoft Visio
Сдано в учебном заведении: СибГУТИ

Описание:
Задача 1: По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (Таблица 1), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность , рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия  .
Таблица 1
№ вар.  Тип БТ  ЕК, В RН, Ом IБ0, мкА  IБМ, мкА  f, МГц |H|  tК, пc
0  КТ605А  15  200  750  375  20  3,0  210
Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты Н21 / h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.
Задача 4: По выходным характеристикам полевого транзистора (Таблица 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Таблица 2
Вариант  Тип ПТ  UСИ0, В  UЗИ0, В
2  КП 903 А  10  8

Комментарии: Работа сдана в СибГУТИ в ноябре 2015г. Зачтена без замечаний. Оценка - зачет. Преподаватель: Савиных Валерий Леонидович

Размер файла: 808,4 Кбайт
Фаил: (.rar)
-------------------
Обратите внимание, что преподаватели часто переставляют варианты и меняют исходные данные!
Если вы хотите, чтобы работа точно соответствовала, смотрите исходные данные. Если их нет, обратитесь к продавцу или к нам в тех. поддержку.
Имейте ввиду, что согласно гарантии возврата средств, мы не возвращаем деньги если вариант окажется не тот.
-------------------

Скачать

Добавить в корзину

Занесено в корзину

    Скачано: 6         Коментариев: 0

Есть вопросы? Посмотри часто задаваемые вопросы и ответы на них.
Опять не то? Мы можем помочь сделать!

Некоторые похожие работы:

СИНЕРГИЯ Правовые основы цифровизации государственного управления Тест 90 баллов 2023 год
Контрольная работа по дисциплине: "Физические основы электроники". Вариант № 20
Элементная база телекоммуникационных систем. Лабораторная работа №1 .Вариант №08 (2021 год)
Зачет по дисциплине: Общее управление качеством. Вариант №6
Совершенствование технологии изготовления вала фланцевого ИСРК-12.003.0024 трансмиссии кормораздатчика ИСРК-12 в условиях УП "КТИ СМА"
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). 20 вариант СибГУТИ
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Все варианты
Ещё искать по базе с такими же ключевыми словами.