Контрольная работа № 2 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №22.

Вопрос No 11
Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы:
1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев;
2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во внутренних и внешних слоях, имеет одинаковый вид, т.к. уровни принадлежат одному атому;
3) вследствие экранирующего влияния электронами внешних слоев, ослабляется взаимодействие электронов внутреннего слоя с электронами и ядрами других атомов;
4) это явление связано с зарядом ядра (z) атома.
Вопрос No 36
Какой полупроводник называется собственным? Ответы:
1) Это полупроводник, который принадлежит конкретному владельцу;
2) собственный полупроводник - это вещество с совершенной кристаллической структурой без примесей чужеродных атомов;
3) полупроводник, в запрещенной зоне которого не имеется донорных или акцепторных энергетических уровней;
4) это полупроводник, в котором перенос электрического тока осуществляется носителями заряда только одного знака - электронами или дырками.
Вопрос No 63
Выделите среди нижеприведенных правильные температурные зависимости концентраций носителей заряда в собственном полупроводнике.
Вопрос No 93
Какие физические характеристики акцепторного полупроводника можно определить из температурной зависимости его удельной электропроводности? Ответы:
1) удельное сопротивление при температуре абсолютного нуля;
2) температуру перехода к собственной проводимости (Тi);
3) ширину запрещенной зоны полупроводника (ΔE);
4) энергию ионизации акцепторного уровня (ΔEa).
Вопрос No 117
В каких твердых телах возможны диффузионные токи? Ответы:
1) в полупроводниках с однородным распределением примеси в объеме при постоянной температуре и в темноте;
2) в полупроводниках, неоднородно освещенных видимым светом;
3) в металлах с неоднородным распределением примеси по объему;
4) в однородно легированных донорных полупроводниках с неодинаковой температурой разных частей объема.
Задача 3.7. Определите плотность тока в донорном арсениде галлия (GaAs) с концентрацией электронов nn0=51021 м3 в электрическом поле напряженностью 100 В/м, если при температуре 300 К дрейфовая подвижность электронов n=0,85 м2/Вс, дырок p=0,04 м2/Вс, а собственная концентрация носителей заряда ni=1,11013 м3.